LTCC實(shí)現SIP的優(yōu)勢和特點(diǎn)
引言
LTCC技術(shù)是近年來(lái)興起的一種令人矚目的整合組件技術(shù),由于LTCC材料優(yōu)異的電子、機械、熱力特性,廣泛用于基板、封裝及微波器件等領(lǐng)域,是實(shí)現系統級封裝的重要途徑?,F在已經(jīng)研制出了把不同功能整合在一個(gè)器件里的產(chǎn)品,成功地應用在無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)、地面數字廣播、全球定位系統接收機、微波系統等,及其他電源子功能模塊、數字電路基板等方面。
本文主要討論基于LTCC技術(shù)實(shí)現SIP的優(yōu)勢和特點(diǎn),并結合開(kāi)發(fā)的射頻前端SIP給出了應用實(shí)例。
1 LTCC技術(shù)實(shí)現SIP的優(yōu)勢特點(diǎn)
LTCC技術(shù)是將低溫燒結陶瓷粉末制成厚度精確而且致密的生瓷帶,在生瓷帶上利用沖孔或激光打孔、微孔注漿、精密導體漿料印刷等工藝制作出所需要的電路圖形,并可將無(wú)源元件和功能電路埋人多層陶瓷基板中,然后疊壓在一起,在850~900℃下燒結,制成三維空間的高密度電路?;贚TCC的 SIP相比傳統的SIP具有顯著(zhù)的優(yōu)勢,最大優(yōu)點(diǎn)就是具有良好的高速、微波性能和極高的集成度。具體表現在以下幾方面:
(1)IXCC技術(shù)采用多層互連技術(shù),可以提高集成度,IBM實(shí)現的產(chǎn)品已經(jīng)達到一百多層。NTT未來(lái)網(wǎng)絡(luò )研究所以L(fǎng)TCC模塊的形式制作出用于發(fā)送毫米波段60GHz頻帶的SIP產(chǎn)品,尺寸為12 mm×12 mm×1.2 mm,18層布線(xiàn)層由0.1 mm×6層和0.05 mm×12層組成,集成了帶反射鏡的天線(xiàn)、功率放大器、帶通濾波器和電壓控制振蕩器等元件。LTCC材料厚度目前已經(jīng)系列化,一般單層厚度為10~100 μm。
(2)LTCC可以制作多種結構的空腔,并且內埋置元器件、無(wú)源功能元件,通過(guò)減少連接芯片導體的長(cháng)度與接點(diǎn)數,能集成的元件種類(lèi)多,易于實(shí)現多功能化和提高組裝密度。提高布線(xiàn)密度和元件集成度,減少了SIP外圍電路元器件數目,簡(jiǎn)化了與SIP連接的外圍電路設計和降低了電路組裝難度和成本。
(3)根據配料的不同,LTCC材料的介電常數可以在很大的范圍內變動(dòng),可根據應用要求靈活配置不同材料特性的基板,提高了設計的靈活性。比如一個(gè)高性能的SIP可能包含微波線(xiàn)路、高速數字電路、低頻的模擬信號等,可以采用相對介電常數為3.8的基板來(lái)設計高速數字電路;相對介電常數為6~80 的基板完成高頻微波線(xiàn)路的設計;介電常數更高的基板設計各種無(wú)源元件,最后把它們層疊在一起燒結完成整個(gè)SIP的設計。另外,由于共燒溫度低,可以采用 Au、Ag、cu等高電導率的材料作為互連材料,具有更小的互連導體損耗,特別適合高頻、高速電路的應用。
(4)基于LTCC技術(shù)的SIP具有良好的散熱性?,F在的電子產(chǎn)品功能越來(lái)越多,在有限的空間內集成大量的電子元器件,散熱性能是影響系統性能和可靠性的重要因素。LTCC材料具有良好的熱導率,據研究其熱導率是有機材料的20倍,并且由于LTCC的連接孔采用是填孔方式,能夠實(shí)現較好的導熱特性。
(5)基于LTCC技術(shù)的SIP同半導體器件有良好的熱匹配性能。LTCC的TCE(熱膨脹系數)與Si、GaAs、InP接近,可以直接在基板上進(jìn)行芯片的組裝,這對于采用不同芯片材料的SIP有著(zhù)非同一般的意義。
高頻、高速、高性能、高可靠性是數字3C產(chǎn)品發(fā)展必然的趨勢。預計到2010年SIP的布線(xiàn)密度可達6 000 cm/cm2,熱密度達到100 W/cm2,元件密度達5 000/cm2,I/O密度達3 000/cm2?;贚TCC技術(shù)的SIP在這些高集成度、大功率應用中,在材料,工藝等方面必將進(jìn)入一個(gè)全新的發(fā)展階段,在未來(lái)的應用中占據著(zhù)越來(lái)越重要的地位。
2 應用實(shí)例
基于LTCC技術(shù),本文研制了一個(gè)射頻接收前端SIP,并由十三所的IXCC工藝完成。文中采用的工藝最小線(xiàn)寬、線(xiàn)間距均為50 μm;孔直徑170 μm;同一通孔處最大可以通孔15層;電容值范圍為1.0~100 pF;電感值范圍為1.0~40 nH;電阻槳料方阻為10 Ω/□、100Ω/□和1 kΩ/□,寬度最小0.2 mm,長(cháng)度最小0.3 mm,電阻控制精度為內部±20%,表面為±5%。

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