日本松下將量產(chǎn)新一代半導體：氮化鎵

　　據日經(jīng)BP報道，松下研發(fā)出用于電源和馬達控制的新一代半導體，將于2016年春季在日本國內企業(yè)中率先量產(chǎn)。新一代半導體采用氮化鎵(GaN)，能將耗電量控制在原來(lái)一半左右。據悉，松下目前已與日本國內外約10家企業(yè)就供貨進(jìn)入最終交涉，新一代半導體被松下定位為重振持續虧損的半導體業(yè)務(wù)的戰略產(chǎn)品，松下計劃首先將向服務(wù)器電源裝置等供貨。

　　氮化鎵被稱(chēng)為“終極半導體材料”，世界上僅有美國風(fēng)險企業(yè)涉足。松下將在生產(chǎn)子公司松下電器半導體有限公司(panasonic Semiconductor Solutions )的魚(yú)津工廠(chǎng)(位于富山縣魚(yú)津市)進(jìn)行量產(chǎn)，并希望借此獲得世界市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。