功率半導體及LED用封裝熱阻檢測方法JEDEC標準
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相應規格于2010年11月被管理半導體封裝熱特性評測技術(shù)的JEDEC JC15委員會(huì )認定為“JESD51-14”標準。該標準命名為：“在熱量流過(guò)單一路徑的半導體器件時(shí)，用于檢測結（注：器件的結點(diǎn)）－殼（注：封裝的外殼）間熱阻的雙面瞬態(tài)檢測方法”。
此次的標準（以及明導和英飛凌于2005年共同發(fā)表的方法）基于MicReD推出的下述技術(shù)：
?。?）靜態(tài)的瞬態(tài)熱阻檢測技術(shù)（已成為JEDEC51-1標準）；
注：使用T3Ster（右上）的熱阻檢測方法。首先使用T3Ster求出溫度的時(shí)間分布（左圖）。然后使用相關(guān)軟件將時(shí)間分布信息轉換為構造函數（右圖）。（點(diǎn)擊圖片放大）
?。?）利用由該技術(shù)獲得的時(shí)間-溫度分布信息導出構造函數（顯示熱阻-熱容關(guān)系的函數或圖形）。
另外，（1）和（2）兩技術(shù)已通過(guò)使用明導提供的熱阻檢測用硬件“T3Ster”及其軟件，實(shí)現了商品化。
JESD51-14的方法在包含隔離層和不包含隔離層兩種場(chǎng)合（這就是“雙面”的含義）均基于（1）和（2）這兩種技術(shù)，推算出各自的構造函數。構造函數一致的部分可作為結-殼間熱阻高精度求出。另外，在微處理器等散熱路徑不單一時(shí)，通過(guò)改為單一路徑的設計并多次檢測，便可求出熱阻。
在此次明導宣布上述消息的同時(shí)，英飛凌在2011年3月20～24日于美國舉行的國際會(huì )議“2011 IEEE SEMI-THERM Thermal Measurement, Modeling and Management Symposium”上，發(fā)表了與JESD51-14相關(guān)的論文。另外，上面提到的MicReD部門(mén)在2005年時(shí)是一家總部設在匈牙利布達佩斯的企業(yè)（MicReD Kft.）。MicReD后被英國Flomerics Group PLC.收購。后來(lái)明導又于2008年收購了Flomerics，現在變成了明導的MicReD部門(mén)。
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