安森美半導體用于低功率應用的高能效AC-DC開(kāi)關(guān)穩壓器方案

　　基于NCP1076/7的20 W參考設計典型能效達80%，適合白家電及工業(yè)等應用。

　　基于NCP1075的12 W參考設計采用抽頭(tapped)電感來(lái)隔離交流信號，提高MOSFET工作的占空比，提高系統能效及電路性能。這參考設計適合白家電、電表及工業(yè)設備等應用。

　　為了配合采用極高交流主電源電壓供電的低功率應用，安森美半導體還提供基于NCP1075、帶預穩壓器的15 W參考設計。這采用設計采用專(zhuān)利的電路應用，支持在2相(而非相位和中性點(diǎn))之間供電，而沒(méi)有相應雙輸入大電容及相應高電源電壓的缺點(diǎn)，幫助降低BOM成本。

　　2) NCP112x系列650 V單片開(kāi)關(guān)穩壓器

　　NCP112x系列峰值電流模式單片開(kāi)關(guān)穩壓器內置650 V額定雪崩能量MOSFET，采用65 kHz或100 kHz開(kāi)關(guān)頻率工作，采用PDIP-7封裝，適合平板電視輔助電源、白家電、電表等應用。

　　這系列產(chǎn)品中，NCP1124和NCP1126分別集成導通阻抗為9 Ω和6 Ω的MOSFET，能夠提供達15 W輸出功率;NCP1129集成2 Ω MOSFET，能提供達25 W輸出功率。這系列器件在輕載條件下頻率能夠反走至26 kHz及采用跳周期模式工作，幫助提升輕載能效。NCP112x支持正常及頻率反走條件下的頻率抖動(dòng)，改善電磁干擾(EMI)性能。其它特性包括內置4 ms軟啟動(dòng)、可調節限流及低空載待機能耗(<100 mW)等。

　　安森美半導體基于NCP1126開(kāi)發(fā)了20 W參考設計。這參考設計提供5 V輸出電壓及最大5 A輸出電流，采用外部補償來(lái)優(yōu)化輸出負載，待機能耗極低。