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有源濾波器中的相位關(guān)系

作者: 時(shí)間:2011-06-03 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

二階濾波器段

二階濾波器有各式各樣的電路結構。這里要討論的是Sallen-Key、多路反饋、狀態(tài)變量結構,及其類(lèi)似的雙二階濾波結構。它們是最常見(jiàn)的結構,而且與本文的內容相關(guān)。關(guān)于各種不同結構的更為完整的信息可參見(jiàn)文后的參考文獻。

Sallen-Key低通濾波器
廣 泛使用的Sallen-Key結構也被稱(chēng)為電壓控制電壓源(VCVS)型,是MIT的林肯實(shí)驗室(參見(jiàn)文獻3)的R.P. Sallen和 E.L. Key于1955年提出的結構。圖10示出了一個(gè)Sallen-Key二階低通濾波器的電路原理圖。這一結構受到廣泛歡迎的一個(gè)原因是它的性能基本與運放的性能無(wú)關(guān),因為放大器主要作為一個(gè)緩沖器來(lái)使用。由于在基本的Sallen-Key電路中,連接成跟隨器的運放并不用于產(chǎn)生電壓增益,故對它的增益-帶寬要求并不重要。這意味著(zhù),對于給定的運放帶寬而言,與運放的動(dòng)態(tài)特性受到可變反饋環(huán)路特性影響的那些電路結構相比,利用這一固定的(單位)增益可以設計出頻率更高的濾波器。通過(guò)濾波器后,信號的相位保持不變(同相結構)。圖4示出一個(gè)Q=0.707(或者,阻尼比α=1/Q=1.414—— Butterworth響應特性)的Sallen-Key低通濾波器的相移-頻率關(guān)系圖。為了簡(jiǎn)化比較,這將作為下面所考慮的二階濾波器段的性能標準。



圖10. 2極點(diǎn)、Sallen-Key低通濾波器

Sallen-Key高通濾波器
通過(guò)互換決定頻率網(wǎng)絡(luò )上的電容和電阻的位置,可將Sallan-Key低通電路變換為高通結構,正如圖11所示的那樣,而且同樣采用單位增益的緩沖器。其相移-頻率關(guān)系示于圖5中(左軸)。這是同相、二階、高通響應。



圖11. 2極點(diǎn)、Sallen-Key高通濾波器

Sallen-Key濾波器的放大器增益可以通過(guò)在運放反相輸入上連接一個(gè)電阻衰減器組成的反饋網(wǎng)絡(luò )來(lái)提高。不過(guò),改變增益將影響到?jīng)Q定頻率網(wǎng)絡(luò )的表達式,而且需要重新計算元件的值。該放大器的動(dòng)態(tài)特性也需要更嚴格的考察,因為它們在環(huán)路中引入了增益。

多路反饋(Multiple-Feedback,MFB)低通濾波器

多路反饋濾波器是一種單放大器電路結構,反饋環(huán)路是基于運放的積分器(反相配置),如圖12所示。因此,運放參數對傳遞函數之間的影響要大于 Sallen-Key的實(shí)現方案。要產(chǎn)生一個(gè)高Q、高頻電路是很困難的,因為運放在高頻段的開(kāi)環(huán)增益有限。一條指導方針是,運放的開(kāi)環(huán)增益應該至少比諧振(或者截止)頻率處的高出20dB(即10倍于之),包括濾波器的Q值造成的峰值。由于Q值而造成的尖峰將具有如下的幅值

(5)

式中:H是電路的增益。



圖12. 2極點(diǎn)、多路反饋(MFB)、低通濾波器

該多路反饋濾波器會(huì )使信號反相。這等價(jià)于讓濾波器自身的相移增加了180°。圖4示出了相位-頻率變化關(guān)系(右軸)。這將被稱(chēng)為反相、二階、低通響應。值得注意的是,在得到給定響應特性的條件下,多路反饋結構中的最大和最小元件值之間的差異要大于Sallen-Key實(shí)現方案中的。

多路反饋(MFB)、高通濾波器
上面關(guān)于多路反饋、低通濾波器的評述也適用于高通的情形。圖13示出一個(gè)多路反饋、高通濾波器的原理圖,其理想的相移-濾波特性則示于圖5中(右軸)。這被稱(chēng)為反相、二階、高通響應特性。



圖13. 2極點(diǎn)、多路反饋(MFB)高通濾波器

要保證這種濾波器的具體電路實(shí)現在高頻情況下的穩定性是十分困難的,因為它是在一個(gè)微分器的基礎上構建的,與所有的微分器電路所類(lèi)似的是,它在更高的頻率上閉環(huán)增益更大,因此會(huì )對噪聲產(chǎn)生放大作用。

狀態(tài)變量型濾波器
圖14示出了一種狀態(tài)變量實(shí)現方案。該結構是最靈活和最精確的實(shí)現方案,付出的代價(jià)是電路元件的數量大大增加,其中包括了3個(gè)運放。所有3個(gè)主要的參數(增益、Q和ω0)都可以獨立調節,而且可以同時(shí)提供低通、高通和帶通輸出。該濾波器的增益也是獨立的變量。

由于狀態(tài)變量濾波器的所有參數都可以獨立調節,故其元件值的散布變得很小。而且由于溫度和元件公差所帶來(lái)的失配也可以最小化。與上面的多路反饋電路類(lèi)似的是,積分器部分所使用的運放的增益帶寬積也成為電路的限制條件。



圖14. 2極點(diǎn)、狀態(tài)變量濾波器

其中低通濾波段的相移-頻率特性屬于一個(gè)反相的二階型響應(參見(jiàn)圖4,右軸),高通段電路將具有反相高通響應(參見(jiàn)圖5,右軸)。

雙二階(biquad)
狀 態(tài)變量濾波器的一個(gè)近親是雙二階型(參見(jiàn)圖15)。該電路的名稱(chēng)最早是由J. Tow于1968年使用的(見(jiàn)參考文獻6),后來(lái)由L.C. Thomas 于1971年使用(見(jiàn)文獻5),其工作是基于如下的事實(shí):傳遞函數是兩個(gè)二階項之比。該電路與狀態(tài)變量電路之間存在輕微的區別。在這一結構中,不能提供單獨的高通輸出。不過(guò)它具有兩路低通輸出,其中一路是同相的(LOWPASS1),另一路是反相的(LOWPASS2)。



圖15. 標準的雙二階2極點(diǎn)電路

由于添加了第四個(gè)放大器電路,故可以實(shí)現高通、陷波(低通、標準和高通)以及全通型濾波器。圖16示出一個(gè)帶有高通電路的雙二階電路的原理圖。



圖16. 2極點(diǎn)雙二階濾波器(帶有高通段)

其中LOWPASS1段的相移-頻率特性屬于同相、二階、低通型響應(參見(jiàn)圖4的左軸)。LOWPASS2段將具有反相的二階型響應(參見(jiàn)圖4,右軸)。HIGHPASS段的相移特性屬于反相特性(參見(jiàn)圖5,右軸)。

結論
我們已經(jīng)看到用于構建一個(gè)濾波器的拓撲將影響其實(shí)際的相位響應。這會(huì )是確定所用的拓撲時(shí)需要考慮的一個(gè)因素。表1對本文中討論的各種低通濾波器結構的相移范圍進(jìn)行了比較。

相移特性隨Q的變化特性

上述的2階響應的Q值都是0.707。圖17示出了Q的變化對低通濾波器的相位響應的影響(對高通濾波器的影響也 類(lèi)似)。圖中繪出了Q = 0.1,0.5,0.707,1,2,5,10和20時(shí)的相位響應曲線(xiàn)。值得注意的是,Q值較低的情況下,在遠低于截止頻率的頻率上相位就開(kāi)始發(fā)生變化。



圖17. 相移隨Q值的變化特性

雖然隨Q值的變化并非本文的主題,但也是一個(gè)令人感興趣的問(wèn)題。圖18示出了Q值在上述范圍內變化時(shí)一個(gè)2階濾波器的特性。

當高Q電路應用于多級濾波器時(shí),高Q電路的響應特性的尖峰現象也是令人感興趣的問(wèn)題。雖然在理論上這些電路段以何種順序來(lái)級聯(lián)并無(wú)差異,而在實(shí)踐中,把Q值較低的電路段置于高Q電路段之前將更為有利,這是為了讓尖峰現象不致于超出濾波器的動(dòng)態(tài)范圍。雖然該圖是針對低通段的,但高通響應也存在類(lèi)似的尖峰。



圖18. 隨著(zhù)Q值的變化,2極點(diǎn)濾波器的幅值尖峰特性的變化

高階次濾波器
傳遞函數可以級聯(lián)起來(lái),構成更高階次的響應特性。當濾波器響應串連起來(lái)后,其在任意頻率上的dB增益(以及衰減)和相角都相加起來(lái)。正如我們在前面指出的那樣,多極點(diǎn)濾波器一般是利用級聯(lián)的二階電路段搭建的,對于奇次階濾波器,可以另外添加一段一階電路。兩個(gè)級聯(lián)的一階電路段并不能像單個(gè)二階濾波段那樣提供很寬的Q值變化范圍。

圖19示出一個(gè)通過(guò)傳遞函數級聯(lián)所構成的4階濾波器。這里,我們可以看到,濾波器是由兩個(gè)二階段所構成的。



圖19. 傳遞函數的級聯(lián)所構成的4極點(diǎn)濾波器

圖 20示出了構建一個(gè)4階濾波器的3種方式對相位響應的影響。第一種結構是利用兩個(gè)Sallen-Key(SK)Butterworth段搭建的。第二種是利用兩個(gè)多路反饋(MFB) Butterworth段搭建的。第三種是利用一個(gè)SK段和一個(gè)MFB段搭建的。但是,正如兩個(gè)級聯(lián)的一階電路段并不能構成一個(gè)二階電路段一樣,2個(gè)級聯(lián)的2階Butterworth段并不能等效于一個(gè)4階Butterworth段。第一段Butterworth濾波器的f0為1,Q值為0.5412(α=1.8477)。第二段的f0為1,Q值為1.3065(α=0.7654)。

正如前面所提到過(guò)的那樣,SK段是同相型的,而MFB是反相型的。圖20對這3種4階電路的相移特性進(jìn)行了比較。其中SK和MFB濾波器具有相同的相位響應特性,因為兩個(gè)反相段產(chǎn)生了同相響應(-1×-1=+1)。利用混合拓撲結構(SK和MFB)構建的濾波器的響應特性將偏移180° (+1 × –1 = –1)。



圖20. 不同結構的4階電路的相位響應

請注意,正如可以預料到的那樣,總的相移特性是一個(gè)2階電路段的兩倍360° vs. 180°。高通濾波器將擁有類(lèi)似的相位響應,但偏移相差180°。

該級聯(lián)的思想可以用來(lái)搭建更高階次的濾波器,但是,在實(shí)踐中,超過(guò)8階的濾波器很難實(shí)現。將來(lái)的文章將對帶通、陷波(帶阻)和全通濾波器的進(jìn)行考察。

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