開(kāi)關(guān)電源EMC產(chǎn)生機理及其對策

EMC = EMI + EMS EMI : 電磁干擾EMS : 電磁相容性 (免疫力)

EMI可分為傳導Conduction及輻射Radiation兩部分，Conduction規范一般可分為: FCC Part 15J Class B；CISPR 22(EN55022, EN61000-3-2, EN61000-3-3) Class B；國標IT類(lèi)（GB9254，GB17625）和AV類(lèi)（GB13837，GB17625）。FCC測試頻率在450K-30MHz，CISPR 22測試頻率在150K--30MHz，Conduction可以用頻譜分析儀測試，Radiation則必須到專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗室測試。

EN55022為Radiation Test Conduction Test (傳導 輻射測試)； EN61000-3-2為Harmonic Test (電源諧波測試) ；EN61000-3-3為Flicker Test (電壓變動(dòng)測試)。

CISPR22(Comite Special des Purturbations Radioelectrique)應用于信息技術(shù)類(lèi)裝置, 適用于歐洲和亞洲地區；EN55022為歐洲標準，FCC Part 15 (Federal Communications Commission) 適用于美國，EN30220歐洲EMI測試標準，功率輻射測試標準是EN55013頻率在30MHZ-300MHz。

EN55011輻射測試標準是：有的頻率段要求較高，有的頻率段要求較低。傳導 (150KHZ-30MHZ) LISN主要是差模電流, 其共模阻抗為100歐姆(50 + 50); LISN主要是共模電流, 其總的電路阻抗為25歐姆(50 // 50)。

4線(xiàn) AV 60dB/uV 150KHZ-2MHZ start 9KHZ

5線(xiàn) PEAK 100dB/uV 150KHZ-3MHZ

6線(xiàn) PEAK 100dB/uV 2MHZ-30MHZ

7線(xiàn) QP 70dB/uV 150KHZ-500KHZ

Radiated (30MHZ-1GHZ): ADD 4N7/250V Y CAP 90dB/uV 30MHZ-300MHZ

EMI為電磁干擾，EMI是EMC其中的一部分，EMI(Electronic Magnetic Interference) 電磁干擾， EMI包括傳導、輻射、電流諧波、電壓閃爍等等。電磁干擾是由干擾源、藕合通道和接收器三部分構成的，通常稱(chēng)作干擾的三要素。 EMI線(xiàn)性正比于電流，電流回路面積以及頻率的平方即：EMI = K*I*S*F2。I是電流，S是回路面積，F是頻率，K是與電路板材料和其他因素有關(guān)的一個(gè)常數。

EMI是指產(chǎn)品的對外電磁干擾。一般情況下分為 Class A Class B 兩個(gè)等級。 Class A為工業(yè)等級，Class B 為民用等級 。民用的要比工業(yè)的嚴格，因為工業(yè)用的允許輻射稍微大一點(diǎn)。同樣產(chǎn)品在測試EMI中的輻射測試來(lái)講，在30-230MHz下，B類(lèi)要求產(chǎn)品的輻射限值不能超過(guò)40dBm 而A類(lèi)要求不能超過(guò)50dBm(以三米法電波暗室測量為例）相對要寬松的多，一般來(lái)說(shuō)CLASS A是指在EMI測試條件下，無(wú)需操作人員介入，設備能按預期持續正常工作，不允許出現低于規定的性能等級的性能降低或功能損失。

EMI是設備正常工作時(shí)測它的輻射和傳導。在測試的時(shí)候，EMI的輻射和傳導在接收機上有兩個(gè)上限，分別代表Class A和Class B，如果觀(guān)察的波形超過(guò)B的線(xiàn)但是低于A(yíng)的線(xiàn)，那么產(chǎn)品就是A類(lèi)的。EMS是用測試設備對產(chǎn)品干擾，觀(guān)察產(chǎn)品在干擾下能否正常工作，如果正常工作或不出現超過(guò)標準規定的性能下降，為A級。能自動(dòng)重啟且重啟后不出現超過(guò)標準規定的性能下降，為B級。不能自動(dòng)重啟需人為重啟為C級，掛掉為D級。國標有D級的規定，EN只有A，B，C。EMI在工作頻率的奇數倍是最不好過(guò)的。

EMS(Electmmagnetic Suseeptibilkr) 電磁敏感度一般俗稱(chēng)為 “電磁免疫力”, 是設備抗外界騷擾干擾之能力，EMI是設備對外的騷擾。

EMS中的等級是指：Class A，測試完成后設備仍在正常工作；Class B，測試完成或測試中需要重啟后可以正常工作；Class C，需要人為調整后可以正常重啟并正常工作；Class D，設備已損壞，無(wú)論怎樣調整也無(wú)法啟動(dòng)。嚴格程度EMI是B>A，EMS是A>B>C>D。

電磁兼容三要素：任何電磁兼容性問(wèn)題都包含三個(gè)要素，即干擾源、敏感源和耦合路徑，這三個(gè)要素中缺少一個(gè)，電磁兼容問(wèn)題就不會(huì )存在。

產(chǎn)生電磁干擾的條件: 突然變化的電壓或電流，即dV/dt或dI/dt很大；輻射天線(xiàn)或傳導導體。

電磁兼容標準對設備的要求有兩個(gè)方面：一個(gè)是工作時(shí)不會(huì )對外界產(chǎn)生不良的電磁干擾影響，另一個(gè)是不能對外界的電磁干擾過(guò)度敏感。前一個(gè)方面的要求稱(chēng)為干擾發(fā)射要求，后一個(gè)方面的要求稱(chēng)為敏感度要求。

電磁能量從設備內傳出或從外界傳入設備的途徑只有兩個(gè)，一個(gè)是以電磁波的形式從空間傳播，另一個(gè)是以電流的形式沿導線(xiàn)傳播。因此，電磁干擾發(fā)射可以分為：傳導發(fā)射和輻射發(fā)射；敏感度也可以分為傳導敏感度和輻射敏感度。

電磁兼容標準分為基礎標準、通用標準、產(chǎn)品類(lèi)標準和專(zhuān)用產(chǎn)品標準。

基礎標準：描述了EMC現象、規定了EMC測試方法、設備，定義了等級和性能判據?；A標準不涉及具體產(chǎn)品。

產(chǎn)品類(lèi)標準：針對某種產(chǎn)品系列的EMC測試標準。往往引用基礎標準，但根據產(chǎn)品的特殊性提出更詳細的規定。

通用標準：按照設備使用環(huán)境劃分的，當產(chǎn)品沒(méi)有特定的產(chǎn)品類(lèi)標準可以遵循時(shí)，使用通用標準來(lái)進(jìn)行EMC測試。對使設備的功能完全正常，也要滿(mǎn)足這些標準的要求。

關(guān)于制訂電磁兼容標準的組織和標準的介紹：

IEC（國際電工委員會(huì )）：有兩個(gè)平行的組織制訂EMC標準，CISPR和TC77。

CISPR（國際無(wú)線(xiàn)電干擾特別委員會(huì )）：1934年成立。目前有七個(gè)分會(huì )：A分會(huì )（無(wú)線(xiàn)電干擾測量方法與統計方法）、B分會(huì )（工、科、醫療射頻設備的無(wú)線(xiàn)電干擾）、C分會(huì )（電力線(xiàn)、高壓設備和電牽引系統的無(wú)線(xiàn)電干擾）、D分會(huì )（機動(dòng)車(chē)和內燃機的無(wú)線(xiàn)電干擾）、E分會(huì )（無(wú)線(xiàn)接收設備干擾特性）、F分會(huì )（家電、電動(dòng)工具、照明設備及類(lèi)似電器的無(wú)線(xiàn)電干擾）、G分會(huì )（信息設備的無(wú)線(xiàn)電干擾）。

TC77（第77技術(shù)委員會(huì )）：1981年成立。目前有3個(gè)分會(huì )：SC77A（低頻現象）、 SC77B（高頻現象）、 SC77C（對高空核電磁脈沖的抗擾性）。

CENELEC（歐洲電工標準化委員會(huì )）：由歐共體委員會(huì )授權制訂歐洲標準。EN標準中引用了很多CISPR和IEC標準，其對應關(guān)系如下：

EN55××× = CISPR標準， （例： EN55011 = CISPR Pub.11）

EN6×××× = IEC標準， （例： EN61000-4-3 = IEC61000-4-3 Pub.11）

EN50××× = CENELEC自定標準， （例： EN50801 ）

FCC（聯(lián)邦通信委員會(huì )）全名為Federal Communications Commission：是管理電腦, 周邊及通信產(chǎn)品等銷(xiāo)售美國之審核授權機抅, 主要制訂民用產(chǎn)品標準，關(guān)于電磁兼容的標準主要包括在FCC Part15和FCC Part 18中。

FCC Part 15 subpart B規定: 凡利用數位技術(shù)之電子裝置或系統, 及使用或產(chǎn)生脈波頻率超過(guò)10KHz之器材,皆須依規定進(jìn)行測試認證后, 才可以在美國市場(chǎng)銷(xiāo)售。

MIL-STD（美軍標）：典型的是MIL-STD –461D。這個(gè)標準不僅規定了最大輻射發(fā)射和傳導發(fā)射的限制，還規定了系統對輻射和傳導干擾的敏感度要求。配套標準ＭＩＬ－ＳＴＤ－４６２規定了必要的測試裝置。商業(yè)公司經(jīng)常將ＭＩＬ－ＳＴＤ－４６１中的某些部分作為產(chǎn)品內部ＥＭＣ規范。

VCCI（干擾自愿控制委員會(huì )）：民間機構，其標準與CISPR和IEC一致。

GB（中國國家標準）：基本采用CISPR和IEC標準，目前已發(fā)布57個(gè)。

GJB（中國軍用標準）：基本采用美軍標，例如GJB151A = MIL-STD –461D。

軍用設備

為軍用設計的電子系統必須滿(mǎn)足ＭＩＬ－ＳＴＤ－４６１Ｄ的要求， 另一個(gè)關(guān)于ＥＭＩ的軍用標準是保密的ＴＥＭＰＥＳＴ計劃，這是用來(lái)保證保密通信系統安全的?，F在可以接收并復現出大多數電子設備政黨工作時(shí)所發(fā)射的功率很低的射頻信號。象對電子竊聽(tīng)很脆弱的ＣＲＴ終端那樣的軍用產(chǎn)品就屬于ＴＥＭＰＥＳＴ的范疇。在實(shí)踐中，ＴＥＭＰＥＳＴ控制設備和系統的發(fā)射，使無(wú)法解譯攜帶信息的信號。

由于關(guān)于ＥＭＣ的法規和標準十分復雜，關(guān)于信息技術(shù)設備的相關(guān)標準總結在表１.９中。一些標準的頻率范圍在圖１－３中標明。

CE標示: 源自歐共體各會(huì )員國(European Community)縮寫(xiě)的總稱(chēng), 並以此為標志。規范產(chǎn)品是否符合歐體為保障民眾安全健康以及環(huán)境保護等利益所訂定之基本安全要求。

CE = EMC + LVD EMC : 電磁干擾及電磁相容性 LVD : 低電壓指令

測量場(chǎng)地：GB要求在開(kāi)闊場(chǎng)地中測量，GJB要求在屏蔽半無(wú)反射室中測量，由于電磁環(huán)境日趨惡化，開(kāi)闊場(chǎng)中的背景干擾往往嚴重影響測量，因此，GB測量也開(kāi)始在屏蔽半無(wú)反射室中做，但要求半無(wú)反射室中的電磁場(chǎng)分布與開(kāi)闊場(chǎng)近似。

天線(xiàn)到EUT（受試設備）的距離：GB要求為3米、10米或30米，GJB要求為1米；

測量?jì)热荩篏B僅測量電場(chǎng)輻射發(fā)射，GJB對電場(chǎng)輻射和磁場(chǎng)輻射都要測量；

測量頻率范圍：GB規定的測量范圍為30MHz ~ 1GHz，隨著(zhù)時(shí)鐘頻率的升高，有擴展到18GHz的趨勢，GJB規定的測量頻率范圍為10kHz ~ 18GHz。

EUT的布置：GB和GJB都要求EUT按照實(shí)際工作狀態(tài)布置（互聯(lián)電纜和所連接的外部設備全部按實(shí)際狀態(tài)連接），GB要求EUT放置在木制測試臺上，GJB要求EUT放置在金屬板上。距離地面的距離為0.8米；

檢波方式：干擾測量?jì)x的讀數與檢波方式有關(guān)，因此標準中都明確規定檢波方式，GB要求準峰值檢波，GJB要求峰值檢波；

最大輻射點(diǎn)：與處理電磁兼容問(wèn)題的原則相同，僅關(guān)心最壞情況。因此，以EUT的最大輻射值為測量結果。最大輻射值的含義有4個(gè)，第一：EUT的工作狀態(tài)處于最大輻射狀態(tài)，第二：EUT最大輻射面對著(zhù)天線(xiàn)，第三：天線(xiàn)的極化方向為接收最大場(chǎng)強的方向，第四：天線(xiàn)的高度為接收最大場(chǎng)強的位置。GJB中，沒(méi)有第四點(diǎn)的要求，即，天線(xiàn)的高度是固定的。

測量設備：

騷擾測量設備：用來(lái)定量計量騷擾強度的設備，可以是EMI測量接收機，也可以是頻譜分析儀，頻率范圍要覆蓋150KHz~30MHz，具有峰值、準峰值和平均值檢波功能。

線(xiàn)路阻抗穩定網(wǎng)絡(luò )（LISN）：由于電源端子傳導發(fā)射的強度與電網(wǎng)的阻抗有關(guān)，因此為了使測量具有唯一性，必須在特定的阻抗條件下測量，LISN就提供了這樣一個(gè)環(huán)境，GB9254標準中使用的LISN為50Ω/50μH。

接地平板：受試設備要放置在接地金屬板上進(jìn)行試驗，該金屬板比被測設備邊框大0.5米，最小尺寸為2m×2m。

電快速脈沖試驗模擬電網(wǎng)中的感性負載斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的干擾。這種干擾不僅會(huì )出現在電源線(xiàn)上，而且會(huì )耦合到信號線(xiàn)上。因此，這個(gè)試驗要對電源線(xiàn)和信號線(xiàn)做。設備能夠通過(guò)浪涌試驗，并不意味著(zhù)也能通過(guò)電快速脈沖試驗。一方面是因為后者的頻率成份遠高于前者，具備不同的干擾機理，令一方面是因為電快速脈沖試驗中施加的干擾是重復性，這對電路具有一種積分效應，是電路中的積分型抗干擾電路實(shí)效。

頻譜分析儀能夠快速地在較寬的頻率范圍內掃描，因此是診斷電磁干擾發(fā)射的方便工具。使用頻譜分析儀時(shí)需要注意的問(wèn)題：頻譜分析儀不能觀(guān)測瞬間干擾，如靜電放電、雷電等；頻譜分析儀的掃描時(shí)間不能設置得太短，即不能使掃描速度太快；從頻譜分析儀屏幕上讀取頻率與幅度數據時(shí)，其精度與頻譜儀的掃描范圍有關(guān)，范圍越窄，精度越高；當輸入信號過(guò)大時(shí)，頻譜分析儀會(huì )發(fā)生過(guò)載，使讀取的幅度數據比實(shí)際的小，用輸入衰減器可以避免過(guò)載；減小頻譜儀的中頻帶寬可以提高儀器的靈敏度（和選擇性），但掃描時(shí)間會(huì )更長(cháng)；寬帶信號的幅度會(huì )隨著(zhù)中頻分辨帶寬的增加而增加。

電磁干擾(EMI)接收機是另一種測量電磁干擾的設備，許多人在選購儀器時(shí)搞不懂接收機與頻譜儀之間的區別，下面做一簡(jiǎn)單比較：

所有的接收機都標準配置預選器（頻譜儀需要選配），能夠有效地抑制帶外噪聲；所有的接收機用基頻混頻方式（頻譜儀使用基頻和諧頻混頻），具有較高的靈敏度；接收機的中頻濾波器為矩形（頻譜儀的中頻濾波器為高斯形），具有更好的選擇性；接收機適合于正式測量，不適合于診斷。

EMC試驗室有華測（CTI）、SGS、信測、信華、華通威、冠準、莫特、廣州ETL、廣州五所、東莞經(jīng)續、東莞沃特、厚街北南、長(cháng)安世鴻、長(cháng)安碩信(ATT)、大朗信寶、塘夏歐標、摩爾實(shí)驗室、經(jīng)續檢驗技術(shù)有限公司等。像美國的FCC只測EMI中的輻射和傳導，不測EMS。有些國家EMI和EMS是分開(kāi)測的，有些國家是一起像CCC認證CE認證?，F在很多電器類(lèi)產(chǎn)品做CE還要加測電磁波騷擾EMF，標準是EN-50336。電源EMI技術(shù)就算能達到標準，有的產(chǎn)品要求要達一定的濕度測試。在深圳濕試控制都比較難做。深圳幾家大實(shí)驗室，都比較難，空間問(wèn)題。EMI不只包括傳導，輻射，電流諧波與電壓閃爍也是EMI的部分。諧波和閃爍是設備對外的，而不是外界對設備的，所以是EMI，不是EMS。

開(kāi)關(guān)電源電磁干擾的產(chǎn)生機理及其傳播途徑

功率開(kāi)關(guān)器件的高額開(kāi)關(guān)動(dòng)作是導致開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生電磁干擾(EMI)的主要原因。開(kāi)關(guān)頻率的提高一方面減小了電源的體積和重量，另一方面也導致了更為嚴重的EMI問(wèn)題。開(kāi)關(guān)電源工作時(shí)，其內部的電壓和電流波形都是在非常短的時(shí)間內上升和下降的，因此，開(kāi)關(guān)電源本身是一個(gè)噪聲發(fā)生源。開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生的干擾，按噪聲干擾源種類(lèi)來(lái)分,可分為尖峰干擾和諧波干擾兩種;若按耦合通路來(lái)分,可分為傳導干擾和輻射干擾兩種。使電源產(chǎn)生的干擾不至于對電子系統和電網(wǎng)造成危害的根本辦法是削弱噪聲發(fā)生源，或者切斷電源噪聲和電子系統、電網(wǎng)之間的耦合途徑?，F在按噪聲干擾源來(lái)分別說(shuō)明：

1、二極管的反向恢復時(shí)間引起的干擾

交流輸入電壓經(jīng)功率二極管整流橋變?yōu)檎颐}動(dòng)電壓，經(jīng)電容平滑后變?yōu)橹绷?，但電容電流的波形不是正弦波而是脈沖波。由電流波形可知，電流中含有高次諧波。大量電流諧波分量流入電網(wǎng)，造成對電網(wǎng)的諧波污染。另外，由于電流是脈沖波，使電源輸入功率因數降低。

高頻整流回路中的整流二極管正向導通時(shí)有較大的正向電流流過(guò)，在其受反偏電壓而轉向截止時(shí)，由于PN結中有較多的載流子積累，因而在載流子消失之前的一段時(shí)間里，電流會(huì )反向流動(dòng)，致使載流子消失的反向恢復電流急劇減少而發(fā)生很大的電流變化(di/dt)。

2、開(kāi)關(guān)管工作時(shí)產(chǎn)生的諧波干擾

功率開(kāi)關(guān)管在導通時(shí)流過(guò)較大的脈沖電流。例如正激型、推挽型和橋式變換器的輸入電流波形在 阻性負載時(shí)近似為矩形波,其中含有豐富的高次諧波分量。當采用零電流、零電壓開(kāi)關(guān)時(shí),這種諧 波干擾將會(huì )很小。另外,功率開(kāi)關(guān)管在截止期間,高頻變壓器繞組漏感引起的電流突變,也會(huì )產(chǎn)生 尖峰干擾。

3、交流輸入回路產(chǎn)生的干擾

無(wú)工頻變壓器的開(kāi)關(guān)電源輸入端整流管在反向恢復期間會(huì )引起高頻衰減振蕩產(chǎn)生干擾。開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生的尖峰干擾和諧波干擾能量，通過(guò)開(kāi)關(guān)電源的輸入輸出線(xiàn)傳播出去而形成的干擾稱(chēng)之為傳導干擾；而諧波和寄生振蕩的能量，通過(guò)輸入輸出線(xiàn)傳播時(shí)，都會(huì )在空間產(chǎn)生電場(chǎng)和磁場(chǎng)。這種通過(guò)電磁輻射產(chǎn)生的干擾稱(chēng)為輻射干擾。

4、其他原因

元器件的寄生參數，開(kāi)關(guān)電源的原理圖設計不夠完美，印刷線(xiàn)路板（PCB）走線(xiàn)通常采用手工布 置，具有很大的隨意性，PCB的近場(chǎng)干擾大，并且印刷板上器件的安裝、放置，以及方位的不合理都會(huì )造成EMI干擾。這增加了PCB分布參數的提取和近場(chǎng)干擾估計的難度。

Flyback 架構noise 在頻譜上的反應

0.15 MHz處產(chǎn)生的振蕩是開(kāi)關(guān)頻率的3次諧波引起的干擾。

0.2 MHz處產(chǎn)生的振蕩是開(kāi)關(guān)頻率的4次諧波和Mosfet 振蕩2（190.5KHz）基波的迭加，引起的干擾;所以這部分較強。

0.25 MHz處產(chǎn)生的振蕩是開(kāi)關(guān)頻率的5次諧波引起的干擾;

0.35 MHz處產(chǎn)生的振蕩是開(kāi)關(guān)頻率的7次諧波引起的干擾;

0.39 MHz處產(chǎn)生的振蕩是開(kāi)關(guān)頻率的8次諧波和Mosfet 振蕩2（190.5KHz）基波的迭加引起的干擾;

1.31MHz處產(chǎn)生的振蕩是Diode 振蕩1（1.31MHz）的基波引起的干擾;

3.3 MHz處產(chǎn)生的振蕩是Mosfet 振蕩1（3.3MHz）的基波引起的干擾;

開(kāi)關(guān)管、整流二極管的振蕩會(huì )產(chǎn)生較強的干擾

設計開(kāi)關(guān)電源時(shí)防止EMI的措施:

1.把噪音電路節點(diǎn)的PCB銅箔面積最大限度地減小;如開(kāi)關(guān)管的漏極、集電極，初次級繞組的節點(diǎn)，等。

2.使輸入和輸出端遠離噪音元件，如變壓器線(xiàn)包，變壓器磁芯，開(kāi)關(guān)管的散熱片，等等。

3. 使噪音元件（如未遮蔽的變壓器線(xiàn)包，未遮蔽的變壓器磁芯，和開(kāi)關(guān)管，等等）遠離外殼邊緣，因為在正常操作下外殼邊緣很可能靠近外面的接地線(xiàn)。

4. 如果變壓器沒(méi)有使用電場(chǎng)屏蔽，要保持屏蔽體和散熱片遠離變壓器。

5. 盡量減小以下電流環(huán)的面積：次級（輸出）整流器，初級開(kāi)關(guān)功率器件，柵極（基極）驅動(dòng)線(xiàn)路，輔助整流器。

6.不要將門(mén)極（基極）的驅動(dòng)返饋環(huán)路和初級開(kāi)關(guān)電路或輔助整流電路混在一起。

7.調整優(yōu)化阻尼電阻值，使它在開(kāi)關(guān)的死區時(shí)間里不產(chǎn)生振鈴響聲。

8. 防止EMI濾波電感飽和。

9.使拐彎節點(diǎn)和 次級電路的元件遠離初級電路的屏蔽體或者開(kāi)關(guān)管的散熱片。

10.保持初級電路的擺動(dòng)的節點(diǎn)和元件本體遠離屏蔽或者散熱片。

11.使高頻輸入的EMI濾波器靠近輸入電纜或者連接器端。

12.保持高頻輸出的EMI濾波器靠近輸出電線(xiàn)端子。

13. 使EMI濾波器對面的PCB板的銅箔和元件本體之間保持一定距離。

14.在輔助線(xiàn)圈的整流器的線(xiàn)路上放一些電阻。

15.在磁棒線(xiàn)圈上并聯(lián)阻尼電阻。

16.在輸出RF濾波器兩端并聯(lián)阻尼電阻。

17.在PCB設計時(shí)允許放1nF/ 500 V陶瓷電容器或者還可以是一串電阻，跨接在變壓器的初級的靜端和輔助繞組之間。

18.保持EMI濾波器遠離功率變壓器;尤其是避免定位在繞包的端部。

19.在PCB面積足夠的情況下, 可在PCB上留下放屏蔽繞組用的腳位和放RC阻尼器的位置，RC阻尼器可跨接在屏蔽繞組兩端。

20.空間允許的話(huà)在開(kāi)關(guān)功率場(chǎng)效應管的漏極和門(mén)極之間放一個(gè)小徑向引線(xiàn)電容器（米勒電容， 10皮法/ 1千伏電容）。

21.空間允許的話(huà)放一個(gè)小的RC阻尼器在直流輸出端。

22. 不要把AC插座與初級開(kāi)關(guān)管的散熱片靠在一起。

開(kāi)關(guān)電源EMI的特點(diǎn)

作為工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)的能量轉換裝置，開(kāi)關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強度較大；干擾源主要集中在功率開(kāi)關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對于數字電路干擾源的位置較為清楚；開(kāi)關(guān)頻率不高（從幾十千赫和數兆赫茲），主要的干擾形式是傳導干擾和近場(chǎng)干擾；而印刷線(xiàn)路板 (PCB)走線(xiàn)通常采用手工布線(xiàn)，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布參數的提取和近場(chǎng)干擾估計的難度。

1MHZ以?xún)?---以差模干擾為主,增大X電容就可解決

1MHZ---5MHZ---差模共?；旌?采用輸入端并一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標并解決;

5M---以上以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法.對于外殼接地的,在地線(xiàn)上用一個(gè)磁環(huán)繞2圈會(huì )對10MHZ以上干擾有較大的衰減(diudiu2006);對于25--30MHZ不過(guò)可以采用加大對地Y電容、在變壓器外面包銅皮、改變PCB LAYOUT、輸出線(xiàn)前面接一個(gè)雙線(xiàn)并繞的小磁環(huán),最少繞10圈、在輸出整流管兩端并RC濾波器.

30---50MHZ 普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起,可以用增大MOS驅動(dòng)電阻,RCD緩沖電路采用1N4007慢管,VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決.

100---200MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復電流引起,可以在整流管上串磁珠

100MHz-200MHz之間大部分出于PFC MOSFET及PFC 二極管,現在MOSFET及PFC二極管串磁珠有效果,水平方向基本可以解決問(wèn)題,但垂直方向就很無(wú)奈了

開(kāi)關(guān)電源的輻射一般只會(huì )影響到100M 以下的頻段.也可以在MOS,二極管上加相應吸收回路,但效率會(huì )有所降低。

1MHZ 以?xún)?---以差模干擾為主

1.增大X 電容量；

2.添加差模電感；

3.小功率電源可采用PI 型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。

1MHZ---5MHZ---差模共?；旌?，

采用輸入端并聯(lián)一系列X 電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標并以解決，

1.對于差模干擾超標可調整X 電容量,添加差模電感器，調差模電感量;

2.對于共模干擾超標可添加共模電感,選用合理的電感量來(lái)抑制；

3.也可改變整流二極管特性來(lái)處理一對快速二極管如FR107 一對普通整流二極管1N4007。

5M---以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。

對于外殼接地的，在地線(xiàn)上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3 圈會(huì )對10MHZ 以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環(huán).處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。

對于20--30MHZ，

1.對于一類(lèi)產(chǎn)品可以采用調整對地Y2 電容量或改變Y2 電容位置；

2.調整一二次側間的Y1 電容位置及參數值；

3.在變壓器外面包銅箔；變壓器最里層加屏蔽層；調整變壓器的各繞組的排布。

4.改變PCB LAYOUT；

5.輸出線(xiàn)前面接一個(gè)雙線(xiàn)并繞的小共模電感；

6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC 濾波器且調整合理的參數；

7.在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE；

8.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。

9. 可以用增大MOS 驅動(dòng)電阻.

30---50MHZ 普遍是MOS 管高速開(kāi)通關(guān)斷引起，

1.可以用增大MOS 驅動(dòng)電阻；

2.RCD 緩沖電路采用1N4007 慢管；

3.VCC 供電電壓用1N4007 慢管來(lái)解決；

4.或者輸出線(xiàn)前端串接一個(gè)雙線(xiàn)并繞的小共模電感；

5.在MOSFET 的D-S 腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路；

6.在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE；

7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容；

8.PCB 心LAYOUT 時(shí)大電解電容，變壓器，MOS 構成的電路環(huán)盡可能的??；

9.變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構成的電路環(huán)盡可能的小。

50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復電流引起，

1.可以在整流管上串磁珠；

2.調整輸出整流管的吸收電路參數；

3.可改變一二次側跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當的電阻；

4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點(diǎn)）。

5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.

200MHZ 以上 開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過(guò)EMI 標準。