淺析關(guān)于HIT太陽(yáng)能電池的發(fā)展狀況

能源危機和環(huán)境污染問(wèn)題促進(jìn)了清潔能源的廣泛研究與應用開(kāi)發(fā)。太陽(yáng)能光伏發(fā)電是～種利用光伏效應將太陽(yáng)光輻射能直接轉換為電能的新型發(fā)電技術(shù)，兇具有資源充足、清潔、安全、壽命長(cháng)等優(yōu)點(diǎn)，被認為是最有前途的可再生能源技術(shù)之一，已成為可再生能源技術(shù)中發(fā)展最快、最具活力的研究領(lǐng)域。日前國際光伏市場(chǎng)上的太陽(yáng)能電池主要有晶體硅（包括單晶硅、多晶硅）、非晶／單晶異質(zhì)結（HIT）、非晶硅薄膜、碲化鎘（CdTe）薄膜及銅銦硒（CIS）薄膜太陽(yáng)電池等。其中商品化的晶體硅太陽(yáng)能電池仍占主流，其光電轉化效率已達25％，但受到材料純度和制備T藝限制，很難再提高其轉化效率或降低成本；而非晶硅太陽(yáng)能電池雖然能大面積生產(chǎn)，造價(jià)又低廉，但其轉換效率仍比較低，并且穩定性差。

為了降低成本同時(shí)保持高轉換效率，近年來(lái)HIT電池得到了迅速的發(fā)展。這種異質(zhì)結結構的電池是綜合兩者優(yōu)點(diǎn)充分發(fā)揮各自長(cháng)處的最佳設計。本文介紹了HIT電池的結構與特點(diǎn)，綜述了HIT電池的發(fā)展現狀，并對HIT電池的未來(lái)進(jìn)行了展望。

1、HIT太陽(yáng)能電池的結構與特點(diǎn)

1.1 HIT太陽(yáng)能電池的結構

圖1為HIT、太陽(yáng)能電池的基本構造，其特征是以光照射側的p-i型a-Si：H膜（膜厚5～lOnm）和背面側的i-n型a_Si：H膜（膜厚5～10nm）夾住晶體硅片，在兩側的頂層形成透明的電極和集電極，構成具有對稱(chēng)結構的HIT太陽(yáng)能電池。

1.2 HIT太陽(yáng)能電池的特點(diǎn)

（1）低溫工藝

HIT電池結合了薄膜太陽(yáng)能電池低溫（《250℃）制造的優(yōu)點(diǎn)，從而避免采用傳統的高溫（》900℃）擴散工藝來(lái)獲得p-n結。這種技術(shù)不僅節約了能源，而且低溫環(huán)境使得a_Si：H基薄膜摻雜、禁帶寬度和厚度等可以較精確控制，工藝上也易于優(yōu)化器件特性；低溫沉積過(guò)程中，單品硅片彎曲變形小，因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值（約80μm）；同時(shí)低溫過(guò)程消除了硅襯底在高溫處理中的性能退化，從而允許采用“低品質(zhì)”的晶體硅甚至多晶硅來(lái)作襯底。

（2）高效率

HIT電池獨有的帶本征薄層的異質(zhì)結結構，在p_n結成結的同時(shí)完成r單晶硅的表面鈍化，大大降低了表面、界面漏電流，提高了電池效率。目前HIT電池的實(shí)驗室效率已達到23％，市售200W組件的電池效率達到19.5％。

（3）高穩定性

HIT電池的光照穩定性好，理滄研究表明非品硅薄膜／晶態(tài)硅異質(zhì)結中的非晶硅薄膜沒(méi)有發(fā)現Staebler-Wronski效應，從而不會(huì )出現類(lèi)似非晶硅太陽(yáng)能電池轉換效率因光照而衰退的現象；HIT電池的溫度穩定性好，與單晶硅電池一0.5％／℃的溫度系數相比，HIT電池的溫度系數可達到一0.25％／℃，使得電池即使在光照升溫情況下仍有好的輸出‘“。

（4）低成本

HIT電池的厚度薄，可以節省硅材料；低溫工藝可以減少能量的消耗，并且允許采用廉價(jià)襯底；高效率使得在相同輸出功率的條件下可以減少電池的面積，從而有效降低了電池的成本。2、HIT太陽(yáng)能電池的發(fā)展現狀

2.1 HIT太陽(yáng)能電池的技術(shù)發(fā)展狀況

1990年，日本Sanyo公司最早開(kāi)始研究異質(zhì)結太陽(yáng)能電池。1992年，Tanaka等就創(chuàng )下p-a-Si：H／i-a-Si：H／n_c-Si結構太陽(yáng)能電池光電轉換效率18.1％的紀錄，并將這種帶有本征薄層的結構稱(chēng)之為HIT結構。此后，中國、美國、德國、法國、意大利、荷蘭等同家也相繼投入到HIT太陽(yáng)能電池的研究中（表1為各國研究的HIT電池的種類(lèi)、制備工藝以及電池所能達到的轉換效率情況）。為進(jìn)一步提高電池的效率，其研究主要側重于以下幾個(gè)方面。

（1）異質(zhì)結能帶結構的優(yōu)化

H1T電池與傳統電池最大的區別就是非晶硅與晶體硅構成的異質(zhì)結結構。通過(guò)設計異質(zhì)結界面的勢壘高度獲得合適的能帶結構，以提高電池的轉換效率。以Sanyo公司HIT電池為例，在（p）a-Si／（i）a-Si／（n）c-Si的異質(zhì)結結構中，非晶硅與單晶硅界面價(jià)帶位錯要小，以便收集空穴，同時(shí)導帶的位錯要盡可能大，以阻I七電子的通過(guò)。異質(zhì)結勢壘高度的設計主要是通過(guò)控制非晶硅薄膜的沉積參數來(lái)實(shí)現的。