高頻開(kāi)關(guān)的集成電路直接驅動(dòng)
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時(shí)間：2012-09-27
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
?。?）應用條件。驅動(dòng)芯片的浮地端可以與MOSFET源端同電位相連，驅動(dòng)芯片PWM功率輸出級能拉、灌電流500 mA，一般可以直接驅動(dòng)數十安的MOSFET和IGBT。
?。?）電路，其電路如圖1所示，其中V3為被驅動(dòng)的MOSFET，V1提供“拉”電流，V2提供“灌”電流。R1（5～10Ω）用米限制峰值電流，以減小尖峰干擾。R2為靜態(tài)放電電阻（1≈100 kΩ），電路不通電時(shí)，保證CGS處在無(wú)電壓狀態(tài)，以防止V3長(cháng)期處于導通狀態(tài)，并使柵－源之間處在低電阻狀態(tài)，不易受到外界的干擾，或使柵一源擊穿。
圖1直接驅動(dòng)電路
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