三星全球率先推出40納米級動(dòng)態(tài)存儲芯片

據韓國《中央日報》報道，世界著(zhù)名存儲芯片企業(yè)三星電子在全球率先推出40納米級32GB DRAM(動(dòng)態(tài)隨機存取記憶體)模塊，并計劃從4月開(kāi)始生產(chǎn)該產(chǎn)品。

　　40納米(10億分之1米)工藝是指將芯片內部電路的線(xiàn)幅縮小為40納米。芯片電路線(xiàn)幅越薄，芯片的集成度和生產(chǎn)效率就越高。

　　三星電子在2009年3月實(shí)現了50納米級16GB DRAM模塊的批量生產(chǎn)，而僅隔一年就把容量提高兩倍，芯片生產(chǎn)效率則提高了60%。最近，高性能服務(wù)器要求將存儲器容量提高至GB的1000倍，即TB(千千兆)級以上，因此預計40納米級32GB DRAM的用途將非常大。搭載該半導體的服務(wù)器(中型計算機)以及臺式、本式個(gè)人電腦將比之前產(chǎn)品的主存儲量增加一倍。

　　三星電子副社長(cháng)金東守稱(chēng)：“由于使用超節電技術(shù)，這次推出的40納米級32GB DRAM模塊的主存儲量增加，耗電量降低，為需要大容量存儲器的服務(wù)器以及個(gè)人電腦提供了高性能、低電力的存儲解決方案，這點(diǎn)非常有意義?！?比如，使用96GB容量動(dòng)態(tài)存儲的服務(wù)器，搭載40納米級4GBDDR3動(dòng)態(tài)內存的產(chǎn)品要比40納米級2GBDDR3動(dòng)態(tài)內存模型的耗電量最多可減少35%。三星電子計劃在上半年內將把在服務(wù)器和個(gè)人電腦用動(dòng)態(tài)內存中的40納米級DDR動(dòng)態(tài)內存供應比率提高到90%以上。

　　三星電子芯片項目部存儲器業(yè)務(wù)總經(jīng)理趙秀仁表示：“今年將量產(chǎn)40納米級32GB DRAM模塊，同時(shí)，三星電子已開(kāi)發(fā)了與40納米級相比更先進(jìn)的30納米級生產(chǎn)工程技術(shù)，下半年將推出30納米級產(chǎn)品，繼續搶占市場(chǎng)?！?BR>-