NORFlash與8位單片機的接口設計方法研究

引 言

Flash存儲器又稱(chēng)閃速存儲器，是20世紀80年代末逐漸發(fā)展起來(lái)的一種新型半導體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM和ROM的特點(diǎn)，既可以在線(xiàn)擦除、改寫(xiě)，又能夠在掉電后保持數據不丟失。

NORFlash是Flash存儲器中最早出現的一個(gè)品種，與其他種類(lèi)的Flash存儲器相比具有以下優(yōu)勢：可靠性高、隨機讀取速度快，可以單字節或單字編程，允許CPU直接從芯片中讀取代碼執行等。因此NOR Flash存儲器在嵌入式系統應用開(kāi)發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單片機為例，針對大容量NORFlash在8位低檔單片機中應用的特殊性，詳細介紹了其接口硬件和接口軟件的設計方法。

1 SST39SF040芯片介紹

SST39SF040是SST公司最近推出的一種基于SuperFlash技術(shù)的NORFlash存儲器，屬于SST公司并行閃速存儲器系列;適用于需要程序在線(xiàn)寫(xiě)入或大容量、非易失性數據重復存儲的場(chǎng)合。

1.1 芯片內部功能結構和外部引腳

圖1是SST39SF040的內部功能結構框圖，由Super-Flash存儲單元、行譯碼器、列譯碼器、地址緩沖與鎖存器、輸入/輸出緩沖和數據鎖存器以及控制邏輯電路等部分組成。圖2是其外部引腳分布圖，其中A18～A0為地址線(xiàn)，CE為芯片選通信號，OE可作為讀信號，WE為寫(xiě)信號，DQ7～DQ0為數據線(xiàn)。

1.2 芯片的主要特性

① 容量為512KB，按512K×8位結構組織。

② 采用單一的5V電源供電，編程電源VPP在芯片內部產(chǎn)生。

③ 芯片可反復擦寫(xiě)100000次，數據保存時(shí)間為100年。

④ 工作電流典型值為10mA，待機電流典型值為30μA。

⑤ 扇區結構：扇區大小統一為4KB。

⑥ 讀取、擦除和字節編程時(shí)間的典型值：數據讀取時(shí)間為45～70 ns;扇區擦除時(shí)間為18ms，整片擦除時(shí)間為70ms;字節編程時(shí)間為14μs。

⑦ 有記錄內部擦除操作和編程寫(xiě)入操作完成與否的狀態(tài)標志位。

⑧ 具有硬、軟件數據保護功能。

⑨ 具有地址和數據鎖存功能。