高亮度LED封裝熱導原理

先說(shuō)明基板部分，基板的材料并不是說(shuō)換就能換，必須能與裸晶材料相匹配才行，現有AlGaInP常用的基板材料為GaAs、Si，InGaN則為SiC、Sapphire（并使用AlN做為緩沖層）。

為了強化LED的散熱，過(guò)去的FR4印刷電路板已不敷應付，因此提出了內具金屬核心的印刷電路板，稱(chēng)為MCPCB，運用更底部的鋁或銅等熱傳導性較佳的金屬來(lái)加速散熱，不過(guò)也因絕緣層的特性使其熱傳導受到若干限制.

對光而言，基板不是要夠透明使其不會(huì )阻礙光，就是在發(fā)光層與基板之間再加入一個(gè)反光性的材料層，以此避免「光能」被基板所阻礙、吸收，形成浪費，例如GaAs基板即是不透光，因此再加入一個(gè)DBR（Distributed Bragg Reflector）反射層來(lái)進(jìn)行反光。而Sapphire基板則是可直接反光，或透明的GaP基板可以透光。

除此之外，基板材料也必須具備良好的熱傳導性，負責將裸晶所釋放出的熱，迅速導到更下層的散熱塊（Heat Slug）上，不過(guò)基板與散熱塊間也必須使用熱傳導良好的介接物，如焊料或導熱膏。同時(shí)裸晶上方的環(huán)氧樹(shù)脂或硅樹(shù)脂（即是指：封膠層）等也必須有一定的耐熱能力，好因應從p-n接面開(kāi)始，傳導到裸晶表面的溫度。

除了強化基板外，另一種作法是覆晶式鑲嵌，將過(guò)去位于上方的裸晶電極轉至下方，電極直接與更底部的線(xiàn)箔連通，如此熱也能更快傳導至下方，此種散熱法不僅用在LED上，現今高熱的CPU、GPU也早就實(shí)行此道來(lái)加速散熱。

從傳統FR4 PCB到金屬核心的MCPCB

將熱導到更下層后，就過(guò)去而言是直接運用銅箔印刷電路板（Printed Circuit Board；PCB）來(lái)散熱，也就是最常見(jiàn)的FR4印刷電路基板，然而隨著(zhù)LED的發(fā)熱愈來(lái)愈高，FR4印刷電路基板已逐漸難以消受，理由是其熱傳導率不夠（僅0.36W/m.K）。

為了改善電路板層面的散熱，因此提出了所謂的金屬核心的印刷電路板（Metal Core PCB；MCPCB），即是將原有的印刷電路板附貼在另外一種熱傳導效果更好的金屬上（如：鋁、銅），以此來(lái)強化散熱效果，而這片金屬位在印刷電路板內，所以才稱(chēng)為「Metal Core」，MCPCB的熱傳導效率就高于傳統FR4 PCB，達1W/m.K～2.2W/m.K。

不過(guò)，MCPCB也有些限制，在電路系統運作時(shí)不能超過(guò)140℃，這個(gè)主要是來(lái)自介電層（Dielectric Layer，也稱(chēng)Insulated Layer，絕緣層）的特性限制，此外在制造過(guò)程中也不得超過(guò)250℃;300℃，這在過(guò)錫爐時(shí)前必須事先了解。

附注：雖然鋁、銅都是合適的熱導熱金屬，不過(guò)礙于成本多半是選擇鋁材質(zhì)。

IMS強化MCPCB在絕緣層上的熱傳導

MCPCB雖然比FR4 PCB散熱效果佳，但MCPCB的介電層卻沒(méi)有太好的熱傳導率，大體與FR4 PCB相同，僅0.3W/m.K，成為散熱塊與金屬核心板間的傳導瓶頸。

為了改善此一情形，有業(yè)者提出了IMS（Insulated Metal Substrate，絕緣金屬基板）的改善法，將高分子絕緣層及銅箔電路以環(huán)氧方式直接與鋁、銅板接合，然后再將LED配置在絕緣基板上，此絕緣基板的熱傳導率就比較高，達1.1;2W/m.K，比之前高出3;7倍的傳導效率。

更進(jìn)一步的，若絕緣層依舊被認為是導熱性不佳，也有直接讓LED底部的散熱塊，透過(guò)在印刷電路板上的穿孔（Through Hole）作法，使其直接與核心金屬接觸，以此加速散熱。此作法很耐人尋味，因為過(guò)去的印刷電路板不是為插件組件焊接而鑿，就是為線(xiàn)路繞徑而鑿，如今卻是為散熱設計而鑿。

結尾

除了MCPCB、MCPCB＋IMS法之外，也有人提出用陶瓷基板（Ceramic Substrate），或者是所謂的直接銅接合基板（Direct Copper Bonded Substrate，簡(jiǎn)稱(chēng)：DBC），或是金屬復合材料基板。無(wú)論是陶瓷基板或直接銅接合基板都有24～170W/m.K的高傳導率，其中直接銅接合基板更允許制程溫度、運作溫度達800℃以上，不過(guò)這些技術(shù)都有待更進(jìn)一步的成熟觀(guān)察。

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