意法半導體(ST)擴大碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，為更多應用帶來(lái)寬帶隙技術(shù)優(yōu)勢

　　意法半導體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶體管，其先進(jìn)的能效與卓越的可靠性將為更多節能應用帶來(lái)技術(shù)優(yōu)勢，包括純電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)的逆變器、太陽(yáng)能或風(fēng)力發(fā)電、高能效驅動(dòng)器、電源以及智能電網(wǎng)設備。

　　意法半導體是業(yè)界少數具有高可靠性、高能效碳化硅功率半導體研發(fā)的領(lǐng)導廠(chǎng)商之一，并始終致力于技術(shù)的研發(fā)與升級。這次推出的1200V SCT20N120進(jìn)一步擴大了碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，具有小于290m?的通態(tài)電阻 (RDS(ON)) 及高達200°C的最大工作結溫等諸多特性?xún)?yōu)勢;其高度穩定的關(guān)斷電能 (Eoff) 和柵電荷 (Qg) 可使開(kāi)關(guān)性能在整個(gè)工作溫度范圍內表現始終如一。最終的低導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗配合超低泄漏電流，將有助于簡(jiǎn)化熱管理設計，并最大限度地提高可靠性。

　　除更低的電能損耗外，意法半導體的碳化硅MOSFET的開(kāi)關(guān)頻率也同樣出色，較同等級的硅絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 高出三倍，這讓設計人員能夠使用更小的外部元器件，進(jìn)而降低產(chǎn)品尺寸、重量以及材料成本。SCT20N120的耐高溫性可大幅度簡(jiǎn)化電源模塊、電動(dòng)汽車(chē)等應用的散熱系統 (cooling-system) 設計。

　　SCT20N120采用意法半導體獨有的HiP247™封裝，其更高的熱效率可使管子在最大工作溫度高達200°C時(shí)，依然能夠維持與TO-247 工業(yè)標準功率封裝外觀(guān)兼容。

　　SCT20N120目前已開(kāi)始量產(chǎn)，詳情請瀏覽：http://www.st.com/sicmos