Fairchild通過(guò)符合汽車(chē)標準的SuperFET II MOSFET和高壓整流器來(lái)推動(dòng)電動(dòng)車(chē)輛設計

　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild 正在滿(mǎn)足車(chē)輛制造商和零配件供應商的高級需求，其新的SuperFET® II MOSFET和高壓整流器產(chǎn)品系列有助于打造更清潔、更智能的車(chē)輛，是額定功率不斷提高的車(chē)載充電器和DC-DC轉換器(用于混合動(dòng)力、插電式混合動(dòng)力和全電動(dòng)車(chē)輛)的理想選擇。

　　Fairchild混合與電動(dòng)車(chē)輛部門(mén)經(jīng)理Fabio Necco表示：“插電式混合動(dòng)力和電動(dòng)車(chē)輛制造商的重要目標之一是保持車(chē)載電池充電器和DC-DC轉換器盡量輕便小巧，同時(shí)提高功率等級。憑借新SuperFETII MOSFET和高壓整流器的廣泛產(chǎn)品組合，Fairchild幫助制造商將這些元件的效率、功率密度和可靠性最大化，這也是縮小產(chǎn)品尺寸和重量的關(guān)鍵，當然，也與電動(dòng)車(chē)輛開(kāi)發(fā)的環(huán)境、經(jīng)濟和能源優(yōu)勢相一致。”

　　Fairchild的AEC-Q101級650V SuperFET II MOSFET產(chǎn)品系列包括9款器件和豐富的可選封裝，包括業(yè)內較低的41 mOhm RDS(on)，可幫助客戶(hù)降低開(kāi)關(guān)和導通損耗。

　　650VSuperFET® II MOSFET產(chǎn)品系列非常適合混合動(dòng)力和插電式電動(dòng)車(chē)輛，因為其導通電阻小和卓越的開(kāi)關(guān)性能可實(shí)現高效率等級。新產(chǎn)品系列采用最新的結溫技術(shù)來(lái)實(shí)現小尺寸和更高效率，同時(shí)高dv/dt條件下的強健內置二極管可提高橋式電路可靠性。

　　此外，650V SuperFET II MOSFET產(chǎn)品系列的體二極管性能可以幫助制造商實(shí)現高開(kāi)關(guān)性能和低電磁干擾(EMI)。這一優(yōu)勢很重要，因為混合動(dòng)力和插電式電動(dòng)車(chē)輛對于EMI環(huán)境要求嚴苛，將額外EMI降至最低對提高整體系統可靠性非常有利。

　　高達1000V的整流器可覆蓋整個(gè)汽車(chē)電源市場(chǎng)

　　650V SuperFET II MOSFET產(chǎn)品系列的新成員是Fairchild的汽車(chē)高壓整流器系列，該產(chǎn)品將卓越性能與汽車(chē)級可靠性合二為一。該產(chǎn)品系列符合行業(yè)AEC-Q101標準，提供廣泛的電壓和電流額定值，是插電式混合動(dòng)力和電動(dòng)車(chē)輛車(chē)載充電器、固定充電器和其它高壓傳動(dòng)應用的理想選擇。

　　本產(chǎn)品系列現在分為三個(gè)技術(shù)平臺——超快、超高速和STEALTHTM——根據開(kāi)關(guān)損耗和導通損耗的平衡性進(jìn)行設計。

　　超快版具有最低的VF(正向電壓)，適合低開(kāi)關(guān)頻率應用和無(wú)嚴格EMI要求的應用。超高速設備對于較快開(kāi)關(guān)應用具有較低的關(guān)斷時(shí)間，如車(chē)載充電器的PFC和次級端整流。

　　Stealth整流器比超高速版更快，提供軟恢復以減少噪聲和震鈴，其代價(jià)是略高的VF(與超快版相比)和較高的反向恢復充電Qrr(與超高速版相比)。這些器件也適用于有EMI要求的高開(kāi)關(guān)頻率應用，如PFC。

　　Fairchild的九款新汽車(chē)高壓整流器擁有600V和1000V擊穿電壓、15A至80A正向電流和多種封裝選擇，包括TO247，TO220和裸片銷(xiāo)售(晶圓、卷帶和已知合格裸片)。添加這些新成員后，Fairchild的汽車(chē)級整流器產(chǎn)品組合現有22款產(chǎn)品。 Fairchild也可定制上述器件以滿(mǎn)足制造商的特定需求，如定制裸片和擊穿電壓。