IPM驅動(dòng)和保護電路的研究 作者: 時(shí)間:2007-03-09 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對面交流海量資料庫查詢(xún) 收藏 摘要:介紹了IPM的基本工作特性和常用IPM驅動(dòng)和保護電路的設計方法,并給出了一個(gè)驅動(dòng)和保護電路的設計實(shí)例。 關(guān)鍵詞:IGBT(絕緣柵雙極性晶體管) IPM(智能功率模塊) PIC(功率集成電路) 智能功率模塊(IPM)是Intelligent Power Module的縮寫(xiě),是一種先進(jìn)的功率開(kāi)關(guān)器件,具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點(diǎn),以及MOSFET(場(chǎng)效應晶體管)高輸入阻抗、高開(kāi)關(guān)頻率和低驅動(dòng)功率的優(yōu)點(diǎn)。而且IPM內部集成了邏輯、控制、檢測和保護電路,使用起來(lái)方便,不僅減小了系統的體積以及開(kāi)發(fā)時(shí)間,也大大增強了系統的可靠性,適應了當今功率器件的發(fā)展方向——模塊化、復合化和功率集成電路(PIC),在電力電子領(lǐng)域得到了越來(lái)越廣泛的應用。本文以三菱公司PM100DSA120為例,介紹IPM的基本特性,然后著(zhù)重介紹IPM的驅動(dòng)和保護電路的設計。1 IPM的基本工作特性 1.1 IPM的結構 IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級驅動(dòng)及保護電路構成,如圖1所示。其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。 IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內部封裝七個(gè)IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統,中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。 1.2 IPM內部功能機制 IPM的功能框圖如圖2所示。IPM內置驅動(dòng)和保護電路,隔離接口電路需用戶(hù)自己設計。 IPM內置的驅動(dòng)和保護電路使系統硬件電路簡(jiǎn)單、可靠,縮短了系統開(kāi)發(fā)時(shí)間,也提高了故障下的自保護能力。與普通的IGBT模塊相比,IPM在系統性能及可靠性方面都有進(jìn)一步的提高。保護電路可以實(shí)現控制電壓欠壓保護、過(guò)熱保護、過(guò)流保護和短路保護。如果IPM模塊中有一種保護電路動(dòng)作,IGBT柵極驅動(dòng)單元就會(huì )關(guān)斷門(mén)極電流并輸出一個(gè)故障信號(FO)。各種保護功能具體如下: (1)控制電壓欠壓保護(UV):IPM使用單一的+15V供電,若供電電壓低于12.5V,且時(shí)間超過(guò)toff=10ms,發(fā)生欠壓保護,封鎖門(mén)極驅動(dòng)電路,輸出故障信號。 (2)過(guò)溫保護(OT):在靠近IGBT芯片的絕緣基板上安裝了一個(gè)溫度傳感器,當IPM溫度傳感器測出其基板的溫度超過(guò)溫度值時(shí),發(fā)生過(guò)溫保護,封鎖門(mén)極驅動(dòng)電路,輸出故障信號。 (3)過(guò)流保護(OC):若流過(guò)IGBT的電流值超過(guò)過(guò)流動(dòng)作電流,且時(shí)間超過(guò)toff,則發(fā)生過(guò)流保護,封鎖門(mén)極驅動(dòng)電路,輸出故障信號。為避免發(fā)生過(guò)大的di/dt,大多數IPM采用兩級關(guān)斷模式,過(guò)流保護和短路保護操作可參見(jiàn)圖3。其中,VG為內部門(mén)極驅動(dòng)電壓,ISC為短路電流值,IOC為過(guò)流電流值,IC為集電極電流,IFO為故障輸出電流。(4)短路保護(SC):若負載發(fā)生短路或控制系統故障導致短路,流過(guò)IGBT的電流值超過(guò)短路動(dòng)作電流,則立刻發(fā)生短路保護,封鎖門(mén)極驅動(dòng)電路,輸出故障信號。跟過(guò)流保護一樣,為避免發(fā)生過(guò)大的di/dt,大多數IPM采用兩級關(guān)斷模式。為縮短過(guò)流保護的電流檢測和故障動(dòng)作間的響應時(shí)間,IPM內部使用實(shí)時(shí)電流控制電路(RTC),使響應時(shí)間小于100ns,從而有效抑制了電流和功率峰值,提高了保護效果。 當IPM發(fā)生UV、OC、OT、SC中任一故障時(shí),其故障輸出信號持續時(shí)間tFO為1.8ms(SC持續時(shí)間會(huì )長(cháng)一些),此時(shí)間內IPM會(huì )封鎖門(mén)極驅動(dòng),關(guān)斷IPM;故障輸出信號持續時(shí)間結束后,IPM內部自動(dòng)復位,門(mén)極驅動(dòng)通道開(kāi)放。 可以看出,器件自身產(chǎn)生的故障信號是非保持性的,如果tFO結束后故障源仍舊沒(méi)有排除,IPM就會(huì )重復自動(dòng)保護的過(guò)程,反復動(dòng)作。過(guò)流、短路、過(guò)熱保護動(dòng)作都是非常惡劣的運行狀況,應避免其反復動(dòng)作,因此僅靠IPM內部保護電路還不能完全實(shí)現器件的自我保護。要使系統真正安全、可靠運行,需要輔助的外圍保護電路。 2 IPM驅動(dòng)電路的設計 驅動(dòng)電路是IPM主電路和控制電路之間的接口,良好的驅動(dòng)電路設計對裝置的運行效率、可靠性和安全性都有重要意義。2.1 IGBT的分立驅動(dòng)電路的設計 IGBT的驅動(dòng)設計問(wèn)題亦即MOSFET的驅動(dòng)設計問(wèn)題,設計時(shí)應注意以下幾點(diǎn):①IGBT柵極耐壓一般在%26;#177;20V左右,因此驅動(dòng)電路輸出端要給柵極加電壓保護,通常的做法是在柵極并聯(lián)穩壓二極管或者電阻。前者的缺陷是將增加等效輸入電容Cin,從而影響開(kāi)關(guān)速度,后者的缺陷是將減小輸入阻抗,增大驅動(dòng)電流,使用時(shí)應根據需要取舍。圖4為IGBT柵極保護原理圖,其中,RG、DZ、Cin分別為等效柵極阻抗、穩壓管和等效輸入電容。②盡管IGBT所需驅動(dòng)功率很小,但由于MOSFET存在輸入電容Cin,開(kāi)關(guān)過(guò)程中需要對電容充放電,因此驅動(dòng)電路的輸出電流應足夠大,這一點(diǎn)設計者往往忽略。假定開(kāi)通驅動(dòng)時(shí),在上升時(shí)間tr內線(xiàn)性地對MOSFET輸入電容Cin充電,則驅動(dòng)電流為Igt=CinUgs/tr,其中可?。簦颍剑?2RCin,R為輸入回路電阻。③為可靠關(guān)閉IGBT, 防止擎住現象, 要給柵極加一負偏壓,因此最好采用雙電源供電。 2.2 IGBT集成式驅動(dòng)電路 IGBT的分立式驅動(dòng)電路中分立元件多,結構復雜,保護功能比較完善的分立電路就更加復雜,可靠性和性能都比較差,因此實(shí)際應用中大多數采用集成式驅動(dòng)電路。日本富士公司的EXB系列集成電路、法國湯姆森公司的UA4002集成電路等應用都很廣泛。 2.3 IPM驅動(dòng)電路設計 現以PM100DSA120為例進(jìn)行介紹。PM100DSA120是一種D型的IPM,內部封裝了兩個(gè)IGBT,工作在1200V/100A以下,功率器件的開(kāi)關(guān)頻率最大為20kHz。由于IPM內置了驅動(dòng)電路,與IGBT驅動(dòng)電路設計相比,外圍驅動(dòng)電路的設計比較方便,只要能提供15V直流電壓即可。 但是IPM對驅動(dòng)電路輸出電壓的要求很?chē)栏?熏具體為:①驅動(dòng)電壓范圍為15V%26;#177;10%?熏電壓低于13.5V將發(fā)生欠壓保護,電壓高于16.5V將可能損壞內部部件。②驅動(dòng)電壓相互隔離,以避免地線(xiàn)噪聲干擾。③驅動(dòng)電源絕緣電壓至少是IPM極間反向耐壓值的兩倍(2Vces)。④驅動(dòng)電流可以參閱器件給出的20kHz驅動(dòng)電流要求,根據實(shí)際的開(kāi)關(guān)頻率加以修正。⑤驅動(dòng)電路輸出端濾波電容不能太大,這是因為當寄生電容超過(guò)100pF時(shí),噪聲干擾將可能誤觸發(fā)內部驅動(dòng)電路。 這里介紹一種可獲得高質(zhì)量15V電源的方案。該方案驅動(dòng)電路不僅結構緊湊、簡(jiǎn)單,而且抗干擾能力強,典型電路如圖5所示。圖5 IPM驅動(dòng)電路和外圍隔離電路圖中各器件的類(lèi)型和參數已經(jīng)標出,其中,M57140-01和M57120L是三菱公司為其IPM系列產(chǎn)品專(zhuān)門(mén)配置的電壓變換模塊。在M57120L的輸入端加一路113V~400V的直流電壓可以在輸出端得到一路20V的直流電壓,在M57140-01的輸入端加一路18V~22V的直流電壓,輸出端可以得到4路相互隔離的15V電壓,方便地為IPM供電;HCPL4504和PC817是高速光耦,起到電氣隔離IPM與外部電路的作用,IPM的控制信號Cin和故障輸出信號FO通過(guò)光耦傳輸。 在應用要求不高的場(chǎng)合也可以用常用的整流電路得到的20V直流電壓取代M57120作為M57140-01的輸入端,也可以采用整流電路直接得到的15V直流電壓為PM100DSA120供電,但效果不如圖5所示的方案,實(shí)踐應用中證明了這一點(diǎn)。 3 IPM保護電路的設計 完善的系統保護不能只依靠IPM的內部保護機制,需要輔助外圍的保護電路,這可以通過(guò)硬件的方式實(shí)現,也可以通過(guò)軟件的方式實(shí)現。 3.1 IPM保護電路的硬件實(shí)現 實(shí)現方式很多,列舉兩個(gè)例子說(shuō)明。 方案一 PWM接口電路前置74HC245、74HC244等帶控制端的三態(tài)收發(fā)器,如圖6所示。IPM的控制信號經(jīng)過(guò)74HC245的輸入、74HC245的輸出后送至IPM接口電路;各個(gè)IPM的故障輸出信號經(jīng)光耦隔離輸出后得到高電平FO,送入或門(mén),或門(mén)輸出經(jīng)過(guò)R-C低通濾波器后,送入74HC245的使能端OE。IPM正常工作時(shí),或門(mén)輸出為低電平,74HC245選通;IPM故障報警時(shí),或門(mén)輸出為高電平,74HC245所有輸出置為高阻,封鎖各個(gè)IPM的控制信號,關(guān)斷IPM,實(shí)現了保護功能。方案二 PWM接口電路前置一級帶控制端的光耦,如6N137。方案二的原理與方案一類(lèi)似,只是由于高電平使能控光耦合6N137,或門(mén)換成了或非門(mén),其輸出經(jīng)過(guò)R-C低通濾波器后,送入了可控光耦合6N137的光耦使能端VE,但同樣在IPM故障報警時(shí)封鎖IPM的控制信號通道,實(shí)現了保護功能。 需要注意的是,為縮短故障響應時(shí)間,R-C低通濾波器時(shí)間常數應該小。兩級光耦延長(cháng)了響應時(shí)間,應選用高速光耦。 以上兩種方案都是利用IPM故障輸出信號封鎖IPM的控制信號通道,因而彌補了IPM自身保護的不足,有效地保護了器件。 3.2 IPM保護電路的軟件實(shí)現 軟件的基本思路是:IPM故障報警時(shí),故障輸出信號送到控制器處理,處理器確認后,利用軟件關(guān)斷IPM的控制信號,從而達到保護目的。 綜上所述,軟件保護不需增加硬件,簡(jiǎn)便易行,但可能受到軟件設計和計算機故障的影響;硬件保護則反應迅速,工作可靠。實(shí)踐應用中軟件與硬件結合的保護方式能更好地提高系統的可靠性。4 IPM的驅動(dòng)和保護電路的設計實(shí)例 筆者在DSP控制開(kāi)關(guān)磁阻電機的項目中,選用IPM作為功率變換器的主開(kāi)關(guān)器件,控制器采用了德州公司的TMS320F240 數字信號處理器,功率驅動(dòng)電路的輸入(即IPM的控制信號)由TMS320F240內含的全比較單元相對應的PWM1~PWM4產(chǎn)生。 TMS320F240的事件管理器模塊包含一個(gè)功率驅動(dòng)保護引腳(PDPINT),當該引腳被拉低時(shí),所有的事件管理器輸出引腳均被硬件設置為高阻態(tài),因此PDPINT可用來(lái)為監控程序提供電機驅動(dòng)的異常情況,并實(shí)現故障保護。 驅動(dòng)電路的設計如圖4所示。保護電路選用軟件保護,四個(gè)功率器件IPM的故障信號經(jīng)過(guò)光耦隔離,送至或非門(mén)CD4078,其輸出經(jīng)過(guò)低通阻容濾波器連接到DSP的PDPINT引腳。當IPM故障報警時(shí),PDPINT引腳被拉為低電平,DSP內部定時(shí)器立即停止工作,所有PWM輸出呈高阻態(tài),封鎖IPM控制信號;同時(shí)產(chǎn)生中斷信號,通知DSP有故障情況發(fā)生,在中斷服務(wù)程序中判斷發(fā)生何種故障,并顯示故障代碼。 圖7為負載電流為8A、SRM額定轉速運行時(shí)IPM的15V驅動(dòng)電壓波形。 實(shí)際運行效果顯示,IPM供電電源穩定,IPM運行良好,保護電路可以可靠地保護功率器件。 IPM正常工作對電源的要求相當高,文中介紹的驅動(dòng)電路可以很好地滿(mǎn)足IPM的工作要求;IPM自身的保護電路不具有保持性,完善的系統保護必須輔助外圍保護電路;利用IPM自身的故障輸出信號封鎖IPM的控制信號輸入可以方便、有效地保護器件。
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