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采用SOI技術(shù)的CAN收發(fā)器實(shí)現EMC優(yōu)化重大突破
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時(shí)間：2012-11-27
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò )
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圖2是采用飛利浦SOI工藝的TJA1054容錯CAN收發(fā)器與采用傳統BCD工藝制造的前代TJA1053的輻射對比。在抗干擾的同時(shí)，輻射平均減少了20 dB以上。這在EMC性能方面堪稱(chēng)“石破天驚”的改變，即使在復雜的網(wǎng)絡(luò )架構中也無(wú)需屏蔽電纜，因而有效地節約了成本。
飛利浦通過(guò)其TJA1050成功驗證了SOI工藝在高速CAN收發(fā)器中的可用性。與采用傳統技術(shù)生產(chǎn)的PCA82C250產(chǎn)品相比，極大地降低了輻射，甚至可能同時(shí)大幅提高抗干擾性。TJA1040、TJA1041和TJA1041A進(jìn)一步擴展了采用SOI技術(shù)的高速CAN系列產(chǎn)品，提供低功率模式和附加特性。
基于網(wǎng)絡(luò )架構，SOI工藝第一次實(shí)現了避免使用至今仍廣泛采用的電抗線(xiàn)圈。這就節約了元器件成本，簡(jiǎn)化了電路板裝配，并提高了控制電子元器件的機械負載能力。
SOI和A-BCD3技術(shù)前景無(wú)限
除了卓越的EMC性能和簡(jiǎn)便設計外，SOI工藝還擁有諸多其他的顯著(zhù)優(yōu)勢。例如，較之傳統的結點(diǎn)絕緣工藝，其封裝密度可降低20%到30%，因而縮小了芯片的表面積。此外，掩膜數量的減少能簡(jiǎn)化工藝，縮短上市時(shí)間，降低成本。此外，SOI工藝能提供固有的、強勁的抗電壓脈沖性能，而且Rds(on) 值可降低20%左右，因此能將功率元器件和小信號模擬及密集的CMOS有源器件直接集成在單個(gè)硅芯片上。最后，隔離氧化物埋層能減少泄漏電流，可在高于150°C的溫度下工作。在某種意義上，SOI工藝是集成總線(xiàn)收發(fā)器、電源和邏輯的理想選擇，這種技術(shù)將日益得到廣泛部署，例如在汽車(chē)的局域互聯(lián)網(wǎng)絡(luò )(LIN)子總線(xiàn)的從動(dòng)節點(diǎn)以及故障安全系統基礎芯片等領(lǐng)域。
為了支持下一代SoC應用，飛利浦目前正在力推其第三代A-BCD3 SOI技術(shù)。這種通用0.6微米SOI BCD技術(shù)包含單個(gè)多晶硅柵層及3個(gè)金屬層，具有120V電壓處理能力，完全適用于下一代42V電池供電系統。器件被做在位于一個(gè)1微米氧化物埋層上的厚度為1.5微米的硅器件層上，其間用氧化物和多晶硅填充的溝道隔離。與結點(diǎn)絕緣工藝相比，在所有器件間都進(jìn)行小溝道隔離能將小信號模擬電路的面積縮小50%。
A-BCD3工藝包含諸多有源/無(wú)源器件，包括：5V CMOS、同類(lèi)產(chǎn)品中Rds(on) 值最佳的12到120V DMOS器件(如圖4所示)、18V NPN和PNP雙極晶體管、60V結點(diǎn)FET晶體管、9V齊納管以及各種晶體管和低/高壓電容器。此外，還包括RAM和ROM存儲器、用于進(jìn)行修改和識別的非易失性EEPROM存儲器及中型程序存儲器。
該工藝有兩種金屬化方法可供選擇，其一是采用一個(gè)能實(shí)現密集數字CMOS(每平方微米4500柵)的第三金屬層，其二是采用3 微米厚的第三金屬層，用于將金屬對功率器件總電阻的影響降至最小，實(shí)現高電流功率布線(xiàn)。合適的器件設計確實(shí)能進(jìn)一步實(shí)現在有源器件上的布線(xiàn)，顯著(zhù)削減布線(xiàn)費用。SOI技術(shù)及金屬層下面的鈦氮化合物隔離層能夠支持溫度高達200°C的汽車(chē)應用。
飛利浦半導體正在推出的LIN I/O從動(dòng)器件UJA1023就具備了基于A(yíng)-BCD3技術(shù)的SoC性能。這是一個(gè)自主的LIN從動(dòng)系統，無(wú)需添加微控制器或軟件。它集成了一個(gè)LIN 2.0收發(fā)器、8個(gè)獨立的可配置I/O引腳以及集成的模數轉換器，并可通過(guò)LIN總線(xiàn)進(jìn)行編程。由于采用了A-BCD3技術(shù)，LIN I/O從動(dòng)裝置可直接由電源供電。
A-BCD3技術(shù)發(fā)揮關(guān)鍵作用的另一領(lǐng)域是故障安全系統基礎芯片(SBC)系列產(chǎn)品UJA106x。該系列將LIN、高速CAN及容錯CAN等各種物理層與電壓調節監視器、片上振蕩器及SPI接口集成在一起?；诿芗瘮底止δ?，狀態(tài)機可與每個(gè)故障安全SBC集成在一起，以設計出真正的故障安全系統。故障安全性能意味著(zhù)一旦電子控制單元(ECU)發(fā)生故障，故障安全SBC會(huì )將ECU置于最低功耗模式，以防止耗盡電池電量。此外，產(chǎn)生故障的ECU將不再與總線(xiàn)進(jìn)行通信，以保證總線(xiàn)和其他ECU的通信繼續進(jìn)行。
A-BCD3這種下一代SOI能將系統功能集成到一顆可靠的單片電路芯片中。
結論
飛利浦半導體的SOI技術(shù)已被證實(shí)是用于汽車(chē)車(chē)內網(wǎng)絡(luò )收發(fā)器的理想技術(shù)。高壓元器件和低泄漏電流相結合能夠實(shí)現具有卓越EMC性能的耐用設計。正是這些高壓元器件使得設計出的收發(fā)器既能用12V電池驅動(dòng)，也能在24V及42V電壓下運作。因此，模塊的設計適用于卡車(chē)和客車(chē)，而42V電壓驅動(dòng)被期望用于諸如電子控制懸架等高功耗應用。
A-BCD技術(shù)除具有卓越的模擬性能外，還具有密集數字工藝功能，能實(shí)現數字功能的高度集成。模擬和數字功能的結合為未來(lái)提供了新的可能。EUC設計的進(jìn)一步集成可以節省空間并降低系統成本。此外，收發(fā)器、電壓調節器、監視器、振蕩器及SPI接口等通用ECU功能的巧妙集成能創(chuàng )建更加可靠且故障安全的車(chē)內網(wǎng)絡(luò )。隨著(zhù)未來(lái)汽車(chē)車(chē)內網(wǎng)絡(luò )節點(diǎn)數量的不斷增加，這一功能變得日益重要。因為一個(gè)節點(diǎn)發(fā)生故障就會(huì )阻礙總線(xiàn)通信，而且停車(chē)時(shí)電池電量也會(huì )很快耗完。
諸如故障安全系統基礎芯片和LIN I/O從動(dòng)裝置等最初的集成步驟已經(jīng)完成。這當然不是最終的集成，事實(shí)上只是邁向未來(lái)的初級階段，而且這將決定車(chē)內網(wǎng)絡(luò )收發(fā)器的發(fā)展路線(xiàn)。這一路線(xiàn)圖將繼續在LIN和CAN中采用獨立的收發(fā)器。同時(shí)，故障安全系統基礎芯片和集成的LIN I/O從動(dòng)裝置等集成解決方案有待進(jìn)一步開(kāi)發(fā)。
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