意法半導體(ST)的新650V超結MOSFET提升能效和安全系數

　　意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)的最新超結 (super-junction) 功率MOSFET滿(mǎn)足家電、低能源照明系統以及太陽(yáng)能微逆變器廠(chǎng)商對電源能效的要求，同時(shí)提供更高可靠性的最新且滿(mǎn)足高功率密度的封裝。

　　MDmesh M2系列產(chǎn)品擁有最新最先進(jìn)的超結晶體管技術(shù)，取得了比上一代產(chǎn)品更低的導通電阻 (RDS(ON))，以及更低的柵電荷量 (QGD) 和輸入/輸出電容 (Ciss/Coss)。此外，這些產(chǎn)品更進(jìn)一步降低了能耗和熱耗散 (heat dissipation)，讓開(kāi)發(fā)人員能夠設計出更高效的電源。

　　同時(shí)，與市場(chǎng)現有產(chǎn)品的600V典型擊穿電壓相比，意法半導體的新產(chǎn)品將該參數提高至650V，確保新產(chǎn)品具有更高的安全系數，讓設備廠(chǎng)商能夠設計更穩健且更可靠的電源系統。

　　新系列產(chǎn)品還增加了一款采用表面貼裝封裝的PowerFLAT 5x6 HV高壓產(chǎn)品，雖然封裝表面積和厚度都很小，但熱效率和電流處理能力俱佳。計劃于2015年第1季度投入量產(chǎn)的PowerFLAT 5x6 HV 封裝可有效提高功率容量，助力設備廠(chǎng)商研制尺寸更小的下一代產(chǎn)品，且在實(shí)現輸出功率變得更高的同時(shí)，不會(huì )影響其工作可靠性。

　　MDmesh M2 MOSFET的目標應用包括筆記本電腦、打印機和游戲機等設備的外接電源，以及電視機和音響系統的內部電源。3W-25W單排以及大功率多排LED燈引擎驅動(dòng)器也將受益于新產(chǎn)品的高熱效和高性能。PowerFLAT 5x6 HV封裝是太陽(yáng)能微逆變器的理想選擇，為尺寸精巧的家用和商用逆變器模塊帶來(lái)MDmesh M2產(chǎn)品的能效優(yōu)勢。

　　22 MDmesh M2 650V MOSFET現已上市，最大額定電流范圍為4A至11A，最低導通電阻RDS(ON) 降至0.360?。STD6N65M2采用D2PAK封裝。

　　欲了解更多詳情，請訪(fǎng)問(wèn)：www.st.com/mdmeshm2