高性能柵極驅動(dòng)器提高HEV和EV應用的效率和可靠性

汽車(chē)向電氣化方向發(fā)展，需要具有更高效率、更大驅動(dòng)電流和更強抗噪能力和符合汽車(chē)標準要求的逆變器。尤其是在混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)和電動(dòng)汽車(chē)(EV)領(lǐng)域，逆變器在運動(dòng)控制、電池管理(充電和控制)以及DC/DC轉換器得到廣泛應用。

飛兆半導體公司(Fairchild)技術(shù)行銷(xiāo)副經(jīng)理張瑞斌告訴記者，2010年EV逆變器動(dòng)力傳動(dòng)系統就比2004年EV逆變器縮小20%，同時(shí)還提高功率密度和抗噪能力。為了幫助設計人員應對這些挑戰，飛兆半導體最近開(kāi)發(fā)出大電流高側柵極驅動(dòng)器IC產(chǎn)品FAN7171和大電流高側與低側柵極驅動(dòng)器IC產(chǎn)品FAN7190。

張瑞斌說(shuō)，FAN7171和FAN7190是飛兆半導體汽車(chē)高壓IC(HVIC)柵極驅動(dòng)器系列的成員，適合電動(dòng)與混合動(dòng)力DC/DC電源和功率逆變器、柴油和汽油噴射器及閥門(mén)，以及MOSFET和IGBT高側驅動(dòng)器應用，在嚴苛的汽車(chē)應用中能提供更高效率、更大驅動(dòng)電流和更高穩健性。

FAN7171和FAN7190具有很高的功率密度，4.5A/4.5A源/漏電流驅動(dòng)能力。FAN7171能夠驅動(dòng)工作電壓高達+500V的高速MOSFET和IGBT的單片式高側柵極驅動(dòng)器IC，而FAN7190則能夠驅動(dòng)工作電壓高達+600V的MOSFET和IGBT。更大的驅動(dòng)能力能夠實(shí)現功率更高的系統，提高功效。

大電流高側柵極驅動(dòng)器IC產(chǎn)品FAN7171架構圖

兩款器件采用飛兆半導體的高壓工藝和共模噪聲消除技術(shù)，均具有緩沖輸出級，帶有設計用于大脈沖電流驅動(dòng)能力和最小交叉傳導的全部NMOS晶體管。FAN7171和FAN7190具有很強的抗噪能力，15V VBS下負電壓擺幅(VS)低至-9.8V，可實(shí)現更高的設計可靠性，并提高了在惡劣噪聲環(huán)境中的耐久性。

FAN7171和FAN7190滿(mǎn)足汽車(chē)AECQ100 Class 1標準，是具有更多功能的高集成度器件，能夠減少元件數目并降低材料清單成本，縮小線(xiàn)路板空間并有縮短設計周期的潛力。