影響EMC的因素和降噪技術(shù)

電壓——電源電壓越高，意味著(zhù)電壓振幅越大而發(fā)射就更多，而低電源電壓影響敏感度。

頻率——高頻產(chǎn)生更多的發(fā)射，周期性信號產(chǎn)生更多的發(fā)射。在高頻數字系統中，當器件開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生電流尖峰信號；在模擬系統中，當負載電流變化時(shí)產(chǎn)生電流尖峰信號。

接地——對于電路設計沒(méi)有比可靠和完美的電源系統更重要的事情。在所有EMC問(wèn)題中，主要問(wèn)題是不適當的接地引起的。有三種信號接地方法：?jiǎn)吸c(diǎn)、多點(diǎn)和混合。在頻率低于1MHz時(shí)可采用單點(diǎn)接地方法，但不適于高頻。在高頻應用中，最好采用多點(diǎn)接地?；旌辖拥厥堑皖l用單點(diǎn)接地而高頻用多點(diǎn)接地的方法。地線(xiàn)布局是關(guān)鍵的。高頻數字電路和低電平模擬電路的地回路絕對不能混合。

PCB設計——適當的印刷電路板（PCB）布線(xiàn)對防止EMI是至關(guān)重要的。

電源去耦——當器件開(kāi)關(guān)時(shí)，在電源線(xiàn)上會(huì )產(chǎn)生瞬態(tài)電流，必須衰減和濾掉這些瞬態(tài)電流來(lái)自高di/dt源的瞬態(tài)電流導致地和線(xiàn)跡“發(fā)射”電壓。高di/dt產(chǎn)生大范圍高頻電流，激勵部件和纜線(xiàn)輻射。流經(jīng)導線(xiàn)的電流變化和電感會(huì )導致壓降，減小電感或電流隨時(shí)間的變化可使該壓降最小。

降低噪聲的技術(shù)

防止干擾有三種方法：

1． 抑制源發(fā)射。

2． 使耦合通路盡可能地無(wú)效。

3． 使接收器對發(fā)射的敏感度盡量小。

下面介紹板級降噪技術(shù)。板級降噪技術(shù)包括板結構、線(xiàn)路安排和濾波。

板結構降噪技術(shù)包括：

* 采用地和電源平板

* 平板面積要大，以便為電源去耦提供低阻抗

* 使表面導體最少

* 采用窄線(xiàn)條（4到8密耳）以增加高頻阻尼和降低電容耦合

* 分開(kāi)數字、模擬、接收器、發(fā)送器地/電源線(xiàn)

* 根據頻率和類(lèi)型分隔PCB上的電路

* 不要切痕PCB，切痕附近的線(xiàn)跡可能導致不希望的環(huán)路

* 采用多層板密封電源和地板層之間的線(xiàn)跡

* 避免大的開(kāi)環(huán)板層結構

* PCB聯(lián)接器接機殼地，這為防止電路邊界處的輻射提供屏蔽

* 采用多點(diǎn)接地使高頻地阻抗低

* 保持地引腳短于波長(cháng)的1/20,以防止輻射和保證低阻抗線(xiàn)路安排降噪技術(shù)包括用45。而不是90。線(xiàn)跡轉向，90。轉向會(huì )增加電容并導致傳輸線(xiàn)特性阻抗變化

* 保持相鄰激勵線(xiàn)跡之間的間距大于線(xiàn)跡的寬度以使串擾最小* 時(shí)鐘信號環(huán)路面積應盡量小

* 高速線(xiàn)路和時(shí)鐘信號線(xiàn)要短和直接連接

* 敏感的線(xiàn)跡不要與傳輸高電流快速開(kāi)關(guān)轉換信號的線(xiàn)跡并行

* 不要有浮空數字輸入，以防止不必要的開(kāi)關(guān)轉換和噪聲產(chǎn)生

* 避免在晶振和其它固有噪聲電路下面有供電線(xiàn)跡

* 相應的電源、地、信號和回路線(xiàn)跡要平行以消除噪聲

* 保持時(shí)鐘線(xiàn)、總線(xiàn)和片使能與輸入/輸出線(xiàn)和連接器分隔

* 路線(xiàn)時(shí)鐘信號正交I/O信號

* 為使串擾最小，線(xiàn)跡用直角交叉和散置地線(xiàn)