安森美半導體發(fā)布創(chuàng )新溝槽處理技術(shù)，具有業(yè)界最佳導通電阻性能

該公司計劃于年底之前推出采用此項創(chuàng )新溝槽處理技術(shù)的P型通道和N型通道MOSFET完整系列。最初幾款器件將于本季度推出，針對便攜和無(wú)線(xiàn)產(chǎn)品中的負載管理、電路充電、電池保護和直流-直流轉換等應用。接下來(lái)將推出面向計算機和汽車(chē)應用的高性能溝槽為本的器件。

安森美半導體副總裁兼集成電源產(chǎn)品總經(jīng)理Ramesh Ramchandani說(shuō)：“將更完善的芯片幾何學(xué)與安森美半導體的溝槽技術(shù)相結合，可發(fā)揮極佳的導通電阻特性——產(chǎn)生的直接效果是延長(cháng)電池壽命、提升功率轉換性能并提高熱效率。當前市場(chǎng)上有廣泛的溝槽MOSFET可供選擇，而安森美半導體將憑借著(zhù)采用先進(jìn)溝槽處理技術(shù)的優(yōu)越器件進(jìn)軍市場(chǎng)?！?/P>

尖端技術(shù)
安森美半導體獨有的溝槽處理技術(shù)實(shí)現了業(yè)界最高的通道密度，在給定的封裝占位面積下具有極佳的導通電阻（Rds(on)）性能。例如，安森美半導體將生產(chǎn)的ChipFET封裝（1.8 mm x 3.3 mm）8伏（V）P型通道和20伏P型通道產(chǎn)品的導通電阻分別為19毫歐（mOhms）和21毫歐。與目前相同封裝尺寸的產(chǎn)品相比，在4.5伏柵極電壓下這些電阻值平均改進(jìn)了40%。而安森美半導體將推出的Micro-8LL（3.3 mm x 3.3 mm）、TSOP-6（3 mm x 3 mm）與SC-88（2.0 mm x 2.0 mm）封裝MOSFET的導通電阻也有相同比例的改進(jìn)。

安森美半導體的首批溝槽半導體器件將于3月開(kāi)始提供樣品。