MAXQ構架上閃存和SRAM存儲器的分配
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MAXQ架構是一種基于標準Harvard結構、功能強大的單周期RISC微控制器，程序和數據存儲總線(xiàn)相互獨立。這種組織形式要求每個(gè)存儲器具有專(zhuān)用總線(xiàn)(圖1)，所以可同時(shí)讀取指令和操作數。由于不存在單條數據總線(xiàn)的沖突問(wèn)題，MAXQ指令的執行時(shí)間僅需要單個(gè)周期。
圖1. Harvard結構
每個(gè)MAXQ器件采用以下存儲器類(lèi)型：
SRAM
固定用途ROM
MAXQ器件也可從閃存、固定用途ROM或SRAM執行程序代碼。從某個(gè)存儲器段執行程序代碼時(shí)，其它兩個(gè)存儲器段可作為數據存儲器(更多詳細信息，請參閱從閃存執行程序和執行固定用途ROM函數部分)。這是因為程序和數據存儲器總線(xiàn)不能同時(shí)存取同一存儲器段。
有人可能認為采用Harvard結構的MAXQ微控制器也不能在非易失閃存中儲存數據。然而，MAXQ器件內嵌固定用途ROM函數，允許讀、寫(xiě)非易失閃存數據。
從閃存執行程序
MAXQ器件中，從閃存執行應用程序時(shí)，數據存儲器為SRAM(讀和寫(xiě))和固定用途ROM(只讀)。從閃存執行代碼時(shí)，數據存儲器映射請參見(jiàn)表1，存儲器映射參見(jiàn)圖2。
SRAM數據存儲器在存儲器映射中位于地址0x0000至0x07FF (字節尋址模式下)或地址0x0000至0x03FF (字尋址模式下)。
固定用途ROM在存儲器映射中位于地址0x8000至0x9FFFh (字節模式)或地址0x8000至0x8FFF (字尋址模式下)。
| 表1. 從閃存執行應用代碼時(shí)的數據存儲器映射 | ||||
| Addressing Mode | SRAM | Utility ROM | ||
| Start Address | End Address | Start Address | End Address | |
| Byte Mode | 0x0000 | 0x07FF | 0x8000 | 0x9FFF |
| Word Mode | 0x0000 | 0x03FF | 0x8000 | 0x8FFF |
圖2. 從閃存執行應用代碼時(shí)的存儲器映射
執行固定用途ROM函數
執行固定用途ROM函數時(shí)，數據存儲器為SRAM(讀和寫(xiě))和閃存(讀和寫(xiě))。從閃存執行應用程序且變量或數據對象位于閃存時(shí)，可通過(guò)固定用途ROM函數讀或寫(xiě)這些變量或數據對象。通過(guò)跳轉至執行固定用途ROM函數，即可將閃存作為數據進(jìn)行存取。從固定用途ROM執行代碼時(shí)，數據存儲器映射請參見(jiàn)表2，存儲器映射參見(jiàn)圖3。
SRAM數據存儲器在存儲器映射中位于地址0x0000至0x07FF (字節尋址模式下)或地址0x0000至0x03FF (字尋址模式下)。
字節尋址模式下，CDA0 = 0時(shí)，閃存的低半部分在存儲器映射中位于地址0x8000至0xFFFFh；CDA0 = 1時(shí)，閃存的高半部分在存儲器映射中位于地址0x8000至0xFFFFh。字尋址模式下，閃存在存儲器映射中位于地址0x8000至0xFFFF。
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