入門(mén)分享：三極管知識大全

一、三極管的概念

三極管顧名思義具有三個(gè)電極。二極管是由一個(gè)PN結構成的，而三極管由兩個(gè)PN結構成，共用的一個(gè)電極成為三極管的基極(用字母b表示)。其他的兩個(gè)電極成為集電極(用字母c表示)和發(fā)射極(用字母e表示)。由于不同的組合方式，形成了一種是NPN型的三極管，另一種是PNP型的三極管。，是一種電流控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成輻值較大的電信號， 也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。

三極管在中文含義里面只是對三個(gè)引腳的放大器件的統稱(chēng)，我們常說(shuō)的三極管。

雖然都叫三極管，在英文里面的說(shuō)法是千差萬(wàn)別的。電子三極管 Triode 這個(gè)是英漢字典里面“三極管”這個(gè)詞匯的唯一英文翻譯，這是和電子三極管最早出現有關(guān)系的，所以先入為主，也是真正意義上的三極管這個(gè)詞最初所指的物品。

二、三極管的基本結構

1. 三極管結構

三極管的種類(lèi)很多，按功率大小可分為大功率管和小功率管;按電路中的工作頻率可分為高頻管和低頻管;按半導體材料不同可分為硅管和鍺管;按結構不同可分為NPN管和PNP管。無(wú)論是NPN型還是PNP型都分為三個(gè)區，分別稱(chēng)為發(fā)射區、基區和集電區，由三個(gè)區各引出一個(gè)電極，分別稱(chēng)為發(fā)射極(E)、基極(B)和集電極(C)，發(fā)射區和基區之間的PN結稱(chēng)為發(fā)射結，集電區和基區之間的PN結稱(chēng)為集電結。其結構和符號見(jiàn)下圖1、圖2所示，其中發(fā)射極箭頭所示方向表示發(fā)射極電流的流向。

圖1 兩類(lèi)三極管的結構示意圖

2.三極管符號

中間橫線(xiàn)是基極B,另一斜線(xiàn)是集電極C,箭頭的是發(fā)射極E.

圖2 三極管的符號示意圖

三、三極管的原理

三極管分鍺管和硅管兩種，而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，(其中，N表示在高純度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在電壓刺激下產(chǎn)生自由電子導電，而p是加入硼取代硅，產(chǎn)生大量空穴利于導電)。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。

對于NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著(zhù)一塊P型半導體所組成，發(fā)射區與基區之間形成的PN結稱(chēng)為發(fā)射結，而集電區與基區形成的PN結稱(chēng)為集電結，三條引線(xiàn)分別稱(chēng)為發(fā)射極e、基極b和集電極c.

當b點(diǎn)電位高于e點(diǎn)電位零點(diǎn)幾伏時(shí)，發(fā)射結處于正偏狀態(tài)，而C點(diǎn)電位高于b點(diǎn)電位幾伏時(shí)，集電結處于反偏狀態(tài)，集電極電源Ec要高于基極電源Ebo.

在制造三極管時(shí)，有意識地使發(fā)射區的多數載流子濃度大于基區的，同時(shí)基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質(zhì)含量，這樣，一旦接通電源后，由于發(fā)射結正偏，發(fā)射區的多數載流子(電子)及基區的多數載流子(空穴)很容易地越過(guò)發(fā)射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過(guò)發(fā)射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱(chēng)為發(fā)射極電流了。

由于基區很薄，加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過(guò)集電結進(jìn)入集電區而形成集電集電流Ic,只剩下很少(1-10%)的電子在基區的空穴進(jìn)行復合，被復合掉的基區空穴由基極電源Eb重新補給，從而形成了基極電流Ibo.根據電流連續性原理得：

這就是說(shuō)，在基極補充一個(gè)很小的Ib,就可以在集電極上得到一個(gè)較大的Ic,這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持一定的比例關(guān)系，即：

式中：β1--稱(chēng)為直流放大倍數，

集電極電流的變化量△Ic與基極電流的變化量△Ib之比為：