高頻電源變壓器磁芯的設計原理
1 引言
電子信息產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,對高頻開(kāi)關(guān)式電源不斷提出新的要求。據報導,全球開(kāi)關(guān)電源市場(chǎng)規模已超過(guò)100億美元[1]。通信、計算機和消費電子產(chǎn)品是開(kāi)關(guān)電源的三大主力市場(chǎng)。龐大的開(kāi)關(guān)電源市場(chǎng)主要由ac/dc和dc/dc開(kāi)關(guān)電源兩部分組成。據預測,ac/dc開(kāi)關(guān)電源全球銷(xiāo)售收入將從1999年的91億美元增加到2004年的122億美元,年平均增長(cháng)率為5.9%。低功率(0~300w)的ac/dc將面向增長(cháng)平穩的消費電子產(chǎn)品和計算機市場(chǎng);大功率(750~1500w)的ac/dc電源將面向增長(cháng)強勁的電信市場(chǎng)。dc/dc電源約占整個(gè)開(kāi)關(guān)電源市場(chǎng)的30%,但計算機與通信技術(shù)的快速融合,帶動(dòng)了dc/dc模塊式電源的迅速增長(cháng)。預計今后幾年,dc/dc電源模塊增長(cháng)速度將超過(guò)ac/dc電源,有人估計,中國今后五年,dc/dc電源模塊市場(chǎng)年增長(cháng)將達15%,增長(cháng)主要是在電信領(lǐng)域。開(kāi)關(guān)式電源技術(shù)發(fā)展趨勢是高密度、高效率、低噪聲,以及表面貼裝化。無(wú)論是ac/dc或dc/dc電源,除了功率晶體管外,由軟磁鐵氧體磁芯制成的主變壓器、扼流圈及其它電感器(如抗噪聲濾波器)是極重要的元件,其磁性能和尺寸直接關(guān)系到電源的轉換效率和功率密度等。在變壓器設計中,主要包括繞組設計和磁芯設計。本文擬重點(diǎn)討論涉及主變壓器磁芯設計中應考慮的通過(guò)功率、性能因子、熱阻等參數,并對降低磁芯總損耗提出了材料微觀(guān)設計應考慮的方法。
2 電源變壓器磁芯性能要求及材料分類(lèi)
為了滿(mǎn)足開(kāi)關(guān)電源提高效率和減小尺寸、重量的要求,需要一種高磁通密度和高頻低損耗的變壓器磁芯。雖然有高性能的非晶態(tài)軟磁合金競爭,但從性能價(jià)格比考慮,軟磁鐵氧體材料仍是最佳的選擇;特別在100khz到1mhz的高頻領(lǐng)域,新的低損耗的高頻功率鐵氧體材料更有其獨特的優(yōu)勢。為了最大限度地利用磁芯,對于較大功率運行條件下的軟磁鐵氧體材料,在高溫工作范圍(如80~100℃),應具有以下最主要的磁特性:
1)高的飽和磁通密度或高的振幅磁導率。這樣變壓器磁芯在規定頻率下允許有一個(gè)大的磁通偏移,其結果可減少匝數;這也有利于鐵氧體的高頻應用,因為截止頻率正比于飽和磁通密度。
2)在工作頻率范圍有低的磁芯總損耗。在給定溫升條件下,低的磁芯損耗將允許有高的通過(guò)功率。
附帶的要求則還有高的居里點(diǎn),高的電阻率,良好的機械強度等。
新發(fā)布的“軟磁鐵氧體材料分類(lèi)”行業(yè)標準(等同iec61332:1995),將高磁通密度應用的功率鐵氧體材料分為五類(lèi),見(jiàn)表1。每類(lèi)鐵氧體材料除了對振幅磁導率和功率損耗提出要求外,還提出了“性能因子”參數(此參數將在下面進(jìn)一步敘述)。從pw1~pw5類(lèi)別,其適用工作頻率是逐步提高的,如pw1材料,適用頻率為15~100khz,主要應用于回掃變壓器磁芯;pw2材料,適用頻率為25~200khz,主要應用于開(kāi)關(guān)電源變壓器磁芯;pw3材料,適用頻率為100~300khz;pw4材料適用頻率為300khz~1mhz;pw5材料適用頻率為1~3mhz?,F在國內已能生產(chǎn)相當于pw1~pw3材料,pw4材料只能小量試生產(chǎn),pw5材料尚有待開(kāi)發(fā)。

眾所周知,變壓器的可傳輸功率pth正比于工作頻率f,最大可允許磁通密度bmax(或可允許磁通偏移δb)和磁路截面積ae,并表示為
pth = cfbmaxaewd (1)
式中,c為與開(kāi)關(guān)電源電路工作型式有關(guān)的系數(如推挽式c=1;正向變換器c=0.71;反向變換器c=0.61);wd為繞組設計參數(包含電流密度s,占空因子fcu,繞組截面積an等)。
這里,我們重點(diǎn)討論(fbmaxae)參數(暫不討論繞組設計參數wd)。增大磁芯尺寸(增大ae)可提高變壓器通過(guò)功率,但當前開(kāi)關(guān)電源的目標是在給定通過(guò)功率下要減小尺寸和重量。假定固定溫升,對一個(gè)給定尺寸的磁芯,通過(guò)功率近似正比于頻率。圖1示出變壓器可傳輸功率pth與頻率f的關(guān)系。提高開(kāi)關(guān)頻率除了要應用快速晶體管以外,還受其它電路影響所限制,如電壓和電流的快速改變,在開(kāi)關(guān)電路中產(chǎn)生擴大的諧波譜線(xiàn),造成無(wú)線(xiàn)電頻率干擾,電源的輻射。對變壓器磁芯來(lái)說(shuō),提高工作頻率則要求改進(jìn)高頻磁芯損耗。圖1中n67材料(西門(mén)子公司)比n27材料有更低的磁芯損耗,允許更大的磁通密度偏移δb,因而變壓器可傳輸更大的功率。圖2示出磁芯損耗與頻率的關(guān)系。磁芯總損耗pl與工作頻率f及工作磁通密度b的關(guān)系由下式表示:
pl=kfmbnve (2)


式中,n是steinmetz指數,對功率鐵氧體來(lái)說(shuō),典型值是2.5;指數m=1~1.3(當磁損耗單純地由磁滯損耗引起時(shí),m=1;當f=10~100khz時(shí),m=1.3;當f>100khz時(shí),m將隨頻率增高而增大,見(jiàn)圖2,這個(gè)額外損耗是由于渦流損耗或剩余損耗引起的)。很明顯,對于高頻運行的鐵氧體材料,要努力減小m值。
4 工作磁通密度
變壓器工作磁通密度(可允許磁通密度偏移)受兩方面限制:首先是受磁芯損耗引起的可允許溫升△θf(wàn)e的限制;另一方面,也受鐵氧體材料飽和磁通密度值的限制。
對單端正向型變壓器,工作磁通密度△b=bm-br;對推挽式變壓器,工作磁通密度△b=2bm。
根據(2)式,當工作磁通密度提高時(shí),磁芯損耗將以2.5次方指數上升,從而造成變壓器溫升,因此設計的工作磁通密度首先受磁芯溫升值限制,其關(guān)系式為

當計算出的磁通密度值較高時(shí),△b還應受磁芯材料可允許磁通密度偏移△badm(此值與材料高溫下bs值相對應)所限制。
在這里,必須注意對不等截面磁芯(如e型磁芯),在最小橫截面amin處有較高的磁通密度。為避免磁芯飽和,還必須按下式計算:

由(3)、(4)式所得到的最小磁密偏移值,即為可允許的變壓器工作磁通密度值。
5 材料性能因子
由鐵氧體磁芯制成的變壓器,其通過(guò)功率直接正比于工作頻率f和最大可允許磁通密度bmax的乘積((1)式)。很明顯,對傳輸相同功率來(lái)說(shuō),高的(f bmax)乘積允許小的磁芯體積;反之,相同磁芯尺寸的變壓器,采用高(f bmax)的鐵氧體材料,可傳輸更大的功率。我們將此乘積稱(chēng)為“性能因子”(pf),這是與鐵氧體材料有關(guān)的參數,良好的高頻功率鐵氧體顯示出高的(fbmax)值。圖3示出德國西門(mén)子公司幾種鐵氧體材料的性能因子(pf)與頻率的關(guān)系,功率損耗密度定為300mw/cm3(100℃),可用來(lái)度量可能的通過(guò)功率??梢钥吹?,經(jīng)改進(jìn)過(guò)的h49i材料在900khz時(shí)達到最大的(f bmax)為3700hzt,比原來(lái)生產(chǎn)的h49材料有更高的值,而n59材料則可使用到f=1mhz以上頻率。


為了得到最佳的功率傳輸,變壓器溫升通常分為二個(gè)相等的部分:磁芯損耗引起的溫升△θf(wàn)e和銅損引起的溫升△θcu。關(guān)于磁芯總損耗與溫升的關(guān)系如圖5所示。對相同尺寸的磁芯(rm14磁芯),采用不同的鐵氧體材料(熱阻系數不同),其溫升值是不同的,其中n67材料有比其它材料更低的熱阻。于是,磁芯溫升與磁芯總損耗的關(guān)系可用下式表示:
△θf(wàn)e =rth·p fe (5)
式中,rth即為熱阻,定義為每瓦特總消散時(shí)規定熱點(diǎn)處的溫升(k/w)。鐵氧體材料的熱傳導系數,磁芯尺寸及形狀對熱阻有影響,并可用下述經(jīng)驗公式來(lái)表示:


7 磁芯總損耗
軟磁鐵氧體磁芯總損耗通常是由三部分構成的:磁滯損耗ph,渦流損耗pe和剩余損耗pr。每種損耗產(chǎn)生的頻率范圍是不同的。磁滯損耗正比于直流磁滯回線(xiàn)的面積,并與頻率成線(xiàn)性關(guān)系,即

渦流損耗pe可用下式表示:
pe=cef2b2/ρ
式中,ce是尺寸常數,ρ是在測量頻率f時(shí)的電阻率。

最近發(fā)現,當電源變壓器磁芯工作在達mhz頻率時(shí),剩余損耗已占支配地位,采用細晶粒鐵氧體已成功地縮小了此損耗的貢獻。對mnzn鐵氧體來(lái)說(shuō),在mhz頻率出現鐵磁諧振,形成了鐵氧體的損耗。最近有人提出[5],當鐵氧體的磁導率μi隨晶粒尺寸減小而降低時(shí),snoek定律仍是有效的,也就是說(shuō),細晶粒材料顯示出高的諧振頻率,因此可用于更高頻率。另外,對晶粒尺寸小到納米級的鐵氧體材料研究表明,在此頻段還應考慮晶粒內疇壁損耗。
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