安森美半導體推出SMART HotPlug™集成電路

安森美半導體（美國納斯達克上市代號：ONNN）推出SMART HotPlug™智能、高集成器件的新產(chǎn)品系列，簡(jiǎn)化用于經(jīng)常開(kāi)關(guān)啟動(dòng)的計算機和電信系統的電路板熱拔插功率保護。這些強化可靠的新器件，能消除因母線(xiàn)干擾、過(guò)載或短路引起的高成本停機時(shí)間，適合于分布功率系統、高可用性服務(wù)器、磁盤(pán)陣列和熱拔插應用。
N1S5101是安森美半導體計劃今年計劃推出集成熱拔插保護電路產(chǎn)品系列的首個(gè)SMART HotPlug™器件，這個(gè)創(chuàng )新器件為提供在-48伏 (V)底板安全插入和移去電子設備而設計。
雖然市場(chǎng)上有一些熱拔插控制器，但N1S5101是唯一的40毫歐、110 V 低額定智能集成MOSFET。N1S5101結合了一個(gè)智能MOSFET和電流鏡，特別是SenseFET™，傳感電阻器只檢測到一部分負載電流，從而不需要更大、更昂貴的外置電源傳感電阻，同時(shí)降低了傳感功率耗散。內置MOSFET溫度感應電路保護使其不致過(guò)熱。限流可調功能使設計者可將最高侵入電流從12安倍調到低過(guò)1安倍。欠壓和過(guò)壓閉鎖使負荷不會(huì ) “看到”潛在不安全工作電壓。此器件能在5安倍連續電流下工作，在2個(gè)銅焊墊中只有0.3安倍，且沒(méi)有額外的散熱或氣流。如有額外的銅、散熱或氣流，它可在更高的平均電流下工作。
優(yōu)良的設計
迄今，最佳的-24 V 或 -48 V分布功率系統熱拔插方案需用的器件多且煩瑣，包括一個(gè)功率MOSFET，一個(gè)功率傳感電阻器和一個(gè)模擬控制器。要取得有效的熱拔插方案，控制器周?chē)枰嘀?4個(gè)額外的有源和無(wú)源元件。與此相比，N1S5101只需3個(gè)外置元件就能達到完整的熱拔插保護，即3個(gè)低功率電阻器來(lái)設定限流、過(guò)壓跳閘點(diǎn)和欠壓跳閘點(diǎn)（如果不需過(guò)壓跳閘點(diǎn)，則只要2個(gè)電阻器和N1S5101 SMART HotPlug™器件）。
關(guān)于熱傳感，N1S5101集成溫度傳感二極管，以提供高精度的熱保護。競爭對手的器件估計MOSFET接點(diǎn)溫度作為熱保護，此種集成電路設計結構可能會(huì )造成嚴重的MOSFET失效或過(guò)早出現過(guò)電流電路跳閘情況。
安森美半導體副總裁兼集成電源器件部總經(jīng)理Ramesh Ramchandani 說(shuō)：“N1S5101是業(yè)界首個(gè)這樣小巧可靠又能使設計如此簡(jiǎn)易的熱拔插器件。與外面最具競爭力的方案相比，安森美半導體的SMART HotPlug™器件節省設計熱拔插電路一半時(shí)間，減少75%所需的外部元件，便達到完整有效的熱拔插方案?！?BR>供貨情況
N1S5101有不鎖存或自動(dòng)重試熱選擇，現有D2Pak和7引腳SPak封裝。
如需樣品和演示板，請瀏覽http://www.onsemi.com/tech