使用時(shí)間可控發(fā)射方法來(lái)進(jìn)行模擬電路的失效分析 作者： 時(shí)間：2013-11-30 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò ) 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對面交流海量資料庫查詢(xún) 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 體管與D2S接口的部分不匹配將導致事件發(fā)生器增益的減少。 晶體管參數0.5%的不匹配就會(huì )對預期的波形產(chǎn)生影響。這對模擬電路非常重要，這也表明TRE能用于診斷模擬電路內部敏感的不匹配問(wèn)題。這樣的晶體管不匹配將導致器件的失效并最終需要重新設計芯片。通過(guò)相應的掩模板修改和重新流片我們能生產(chǎn)出功能正常的芯片。 模擬電路文章專(zhuān)題:模擬電路基礎 上一頁(yè) 1 2 下一頁(yè)
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