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用于4G-LTE頻段噪聲測試和互調測試的濾波器組件

作者: 時(shí)間:2015-04-07 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

  隨著(zhù)LTE網(wǎng)絡(luò )逐步在全球鋪開(kāi),其數據傳輸速度高于蜂窩3G系統,但由于它使用了重疊的頻段,產(chǎn)生了新的互調干擾源(IMsource),帶來(lái)了日益嚴峻的干擾問(wèn)題?,F有的測試協(xié)議主要關(guān)注兩個(gè)載波信號產(chǎn)生的互調產(chǎn)物,但實(shí)際上存在著(zhù)多個(gè)調制載波問(wèn)題。對于X(MHz)調制帶寬的載波來(lái)說(shuō),其三階互調產(chǎn)物將呈現3倍的調制帶寬,并遍布接收機的底噪。根據經(jīng)驗法則,接收機底噪每上升20dB,其有效覆蓋區域將以10倍的比例縮小。很顯然,這對投資回報(ROI)和服務(wù)質(zhì)量(QoS)有著(zhù)重要影響。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/272132.htm

  LTE網(wǎng)絡(luò )自身會(huì )產(chǎn)生一定的噪聲干擾,但是測試協(xié)議考慮得更加寬泛,包括了來(lái)自非LTE網(wǎng)絡(luò )(GSM、UMTS等)的阻塞信號產(chǎn)生的共站干擾。由于網(wǎng)絡(luò )覆蓋和數據吞吐量受噪聲信號干擾比(SNIR)的嚴重影響,LTE協(xié)議要求整個(gè)元器件供應鏈都進(jìn)行嚴格的測試。從功率放大器和收發(fā)芯片組,到用于阻抗匹配網(wǎng)絡(luò )的可調電容和多種無(wú)源器件,供應商若能滿(mǎn)足互調指標并提供互調測試數據,將擁有戰略競爭優(yōu)勢。如果缺乏此類(lèi)測試設備,將迫使從研發(fā)到生產(chǎn)的各個(gè)崗位的工程師搭建自己的測試系統。

  每個(gè)器件的非線(xiàn)性程度將影響到系統的互調水平。測量時(shí),待建系統或待維護系統的性能可通過(guò)以下途徑來(lái)逐一模擬并優(yōu)化,包括空間方案、設備隔離、保護頻段、器件選擇等。

  傳統上使用兩個(gè)等功率發(fā)射載波的測試系統,測量的是落在接收頻段的三階互調產(chǎn)物,主要針對帶內干擾的測試。但對網(wǎng)絡(luò )來(lái)說(shuō),主要的互調來(lái)源包括阻塞信號,如低頻設備(UHF發(fā)射機、電視、GPS等)的單載波產(chǎn)生的二次諧波,以及帶內發(fā)射信號與非LTE通信平臺的干擾信號產(chǎn)生的二階、三階互調產(chǎn)物。

  本文描述了測試系統的射頻濾波模塊系統。隨著(zhù)頻段數量激增,這些系統模塊可被靈活地插入(取出)系統,從而提供基于多個(gè)LTE頻段的測試??啥ㄖ苹臏y試模塊和靈活的整體系統設計實(shí)現了基于兩個(gè)信號或多個(gè)信號混合的互調測試。

  無(wú)源互調(PIM)和互調(IM)

  盡管“無(wú)源互調(PIM)”和“互調(IM)”經(jīng)??苫Q使用,但事實(shí)上,無(wú)源互調產(chǎn)物是由不當的生產(chǎn)和安裝過(guò)程引起的,如糟糕的焊點(diǎn)、金屬與金屬的接合、磁性材料、有瑕疵的表面處理等。這些問(wèn)題,從本質(zhì)上講,和頻率的相關(guān)性不是很強,因此我們可以使用單頻段而非多頻段對無(wú)源產(chǎn)品(線(xiàn)纜、連接器等)進(jìn)行無(wú)源互調測試。行業(yè)共識是,基于兩個(gè)+43dBm的載波輸入,無(wú)源器件的無(wú)源互調值要達到-156dBc~-169dBc的水平。為了滿(mǎn)足合格的測試設備的動(dòng)態(tài)范圍,要避免輸入載波反射回源頭,因這種反射會(huì )提升系統底噪。

  相較而言,互調產(chǎn)物(IM)是由非線(xiàn)性器件帶來(lái)的,如PIN二極管、晶體管、可調BAW/SAW、MEMS電容器等。它對頻率的依賴(lài)性比較高,因此互調測試必須在多頻段基礎上進(jìn)行,尤其是要基于指定的運行頻段。從數字上看,行業(yè)目前指定的互調水平(IMD)不如無(wú)源互調水平(PIM)嚴苛,但隨著(zhù)載波功率等級的提高,這二者之間的差距正不斷縮小。

  IP3和互調測試

  對于一般的被測器件來(lái)說(shuō),非線(xiàn)性會(huì )導致互調產(chǎn)物的原因在很多文獻中都有所涉及。從搭建一套測試設備來(lái)看,要求的動(dòng)態(tài)范圍越寬(通常是互調指標再加10dB),越需要注意防止新產(chǎn)生的互調產(chǎn)物和反射的能量進(jìn)入被測器件。以下是行業(yè)認可的典型的基于LTE頻段的互調水平:

  ●無(wú)線(xiàn)基站的大功率無(wú)源器件:兩個(gè)+43dBm載波下達到-113dBm;

  ●分布式天線(xiàn)系統(DAS)的大功率無(wú)源器件:兩個(gè)+43dBm載波下達到-118dBm;

  ●無(wú)源互調分析儀的大功率無(wú)源器件:兩個(gè)+43dBm載波下達到-127dBm;

  ●小功率寬帶開(kāi)關(guān),MEMS電容器,收發(fā)芯片組和可調器件:兩個(gè)+26dBm載波下達到-140dBm(很多情況下,第一個(gè)載波是傳輸頻段,第二個(gè)是阻塞頻段)。

  三階交截點(diǎn)(IP3)和互調失真(IMD)之間的換算式如下(單位:dBm):IP3=P+IMD/2,其中,IMD是三階互調失真和兩個(gè)P功率載波的差額。

  案例1:

  一個(gè)普遍使用的測試系統(如圖1所示)包含兩個(gè)來(lái)自下行(DL)頻段的發(fā)射信號,并在接收頻段產(chǎn)生三階互調失真。在該系統中,功放和低互調3dB電橋較容易獲取,并且隔離器也相對便宜,帶來(lái)了一定的便利性和經(jīng)濟性,但是這個(gè)被廣泛應用的方案有著(zhù)較窄的動(dòng)態(tài)范圍。

  放大器通過(guò)隔離器和3dB電橋有50dB的隔離度?;诒粶y器件的回損情況,兩個(gè)發(fā)射信號會(huì )被反射回耦合器,并在Tx1口和Tx2口之間均勻分配。由于隔離器是磁性器件,將產(chǎn)生新的互調失真,并在耦合器處產(chǎn)生高互調產(chǎn)物。因此,Tx必須在接收頻段具有100dB以上的抑制,從而阻止這些互調產(chǎn)物進(jìn)入Rx,同時(shí),放大器需要產(chǎn)生3.5dB以上的增益,來(lái)抵消隔離器和耦合器帶來(lái)的損耗。被測器件的回損越大,設備的動(dòng)態(tài)范圍就越受限。

  

 

  圖1 反射模式測量三階互調

  案例2:

  在圖2中,放大器通過(guò)兩個(gè)帶通濾波器產(chǎn)生大約75dB的隔離。被測器件連接低無(wú)源互調負載,三階互調產(chǎn)物可以通過(guò)接收濾波器在頻譜分析儀上讀取。系統可以通過(guò)一個(gè)載波固定,另一個(gè)載波掃頻,來(lái)獲取更多的數據點(diǎn)。在系統定期校準中,將三工器的公共端口接上負載,通過(guò)接收濾波器來(lái)測量三階互調,從而校驗系統的基準水平。建議使用低無(wú)源互調的連接器來(lái)保護需要頻繁連接的射頻端口,因為多次連接可能產(chǎn)生更多的無(wú)源互調問(wèn)題。并且建議在公共端口使用DIN(7/16)連接器,從而實(shí)現更好的耐用性和更低的表面電流。其余三個(gè)連接頭不是特別關(guān)鍵,它們并不影響設備的無(wú)源互調水平,因為輸入的兩個(gè)大載波不會(huì )同時(shí)出現。

  

 

  圖2 使用一個(gè)三工器互調

  案例3:

  在圖3中,通過(guò)將信號分別從被測器件的兩端注入,可以進(jìn)行三階互調的傳輸測試或者反射測試。Tx1代表了來(lái)自發(fā)射頻段的大信號,Tx2代表了任何可與Tx1混合并在接收頻段產(chǎn)生無(wú)源互調產(chǎn)物的信號,如在二階情況下,IM=Tx1-Tx2.

  

 

  圖3 將信號從被測元件兩端注入


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