專(zhuān)用高頻E類(lèi)功率放大器的研究

4.測試結果及分析

測試芯片在DCS、GSM頻段內工作狀況經(jīng)過(guò)頻譜分析儀截圖可以看出在高脈沖電壓下其輸出信號波形如圖4、圖5所示，從截圖中可以看出信號在 1800MHz的時(shí)候得到了放大且大小約為34dBm,800MHz的時(shí)候得到了放大且大小約為33dBm,滿(mǎn)足了信號經(jīng)過(guò)芯片放大后在DCS下應該達到 32dBm以上GSM應達到30dBm以上，從波形中可以看出經(jīng)過(guò)放大的信號沒(méi)有明顯的雜散現象說(shuō)明芯片在高脈沖的時(shí)候能夠很好的將輸入信號進(jìn)行放大。

當脈沖電壓是一個(gè)低電壓時(shí)，即GSM條件下令脈沖電壓值為0.55V而DCS條件下脈沖電壓值為0.45V.DCS和GSM頻段輸入信號經(jīng)過(guò)功率放 大后的輸出波形分別如圖6和圖7所示，從圖6中可以看出信號在1800MHz時(shí)得到了放大效果其值達到了11dBm以上，達到了功率放大器在小脈沖電壓下 功率放大要求。GSM下低脈沖電壓輸出波形如圖7所示，從圖中可以看出信號在800MHz處得到了放大，其值在6dBm以上，達到了放大器在小脈沖電壓下 的功率放大要求。

因此芯片在高低脈沖電壓下都能很好的將DCS和GSM信號進(jìn)行功率放大且放大后的信號無(wú)雜散。

5.總結

本次實(shí)驗模擬手機信號功率放大，對高頻E類(lèi)功率放大器進(jìn)行了測試實(shí)驗，通過(guò)觀(guān)察輸出信號的變化判定芯片是否能正常工作，測試效果良好。