安森美半導體推出帶專(zhuān)有集成保護電路的SmartDiscrete™功率MOSFET

安森美半導體（美國納斯達克上市代號：ONNN）進(jìn)一步拓展其經(jīng)濟高效的高性能功率MOSFET系列，推出新系列的自護式SmartDiscrete™器件，具有先進(jìn)的集成水平，由公司領(lǐng)先業(yè)界的HDPlus™芯片工藝制造，為要求苛嚴的汽車(chē)和工業(yè)應用提供優(yōu)越的性能表現。

這些新型器件是低邊、自鉗位、46伏（V）、48-185毫歐MOSFET，集成了電流限制保護、過(guò)熱關(guān)斷、過(guò)壓保護以及靜電放電（ESD）保護。安森美半導體的HDPlus™芯片工藝以單片式設計在很寬的溫度范圍內優(yōu)化性能。供選擇的集成功能，范圍從取代通用3055 MOSFET的業(yè)界首款主動(dòng)鉗位、ESD保護器件，到帶電流和溫度限制功能的全自護式MOSFET。

安森美半導體副總裁兼集成電源器件部總經(jīng)理Ramesh Ramchandani說(shuō)：“系統設計人員渴望獲得能減少元件數量、提高系統穩定性并簡(jiǎn)化硬件和軟件設計的解決方案。安森美半導體的新型SmartDiscrete™ MOSFET為多種分立器件集成了保護電路，是開(kāi)發(fā)可靠系統的節省空間且經(jīng)濟高效的解決方案?！?BR>
在功率MOSFET必須經(jīng)受高功率與/或短路情況的應用中，強制需具備保護功能。針對這種需求，安森美半導體的新型SmartDiscrete™ 功率MOSFET的自護式電路設計結合了漏極電流感應與限制。在負載短路的情況下，電流限制電路保護可阻止電流尖峰。如果這種情況持續下去，溫度電路監測接點(diǎn)溫度將在到達某設定點(diǎn)時(shí)（典型值為175˚ C）關(guān)斷器件。內部溫度限制電路設計為在接點(diǎn)溫度降低約15° C時(shí)自動(dòng)接通主MOSFET。器件不斷進(jìn)行熱循環(huán)，直到短路情況被修正。

該等器件采用低成本、節省空間的SOT-223和DPAK表面貼裝。