集成電路可靠性試驗―鹽霧技術(shù)研究

1 前言

　　鹽霧試驗是集成電路可靠性試驗之一，它可以用來(lái)檢驗產(chǎn)品的抗腐蝕環(huán)境能力的強弱。而鹽霧試驗所需的條件又比較多，這些條件會(huì )對試驗產(chǎn)生一定的影響。

　　2 試驗

　　一般我們做鹽霧試驗的條件是鹽液：NaCl(無(wú)水);pH值：6.5～7.2;溫度：32-38℃;鹽霧沉積率：20000～50000/m2 (24h);鹽霧持續時(shí)間：24h，48h，96h，240h;鹽濃度：0.5%-3%。

　　鹽霧沉積率與鹽濃度是相對應的，這是因為它們之間的對應關(guān)系如下式

　　Sd為鹽霧沉積率;[Cl]-為氯離子濃度。

　　因為鹽濃度就是氯離子濃度,所以鹽濃度與鹽霧沉積率之間是相對應的。

　　根據以上條件可以判斷，在進(jìn)行鹽霧試驗時(shí)，影響試驗的主要條件有以下幾點(diǎn)：溫度;鹽液濃度;氧的溶解度;流速。

　　為了驗證以上的條件對試驗的影響，本文選用若干表面干凈的電路按下列方法進(jìn)行試驗驗證。

　　方法1：鹽選用NaCl(無(wú)水);溫度為35℃;時(shí)間為24h。流速一定;按鹽濃度為1%，2%，3%，4%，5%分五組進(jìn)行試驗，每一組五個(gè)電路。

　　方法2：鹽選用NaCl(無(wú)水);濃度為3%;鹽霧沉積率為50000/m2*24h;時(shí)間為24h。流速一定;按溫度20℃，25℃，30℃，35℃，40℃，50℃分六組進(jìn)行試驗，每一組五個(gè)電路。

　　方法3：鹽選用NaCl(無(wú)水);濃度為3%;鹽霧沉積率為50000/m2(24h);時(shí)間為24h。溫度為35℃;按流速正常和流速變大分兩組進(jìn)行試驗，每一組五個(gè)電路。

　　另外，為了研究樣品的擺放對試驗的影響，我們用方法4進(jìn)行試驗。

　　方法4：將15只樣品平均分成三組，蓋板向上，樣品偏離垂直方向30°,45°,75°,90°進(jìn)行試驗，其他試驗條件是：鹽選用NaCl(無(wú)水);濃度為3%;鹽霧沉積率為：50000/m2(24h);時(shí)間為24h。流速一定;溫度為35℃。

　　試驗后用純凈水清洗電路，放置1小時(shí)后，試驗結果見(jiàn)表1。