當AI加速落地，這些企業(yè)級SSD新品不容錯過(guò)

COMPUTEX 2025期間，AI基礎建設當仁不讓的成為了重要話(huà)題。特別是隨著(zhù)AI應用的不斷挖掘，AI算力設施就像是互聯(lián)網(wǎng)設施、電力設施一般變得不可替代，如何將數據中心升級成AI工廠(chǎng)已經(jīng)成為行業(yè)考慮的問(wèn)題。

當DeepSeek等AI新方案崛起，AI基礎設施的重心不再過(guò)分倚重于GPU單一硬件，而是分配更多的資源到強大的并行能力、存儲方案中，以解決更為細分的應用場(chǎng)景，當雪藏的數據被重新啟用，由冷數據變成溫數據的時(shí)候，機械硬盤(pán)開(kāi)始難以承擔高速讀寫(xiě)和數據傳輸的重任，在機械硬盤(pán)和固態(tài)硬盤(pán)中間找到成本、容量、性能的平衡點(diǎn)變得非常重要，企業(yè)級的QLC技術(shù)進(jìn)而被推向前臺。

QLC技術(shù)推向市場(chǎng)已經(jīng)有一段時(shí)間，但以往的QLC受限于技術(shù)原因，讀寫(xiě)速度和壽命均受到詬病，以至于很長(cháng)時(shí)間內難以在企業(yè)級市場(chǎng)得到推廣。隨著(zhù)近年來(lái)半導體工藝制成技術(shù)的不斷提升，存儲密度和邏輯電路不斷優(yōu)化和升級，QLC的可靠性和讀寫(xiě)速率都得到了質(zhì)的飛躍。例如鎧俠通過(guò)CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）技術(shù)將存儲單元與邏輯單元分配到兩個(gè)晶圓上分別制造，從而可以根據不同單元的制造特性?xún)?yōu)化流程，并獲得更好的效能。

值得注意的是，鎧俠第八代BiCS FLASH? TLC和QLC產(chǎn)品均使用了CBA技術(shù)，從而實(shí)現了33%的NAND接口速度提升，達到4.8Gb/s。此外，該技術(shù)也顯著(zhù)提升了數據輸入/輸出的能效，輸入功耗降低10%，輸出功耗降低34%，成功實(shí)現了高性能與低功耗的最優(yōu)平衡。

以此為基礎，基于鎧俠第八代BiCS FLASH? QLC NAND的鎧俠LC9系列固態(tài)硬盤(pán)在近期發(fā)布，讓存儲容量來(lái)到了122.88TB，0.3DWPD耐久度，支持雙端口2.5英寸外形尺寸，并符合NVMe? 2.0、NVMe-MI? 和PCIe? 5.0 規范（支持Gen5 單 x4、雙 x2配置，最高可達128 GT/s）。

得益于鎧俠第八代BiCS FLASH? QLC NAND的高效傳輸，鎧俠LC9系列固態(tài)硬盤(pán)很好的兼顧了性能和價(jià)格，為AI計算溫數據提供了海量的存儲空間，進(jìn)而加速AI應用落地，為企業(yè)客戶(hù)搶占更多市場(chǎng)先機。

如果追求更高性能，與鎧俠LC9系列同期推出的鎧俠CM9系列非常值得關(guān)注，這款產(chǎn)品鎧俠第八代BiCS FLASH? TLC NAND打造，與上一代 KIOXIA CM7 系列相比，KIOXIA CM9 系列固態(tài)硬盤(pán)的隨機寫(xiě)入性能提升高達 65%，隨機讀取性能提升高達 55%，順序寫(xiě)入性能提升高達 95%。此外，其每瓦性能也得到提升：順序讀取效率提升約 55%，順序寫(xiě)入效率提升約 75%。

同樣，鎧俠CM9系列符合 PCIe^? 5.0、NVMe? 2.0、NVMe-MI? 1.2c 和 OCP 數據中心 NVMe? SSD 2.5 規范，支持 2.5 英寸和 E3.S 外形尺寸的雙端口，   順序讀寫(xiě)性能（128 KiB/QD32）– 讀取速度 14.8 GB/s，寫(xiě)入速度 11 GB/s，隨機性能（4KiB）達到 3,400 KIOPS (QD512) 和 800 KIOPS (QD32)，是優(yōu)秀的旗艦級產(chǎn)品， 2.5 英寸容量高達 61.44 TB，E3.S 容量高達 30.72 TB，是一款表現優(yōu)秀的企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)。

無(wú)論TLC還是QLC技術(shù)，鎧俠企業(yè)級和數據中心級固態(tài)硬盤(pán)，已經(jīng)給客戶(hù)的AI應用準備好了更為高效、可靠的存儲解決方案。通過(guò)與行業(yè)合作伙伴不斷加深合作，不斷挖掘數據存儲效率新價(jià)值，為AI計算提供可靠的存儲后盾，探索更多AI的可能性。