基于TOPSwitch Ⅱ的開(kāi)關(guān)電源設計
1 引言
功率開(kāi)關(guān)管、pwm控制器和高頻變壓器是開(kāi)關(guān)電源必不可少的組成部分。傳統的開(kāi)關(guān)電源一般均采用分立的高頻功率開(kāi)關(guān)管和多引腳的pwm集成控制器,例如采用uc3842+mosfet是國內小功率開(kāi)關(guān)電源中較為普及的設計方法。
90年代以來(lái),出現了pwm/mosfet二合一集成芯片,他大大降低了開(kāi)關(guān)電源設計的復雜性,減少了開(kāi)關(guān)電源設計所需的時(shí)間,從而加快了產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)的速度。
二合一集成控制芯片多采用3腳,4腳,5腳,7腳和8腳封裝,其中美國功率集成公司于97年推出的三端脫線(xiàn)式topswitch ⅱ系列二合一集成控制器件,是該類(lèi)器件的代表性產(chǎn)品。
2 topswitch ⅱ器件簡(jiǎn)介
topswitch系列器件是三端脫線(xiàn)式pwm開(kāi)關(guān)(three-terminal off-line pwm swtich)的英文縮寫(xiě)。topswitch系列器件僅用了3個(gè)管腳就將脫線(xiàn)式開(kāi)關(guān)電源所必需的具有通態(tài)可控柵極驅動(dòng)電路的高壓n溝道功率的mos場(chǎng)效應管,電壓型pwm控制器,100khz高頻振蕩器,高壓?jiǎn)?dòng)偏置電路,帶隙基準,用于環(huán)路補償的并聯(lián)偏置調整器以及誤差放大器和故障保護等功能全部組合在一起了。
topswitch ⅱ系列器件是topswitch的升級產(chǎn)品,同后者相比,內部電路做了許多改進(jìn),器件對于電路板布局以及輸入總線(xiàn)瞬變的敏感性大大減少,故設計更為方便,性能有所增強。其型號包括top221-top227,內部結構如圖1所示[1]。

topswitch ⅱ是一個(gè)自偏置、自保護的電流-占空比線(xiàn)性控制轉換器。由于采用cmos工藝,轉換效率與采用雙集成電路和分立元件相比,偏置電流大大減少,并省去了用于電流傳導和提供啟動(dòng)偏置電流的外接電阻。
漏極 連接內部mosfet的漏極,在啟動(dòng)時(shí),通過(guò)內部高壓開(kāi)關(guān)電流源提供內部偏置電流。
源極 連接內部mosfet的源極,是初級電路的公共點(diǎn)和基準點(diǎn)。
控制極 誤差放大電路和反饋電流的輸入端。在正常工作時(shí),由內部并聯(lián)調整器提供內部偏流。系統關(guān)閉時(shí),可激發(fā)輸入電流,同時(shí)也是提供旁路、自動(dòng)重啟和補償功能的電容連接點(diǎn)。
控制電壓 控制極的電壓vc給控制器和驅動(dòng)器供電或提供偏壓。接在控制極和源極之間的外部旁路電容ct,為柵極提供驅動(dòng)電流,并設置自動(dòng)恢復時(shí)間及控制環(huán)路的補償。在正常工作(輸出電壓穩定)時(shí),反饋控制電流給vc供電,并聯(lián)穩壓器使vc保持在4.7v。在啟動(dòng)時(shí),控制極的電流由內部接在漏極和控制極之間的高壓開(kāi)關(guān)電流源提供??刂茦O電容ct放電至閾值電壓以下時(shí),輸出mosfet截止,控制電路處于備用方式。此時(shí)高壓電流源接通,并再次給電容ct充電。通過(guò)高壓電流源的接通和斷開(kāi),使vc保持在4.7-5.7v之間。
帶隙基準 topswitch ⅱ內部電壓取自具有溫度補償的帶隙基準電壓。此基準電壓也能產(chǎn)生可微調的溫度補償電流源,用來(lái)精確地調節振蕩器的頻率和mosfet柵極驅動(dòng)電流。
振蕩器 內部振蕩器通過(guò)內部電容線(xiàn)性地充電放電,產(chǎn)生脈寬調制器所需的的鋸齒波電壓。為了降低emi并提高電源的效率,振蕩器額定頻率為100khz。
脈寬調制器 流入控制極的電流在re兩端產(chǎn)生的壓降,經(jīng)rc電路濾波后,加到pwm比較器的同相輸入端,與振蕩器輸出的鋸齒波電壓比較,產(chǎn)生脈寬調制信號,該信號驅動(dòng)輸出mosfet實(shí)現電壓型控制。正常工作時(shí),內部mosfet輸出脈沖的占空比隨著(zhù)控制極電流的增加而線(xiàn)性減少,如圖2所示[1]。

柵極驅動(dòng)器 柵極驅動(dòng)器以一定速率使輸出mosfet導通。為了提高精確度,柵極驅動(dòng)電流還可以進(jìn)行微調逐周限流。逐周限流電路用輸出mosfet的導通電阻作為取樣電阻,限流比較器將mosfet導通時(shí)的漏源電壓與閾值電壓vilimit進(jìn)行比較。漏極電流過(guò)大時(shí),漏源電壓超過(guò)閾值電壓,輸出mosfet關(guān)斷,直到下一個(gè)周期,輸出mosfet才能導通。
誤差放大器 誤差放大器的電壓基準取自溫度補償帶隙基準電壓;誤差放大器的增益則由控制極的動(dòng)態(tài)阻抗設定。
系統關(guān)閉/自動(dòng)重動(dòng) 為了減少功耗,當超過(guò)調整狀態(tài)時(shí),該電路將以5%的占空比接通和關(guān)斷電源。
過(guò)熱保護 當結溫超過(guò)熱關(guān)斷溫度(135℃)時(shí),模擬電路將關(guān)斷輸出mosfet。
高壓偏流源 在啟動(dòng)期間,該電流源從漏極偏置topswitch ⅱ,并對控制極外界電容ct充電。
在topswitch ⅱ系列中,top225-top227采用to-220封裝形式,而top221-top224則有to-220和dip-8,smd-8三種封裝形式,如圖3所示[1]??紤]到dip-8和smd-8的散熱情況,采用這2種封裝形式的器件輸出功能要適當降低。

3 topswitch ⅱ應用于反激式功率變換電路
在開(kāi)關(guān)電源電路中,基本類(lèi)型有5種:?jiǎn)味朔醇な?、單端正激式、推挽式、半橋式和全橋式。對?00w以下的開(kāi)關(guān)電源,多采用單端反激式變換器,反激式功率變換電路中的變壓器,除了起隔離作用之外,還具有儲能的功能。反激式功率變換電路結果比較簡(jiǎn)單,輸出電壓不受輸入電壓的限制,亦可提供多路電壓輸出。topswitch ⅱ系列應用于單端反激式變換器,典型用法如圖4所示[2]。

在圖4中,(a)將偏置線(xiàn)圈通過(guò)限流電阻直接作為topswitch ⅱ控制極的輸入;(b)在(a)的基礎上增加了穩壓管,是(a)的增強型;(c)中輸出電壓通過(guò)光耦作用于topswitch ⅱ控制極,在輸出電壓反饋精度上有所提高;(d)在(c)基礎上增加了精密基準tl431,使得輸出穩壓精度和負載調整率都能獲得較高的精度。4種變換電路的效果如表1所示。

4 應用實(shí)例
圖5為輸入電壓為85-265v,輸出為15v的反激式開(kāi)關(guān)電源實(shí)際電路。其采用圖4中(d)的反饋電路形式。

交流電壓經(jīng)整流橋v2整流和c2濾波后,產(chǎn)生的高壓直流電壓加至變壓器一端,變壓器另一端與top224的漏極相連。r9,c8和v3為緩沖吸收電路,用以吸收top224在關(guān)斷過(guò)程中由于變壓器漏感引起的電壓尖峰過(guò)沖。
偏置線(xiàn)圈經(jīng)v7和c2整流濾波后產(chǎn)生top224所需的偏置電壓;c6能夠濾除top224內部mosfet柵極充電電流的峰值,確定重新啟動(dòng)的頻率,并與r1,r2一起補償控制回路。
tlp431并聯(lián)穩壓器內部包含2.5v帶隙基準電壓、運算放大器和驅動(dòng)器,作次級基準誤差放大器用。調節rp1可對輸出電壓實(shí)現微調。當輸出電壓受某種原因發(fā)生波動(dòng)時(shí),通過(guò)tl431等器件組成的反饋電路,改變流過(guò)光耦pc817的發(fā)光二極管的電流,從而改變流入top224控制極的電流,調整top224內部mosfet的輸出占空比,使輸出電壓重新穩壓。
5 結語(yǔ)
采用topswitch ⅱ器件的開(kāi)關(guān)電源與采用分立的mosfet功率開(kāi)關(guān)及pwm集成控制器的開(kāi)關(guān)電源相比,具有以下特點(diǎn):
(1)成本低廉
topswitch ⅱ采用cmos工藝制作,并在芯片中集成了盡可能多的功能,故與傳統的功率開(kāi)關(guān)電路相比,偏置電流顯著(zhù)降低;開(kāi)關(guān)電源所需的功能集成于芯片中后,外部的電流傳感電阻和初始啟動(dòng)偏壓電流的電路均可除去,可大量減少元器件,使產(chǎn)品的成本和體積均大大減少;
(2)電源設計簡(jiǎn)化
topswitch ⅱ器件集成了pwm控制器和高壓mosfet,只需外接一個(gè)電容就能實(shí)現補償、旁路、啟動(dòng)和自動(dòng)重啟功能;
(3)功能完善的保護
topswitch ⅱ具有自動(dòng)重啟和逐周電流限制功能,可對功率變壓器初級和次級電路的故障進(jìn)行保護;其還具有過(guò)熱保護和過(guò)流保護功能,可在電路過(guò)載時(shí)有效地保護電源。
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