針對低成本單進(jìn)三出逆變器電源電路的設計經(jīng)驗
本文介紹了一款低成本單進(jìn)三出逆變器的設計經(jīng)驗,硬件成本控制在60元人民幣以?xún)葧r(shí),可驅動(dòng)1 kW以下的三相籠式異步電機??偨Y了經(jīng)過(guò)近百多次的修改后得到的較為成熟的電路的設計要點(diǎn),包括微處理器,功率器件,半橋驅動(dòng),過(guò)流保護,控制方法,試驗結果等方面的內容。用該電路實(shí)現的變頻調速可以因低成本而大大擴展其應用范圍,稍加修改后可用于直流無(wú)刷電機的驅動(dòng)。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/227751.htm變頻器電路的設計大同小異,一般都采用交-直-交方式,由整流、中間直流環(huán)節、逆變和控制4個(gè)部分組成,先把工頻交流電源通過(guò)整流器轉換成直流電源,然后再把直流電源轉換成頻率、電壓均可控制的交流電源以供給電動(dòng)機。變頻器普遍采用智能化功率模塊(IPM),很多電子公司都有其參考設計,只要采用其軟硬件就沒(méi)有多少設計風(fēng)險,但要付出成本代價(jià),這就限制了變頻器在諸如工業(yè)縫紉機、臺式鉆床等需要調速但成本敏感場(chǎng)合的應用。在小功率的場(chǎng)合,用6片分立的場(chǎng)效應管或IGBT就是不錯的選擇,這樣能大大降低成本,但其可靠性問(wèn)題就顯得非常突出,炸管是設計者的最頭痛的問(wèn)題。如何把不同公司最廉價(jià)的元件整合到一起,又能保證其可靠性,是電路設計的關(guān)鍵。
主電路設計
1、半橋驅動(dòng)方案的選擇
半橋驅動(dòng)電路有隔離和非隔離兩種,非隔離的方案線(xiàn)路簡(jiǎn)單,但主電路的高電壓容易竄入控制電路造成事故,用IR2105雙極性SPWN調制的方法,驅動(dòng)370 W以下的電機還是很可靠的。隔離方案則增加成本,隔離驅動(dòng)的又有變壓器驅動(dòng)和光耦驅動(dòng),變壓器開(kāi)關(guān)速度快,但變頻器輸出的占空比在0%到100%之間變化時(shí),要用調制的方法,小功率的場(chǎng)合沒(méi)必要。光耦驅動(dòng)雖然開(kāi)關(guān)速度慢點(diǎn),但開(kāi)關(guān)時(shí)間在0.5μS左右,IG BT允許的開(kāi)關(guān)速度一般在40kHz以下,實(shí)際應用中還不一定要這么高,因此選用光耦隔離驅動(dòng)上管,用在1kW以下的電機是性?xún)r(jià)比佳的方案。
2、驅動(dòng)芯片的使用
IR210x是IR公司眾多的驅動(dòng)IC家族中的一族,可以工作在母線(xiàn)電壓高達600 V的電路中,價(jià)格才2元。驅動(dòng)信號兼容TTL和MOS電平,采用一片IR 210x可完成兩個(gè)功率元件的驅動(dòng)任務(wù),其內部采用自舉技術(shù),使得功率元件的驅動(dòng)電路僅需一個(gè)輸入級直流電源,可實(shí)現對功率MOSF ET和IGBT的驅動(dòng),還具有一定的保護功能。電路如圖1所示。
IR2105只有一路輸入可用作雙極性調制,IR2103有兩路輸入可用作單極性調制。
非隔離的電路要小心“浮地電位下沖”的問(wèn)題,當橋電路負載為感性時(shí),上管的關(guān)斷會(huì )引起負載電流突然轉換到下管的續流二極管,由于二極管開(kāi)通延遲,正向壓降和雜散電感會(huì )使Vs點(diǎn)負過(guò)沖到參考地以下。在死區時(shí)間內,如果負載電路不能完全恢復,當下管硬開(kāi)通時(shí),會(huì )發(fā)生Vs負過(guò)沖或振蕩。在IR2105的引腳COM和VB之間,由于制造工藝方面的原因存在如圖所示的一個(gè)寄生二極管,當Vs負過(guò)沖過(guò)頭,導致VB的電位低于COM時(shí),該二極管意外導通,電流達到一定值就擊穿了。
圖2 寄生二極管因浮地下沖而意外接入電路示意圖
IR公司給出了一個(gè)補救的方案:在COM和地之間加一個(gè)電阻R,阻值可在10歐姆以上,這樣可以減小寄生二極管意外導通的電流,起一定的保護作用。同時(shí)為保證上下管開(kāi)關(guān)速度一致,還得減小門(mén)電阻R2的阻值,使得R1=R2+R。但這個(gè)保護措施作用是有限的,實(shí)在不行就得加大R1,R2的阻值。付出的代價(jià)是降低功率管的開(kāi)關(guān)速度,發(fā)熱量大增,得給TO—247AC封裝的功率管配上散熱片。
3、用光耦增強電路的可靠性
用東芝公司的TLP251或者AVAGO的HCPL~3210驅動(dòng)上管,可有效解決浮地下沖的問(wèn)題。利用控制電路+15V的電源,加上一個(gè)高耐壓快恢復二極管和一個(gè)較大容量的電容組成一個(gè)充電泵電路,電容負極和上管的源極或發(fā)射極相連形成浮地,在下管打開(kāi)時(shí)給電容充電,就能開(kāi)關(guān)上管了。注意用于直流無(wú)刷電機驅動(dòng)時(shí),控制信號占空比不能到100%,否則堵轉時(shí)可能因電荷耗盡而不能打開(kāi)上管,交流電機則無(wú)此問(wèn)題。
保護環(huán)節的設計
1、過(guò)流保護電路
炸管大多是流經(jīng)MOSFET/IGBT的沖擊電流過(guò)大所致,一個(gè)限流保護電路是不可少的。用一片諸如LM311等的電壓比較器,配合采樣電阻在電流過(guò)大時(shí)輸出信號到驅動(dòng)電路即可,這里要注意運放的反應速率(Response Time),因為IGBT能承受的短路時(shí)間在1
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