恒憶新RAM為相變存儲器提供無(wú)縫架構途徑
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無(wú)線(xiàn)電話(huà)中的數字圖像、影像、游戲及其他應用程序都對存儲器提出了更高要求，為滿(mǎn)足這些要求，大多數的手機制造商會(huì )采用結合如NOR、NAND等非揮發(fā)性存儲器以及成本低廉的RAM技術(shù)。其中由于各種存儲器類(lèi)型需要不同的硬件和軟件接口，經(jīng)常迫使設計人員在存儲系統性能與支持更多接口之間得做出妥協(xié)，因而提高系統成本。
恒憶Velocity LP NV-RAM將系統中不同的存儲器的特性結合在一個(gè)廣為接受LPDDR 接口上，有助于簡(jiǎn)化系統架構、提升速度并降低成本。由于此非揮發(fā)性存儲器也具有執行功能，因此設計人員可以 RAM的 速度讀取數字內容，并降低系統的 LP RAM 需求以減少存儲系統成本，此接口同時(shí)可協(xié)助系統設計人員使用相同架構來(lái)擴充存儲系統，以支持從低端到高端的各種電話(huà)。
恒憶無(wú)線(xiàn)通訊產(chǎn)品事業(yè)部副總裁暨總經(jīng)理 Marco Dallabora 表示，憑借恒憶在無(wú)線(xiàn)非揮發(fā)存儲器市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，恒憶Velocity LP NV-RAM 采用業(yè)經(jīng)驗證的 65納米非揮發(fā)存儲器技術(shù)，率先推出 LPDDR-NVM 接口。恒憶的目標是協(xié)助 OEM 推出符合成本效益的高性能手機，并開(kāi)始針對無(wú)線(xiàn)市場(chǎng)推出基于 PCM 的器件。
恒憶Velocity LP NV-RAM 系列與 2007 年 11 月所發(fā)布的 JEDEC 低功耗雙倍數據傳輸速率 (LPDDR) NVM 標準兼容。恒憶將持續推出新產(chǎn)品來(lái)迎合產(chǎn)業(yè)未來(lái)新一代接口標準，此次開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品是推出更快速非揮發(fā)性存儲器的第一步，并借此降低移動(dòng)平臺加載額外 RAM 的需求。
在研發(fā)Velocity LP NV-RAM 系列產(chǎn)品過(guò)程中，恒憶便積極與產(chǎn)業(yè)鏈及客戶(hù)合作，預期LPDDR NV-RAM 解決方案將在 2009 年面市。ARM 處理器部門(mén)營(yíng)運暨光纖 IP 副總裁 Keith Clarke 表示，LPDDR-NVM 接口具有顯著(zhù)優(yōu)勢，使開(kāi)發(fā)人員得以實(shí)現ARM*架構的移動(dòng)應用。ARM與恒憶密切合作，使AMBA* 3 AXI* 型 ARM PrimeCell* PL340 動(dòng)態(tài)存儲控制器能夠搭配恒憶Velocity LP NV-RAM 解決方案，主要合作伙伴目前也已經(jīng)順利采用此款產(chǎn)品。
以軟件與封裝提高價(jià)值
除了提供創(chuàng )新的 NVM 硅產(chǎn)品外，恒憶也提供創(chuàng )新的軟件解決方案。它所推出的高級 XIP 文件系統 (AXFS，Advanced XIP File System)讓軟件設計人員和架構人員能夠運用單一文件系統，支持 NV-RAM、NOR、NAND 和 RAM 技術(shù)，以及日后的 PCM 型產(chǎn)品。AXFS 軟件可壓縮未使用的代碼頁(yè)，協(xié)助設計人員得以在特定密度下多獲得 50%的儲存量，并最優(yōu)化設計過(guò)程中的系統層級效能與成本，同時(shí)減少 RAM 需求以降低系統功耗。
通過(guò)創(chuàng )新的封裝技術(shù)，恒憶運用單一的封裝層迭（package-on-package）解決方案提升共享 RAM 和 Velocity LP NV-RAM的優(yōu)勢，設計人員可結合處理器推出高性能而低成本的存儲解決方案。在同一總線(xiàn)安裝 RAM 和 Velocity LP NV-RAM，恒憶使存儲器能夠相互堆棧，節省電路板的實(shí)體空間或「存儲體積」
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