集成電路可靠性試驗―鹽霧技術(shù)研究

　　3.4 流速

　　在氧濃度、溫度、鹽濃度一定時(shí)，流速的增加，使擴散層厚度δ減小，由公式(5)可知，極限電流密度id變大，所以腐蝕速度增加。再看試驗結果表1中的③，流速變大后，電路表面的腐蝕現象增加了，也就是說(shuō)腐蝕速度是與流速成正比關(guān)系的。

　　3.5 樣品擺放的影響

　　從表1④看，腐蝕現象隨角度變大而變得嚴重，我們研究該現象嚴重的原因。

　　圖3中左圖為樣品擺放的位置,右圖為鹽霧顆粒在蓋板上的受力情況。

　　下面來(lái)看一下鹽霧顆粒在樣品表面停留的時(shí)間。假定顆粒從樣品表面蓋板的上端向下端流動(dòng)，設蓋板的長(cháng)度為L(cháng)，根據圖3中右圖的顆粒受力情況及動(dòng)力學(xué)原理，得出：

　　從公式(8)中可知，樣品偏離垂直方向的角度α與時(shí)間t成正比,即當α=0°時(shí)，t最小;當α=90°時(shí)，t最大，鹽霧顆粒在樣品表面時(shí)間越長(cháng)，鹽沉積在表面蓋板上的就越多，對樣品的破壞性就越大。當角度為0°時(shí)，樣品放置會(huì )不穩定;角度為90°時(shí)，因鹽沉積量太大而影響試驗的作用。因此，角度在10°-80°比較合適，一般取45°，即可使流速快又可使鹽沉積在蓋板上不多。該角度便于調制而且樣品放置方便。

　　4 結論

　　通過(guò)以上的試驗與結果分析，我們可以認為在溫度小于35℃前，腐蝕速度與溫度成正比關(guān)系;當超過(guò)35℃后，腐蝕速度與溫度成反比關(guān)系;在35℃腐蝕速度達到最大。鹽濃度小于3%前，腐蝕速度與濃度成正比關(guān)系;當鹽濃度超過(guò)3%后，腐蝕速度與鹽濃度成反比關(guān)系;在3%時(shí)腐蝕速度達到最大。氧溶解度對腐蝕速度的影響是與溫度與鹽濃度相關(guān)的。采用溫度35℃、鹽濃度3%進(jìn)行鹽霧試驗可以在最短時(shí)間并且最有效地反映集成電路封裝的抗腐蝕能力。樣品的擺放偏離垂直方向的角度越大，試驗越嚴酷，越小越寬松，試驗時(shí)的角度為45°，可以?xún)烧呒骖櫋?/P>