Fairchild推出適用于整體功率分立器件技術(shù)平臺的高壓SPICE模型

　　過(guò)去，高壓(HV)分立器件和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)需要經(jīng)過(guò)一系列漫長(cháng)的過(guò)程，在該過(guò)程多種技術(shù)通過(guò)利用TCAD*、制造與封裝物理部件、進(jìn)行測量及展開(kāi)迭代校準周期得以開(kāi)發(fā)。

　　由于設計人員采用SPICE而非TCAD模擬應用電路，因此通常在技術(shù)開(kāi)發(fā)后期(即基于硅的SPICE模型最終可用時(shí))才進(jìn)行應用仿真并對其進(jìn)行校準。當技術(shù)發(fā)生任何變化或調整，都要求相應的分立SPICE模型在可用于應用仿真之前進(jìn)行新一輪的TCAD仿真、器件制造以及測量。

　　現在，新開(kāi)發(fā)的基于物理、可擴展SPICE模型集成了工藝技術(shù)，位于設計流程的最前沿。憑借SPICE模型，設計人員可先模擬產(chǎn)品性能再進(jìn)行器件制造，這樣就能縮短設計和制造周期，進(jìn)而降低成本并加快產(chǎn)品上市時(shí)間。

　　Fairchild已推出可擴展的物理SPICE級模型，適用于下列高壓分立技術(shù)：

　　IGBT(FS溝道650 V)

　　超結FET(600 V和800 V SuperFET® MOSFET)

　　高壓二極管(STEALTH™ I、II型二極管和HyperFast系列二極管)

　　Fairchild高壓SPICE模型是一種適用于整個(gè)技術(shù)平臺的物理模型，能夠追蹤布局和工藝技術(shù)變更，并非根據每個(gè)器件尺寸以及工藝變化而開(kāi)發(fā)的獨立分立器件模型庫。

　　Fairchild全球銷(xiāo)售與應用部門(mén)高級副總裁Chris Allexandre表示：“Fairchild專(zhuān)注于提供出色的高壓設計平臺。這些全新的SPICE模型不僅可實(shí)現虛擬原型設計，而且有助于我們的客戶(hù)更快速地解決問(wèn)題、開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品并在最短時(shí)間內上市。這也表明我們恪守承諾，為客戶(hù)提供價(jià)值可觀(guān)的優(yōu)質(zhì)服務(wù)。”