ADI推出SPDT開(kāi)關(guān)為測試測量應用提供快速建立時(shí)間
加入技術(shù)交流群
Analog Devices, Inc.(ADI)日前推出了一款專(zhuān)門(mén)用于9 KHz至13 GHz頻段的吸收式單刀雙擲(SPDT)開(kāi)關(guān)HMC1118LP3DE，它具有48dB的高隔離度，在8 GHz條件下運行時(shí)僅有0.6dB的低插入損耗。 HMC1118LP3DE是ADI公司的新型RF和微波控制產(chǎn)品組合中的第一款產(chǎn)品，展現了硅工藝技術(shù)的固有優(yōu)勢，與傳統的GaAs(砷化鎵)RF 開(kāi)關(guān)相比具有重大明顯優(yōu)勢。 這些優(yōu)勢包括：建立時(shí)間比GaAs快100倍;提供強大的ESD(靜電放電)保護(達到2000V，而GaAs僅為250V);能夠擴展開(kāi)關(guān)的低頻端，比GaAs低1000倍，同時(shí)保持高線(xiàn)性度。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/274592.htm
HMC1118LP3DE還提供4W的業(yè)界領(lǐng)先RF功率處理能力，在熱切換工作模式下達到0.5W。 它的熱切換功率處理能力超出了具有相同RF帶寬的競爭器件的兩倍，這使工程師能夠在他們的應用和系統中提高RF功率，而不會(huì )產(chǎn)生器件損壞的風(fēng)險。 HMC1118LP3DE專(zhuān)為高隔離度進(jìn)行了優(yōu)化，在最大13 GHz的寬工作頻率范圍內提供極其平坦的傳遞特性，同時(shí)保持最低9kHz的高信號保真度。 這些特性組合在一起，使得該開(kāi)關(guān)非常適合要求苛刻的測試和測量、自動(dòng)化測試設備、國防電子產(chǎn)品、無(wú)線(xiàn)通信應用，充當傳統 GaAs開(kāi)關(guān)的更低成本替代產(chǎn)品。
查看產(chǎn)品頁(yè)面并下載數據手冊：http://www.analog.com/pr1505212/hmc1118
通過(guò)在線(xiàn)技術(shù)支持社區EngineerZone®聯(lián)系工程師和ADI產(chǎn)品專(zhuān)家：https://ezchina.analog.com/community/switches_multiplexers
更多有關(guān)產(chǎn)品信息，請致電亞洲技術(shù)支持中心：400 6100 006, 或發(fā)送郵件至 china.support@analog.com ， 也可點(diǎn)擊ADI官方微博http://weibo.com/analogdevices ，或通過(guò)手機登錄m. analog.com 或 www.analog.com了解最新產(chǎn)品等信息。
更多ADI產(chǎn)品及應用視頻，請訪(fǎng)問(wèn)：http://videos.analog.com/category/chinese/
HMC1118LP3DE SPDT開(kāi)關(guān)的主要特性
非反射式50歐姆設計
正控制：0/+3.3 V
低插入損耗： 0.68dB(8GHz時(shí))
高隔離度： 50dB(8GHz時(shí))
9KHz的低截止頻率
7.5微秒的快速建立時(shí)間(對于0.05 dB的最終RF輸出電平)
業(yè)界領(lǐng)先的高功率處理能力：
35.5 dBm的通過(guò)路徑
27 dBm端接路徑和熱切換應用
· 高線(xiàn)性度：
P1dB： +37 dBm(典型值)
IIP3： +61 dBm(典型值)
ESD額定值： 2-KV HBM
定價(jià)和供貨
評論