采用SOI技術(shù)的CAN收發(fā)器實(shí)現EMC優(yōu)化重大突破
基于對更高安全性,例如防抱死(ABS)系統和氣囊;更佳的操作性能,例如引擎控制和自動(dòng)換檔;以及更高的舒適度(如采用自動(dòng)空調和座椅調節)需求的增長(cháng),汽車(chē)中集成了更多的電子控制器件,而且這一趨勢愈演愈烈。
在各種工業(yè)應用中,電子控制電路的復雜性也提出了日益嚴格的要求,這使得EMC這種一個(gè)電子設備的運行對另一個(gè)設備功能的影響變得至關(guān)重要。
![]() |
圖1:SOI晶圓的橫截面。 |
如今,越來(lái)越多的廠(chǎng)商通過(guò)CAN數據總線(xiàn)將電子控制設備集成到汽車(chē)及其他領(lǐng)域。該總線(xiàn)的EMC性能通常由網(wǎng)絡(luò )節點(diǎn)和傳輸媒介間接口所采用的CAN收發(fā)器IC決定?,F在,采用創(chuàng )新的“A-BCD”SOI技術(shù),飛利浦推出了EMC性能得到極大改善的CAN收發(fā)器模塊。
飛利浦引領(lǐng)SOI智能功率BCD技術(shù)潮流,目前在該領(lǐng)域已推出超過(guò)5億個(gè)產(chǎn)品,大多面向汽車(chē)應用?!癆-BCD”技術(shù)在一顆芯片上集成了雙極、CMOS和高壓DMOS晶體管,能夠實(shí)現復雜混合信號SoC設計?!癝OI”是“絕緣體上硅芯片”的縮略語(yǔ),充分表達了該半導體工藝的獨特性能:與傳統技術(shù)不同,這種工藝是在硅基板和實(shí)際有效硅層之間放一個(gè)厚度為1微米的氧化物埋層(如圖1所示),利用氧化物埋層可以完全隔離芯片上所有的元器件。
SOI保證EMC性能的優(yōu)化
隔離所有的元器件能極大地降低寄生電容。因此,與傳統工藝相比,SOI技術(shù)可以更簡(jiǎn)便地實(shí)現芯片設計。這是由于傳統工藝的寄生效應只能通過(guò)建模來(lái)預測,而且實(shí)現難度大,因而不得不采用耗時(shí)的、反復的實(shí)驗工藝。
最為重要的是,這是有史以來(lái)的第一次,采用SOI工藝,IC設計者可以同時(shí)獨立地優(yōu)化收發(fā)器的抗干擾性及輻射性能,從而開(kāi)辟了新天地。比較而言,傳統工藝的設計限制意味著(zhù)在輻射優(yōu)化和抗干擾優(yōu)化之間必需要進(jìn)行妥協(xié)。而采用SOI技術(shù),這種雙重妥協(xié)就會(huì )成為歷史。
評論