2025存儲前瞻：用存儲加速AI，高性能SSD普適化

縱觀(guān)2024年，存儲技術(shù)升級已經(jīng)給AI計算、云端應用帶來(lái)了諸多便利，從年初鎧俠首款量產(chǎn)車(chē)規級UFS4.0推動(dòng)行業(yè)發(fā)展， 到RM、PM 和XG系列SSD與HPE攜手登陸國際空間站，再到推出容量高達2Tb的第八代BiCS FLASH? QLC，展示下一代前瞻性的光學(xué)結構SSD，鎧俠與合作伙伴一起，不僅滿(mǎn)足了時(shí)下的存儲應用需求，并已經(jīng)為未來(lái)存儲鋪墊全新的技術(shù)可行性。

1   更大容量的存儲

AI計算對企業(yè)級存儲提出了更為嚴苛的要求，Tera級別參數的大模型可以輕松裝滿(mǎn)一塊30TB 的企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)，更大容量的存儲解決方案勢在必行。在年初，鎧俠正式發(fā)布第八代BiCS FLASH?，并應對市場(chǎng)要求，提供TLC和QLC兩個(gè)系列產(chǎn)品線(xiàn)。

其中QLC能夠更好的在單位空間內提升存儲容量，第八代BiCS FLASH? 2Tb QLC的位密度比鎧俠目前所采用的第五代BiCS FLASH?的QLC產(chǎn)品提高了約2.3倍，寫(xiě)入能效比提高了約70%。不僅如此，全新的QLC產(chǎn)品架構可在單個(gè)存儲器封裝中堆疊16個(gè)芯片，為業(yè)界提供領(lǐng)先的4TB 容量，并采用更為緊湊的封裝設計，尺寸僅為11.5x13.5mm，高度為1.5mm。

這意味著(zhù)，未來(lái)采用第八代BiCS FLASH QLC的存儲產(chǎn)品在存儲空間擁有質(zhì)的飛躍，可以輕松將企業(yè)級SSD和數據中心級SSD容量提升至120TB 以上。Pure Storage公司已經(jīng)開(kāi)始對第八代BiCS FLASH? 2Tb QLC閃存產(chǎn)品展開(kāi)測試，并認為利用BiCS FLASH?技術(shù)的統一全閃存數據存儲平臺不僅能夠滿(mǎn)足人工智能的嚴苛要求，還能實(shí)現極具競爭力的備份存儲成本。

另外，第八代BiCS FLASH?全面優(yōu)化了邏輯電路，在存儲密度提升50%以上的同時(shí)，NAND I/O速度提升可達60%以上，可實(shí)現3200MT/s的傳輸速率，并大幅改善的讀取延遲，能夠從數據中心、個(gè)人電腦都提供更高的存儲容量，并允許產(chǎn)品騰出更多的空間，留給電池、個(gè)性化，以及輕薄設計。

2   PCIe 5.0與EDSFF加速部署

PCIe 6.0到PCIe 7.0規范愈發(fā)成熟，PCIe 5.0 企業(yè)級存儲也進(jìn)入到了加速普及的時(shí)間點(diǎn)。在今年10 月份，鎧俠正式發(fā)布了全新XD8系列PCIe^? 5.0 EDSFF（企業(yè)和數據中心標準型）E1.S固態(tài)硬盤(pán)。它是鎧俠第三代E1.S固態(tài)硬盤(pán)，符合PCIe 5.0（32 GT/s x 4）和NVMe 2.0規范，并支持開(kāi)放計算項目（OCP）數據中心NVMeSSD v2.5規范。

PCIe 5.0提供了相對PCIe 4.0 倍的傳輸效率，其高帶寬和低延遲特性允許SSD在高負載場(chǎng)合下提供更多并發(fā)訪(fǎng)問(wèn)的可能性，更高的IOPS也允許服務(wù)器在A(yíng)I、數據庫、虛擬化、多媒體編輯中展現出至關(guān)重要的作用。

不僅如此，當EDSFF 規范與PCIe 5.0 搭配更是將效率提升了一個(gè)級別，EDSFF 規范在散熱上具備更高的效率，配合SSD設計可以獲得更高的存儲密度，靈活的接口形態(tài)以及對Compute Express Link? (CXL?)的支持，給存儲解決方案提供更多靈活、快速的配置。

剛剛推出的鎧俠XD8系列已經(jīng)做好為下一代存儲提供支持的準備，它專(zhuān)為云和超大規模環(huán)境設計，滿(mǎn)足數據中心對高性能、高效率和高可擴展性的日益增長(cháng)的需求。通過(guò)這款新的固態(tài)硬盤(pán)，云服務(wù)提供商和超大規模企業(yè)能夠優(yōu)化基礎設施，在保持運營(yíng)效率的同時(shí)提供卓越的性能。

3   打造未來(lái)存儲

在后5G 信息和通信時(shí)代，AI已經(jīng)開(kāi)始產(chǎn)生前所未有的數據量。鎧俠也在積極探討前瞻性存儲的更多可能性，比如例如基于相變存儲原理打造的XL-FLASH存儲級內存（Storage Class Memory, SCM）與CXL相結合，開(kāi)發(fā)相較DRAM 功耗更低、位密度更高，相較閃存讀取速度更快的存儲器。這不僅會(huì )提高存儲器利用效率，還有助于節能。

按位密度和讀取時(shí)間劃分的存儲器類(lèi)別

在車(chē)規級存儲領(lǐng)域，鎧俠已經(jīng)獲得已獲得汽車(chē)軟件過(guò)程改進(jìn)及能力評定（Automotive SPICE^?，ASPICE）二級認證（CL2）。鎧俠是首家在車(chē)規級UFS 4.0 產(chǎn)品上獲得該認證的公司，意味著(zhù)鎧俠車(chē)規級UFS 4.0 已經(jīng)進(jìn)入結構化的項目管理和軟件開(kāi)發(fā)流程，以確保產(chǎn)品質(zhì)量的一致性和可追溯性，不僅滿(mǎn)足汽車(chē)制造商和一級供應商對車(chē)規級UFS 4.0設備嚴苛的軟件開(kāi)發(fā)和質(zhì)量標準要求，也意味著(zhù)在未來(lái)的高性能車(chē)規級多媒體系統中，將會(huì )鎧俠車(chē)規級UFS 4.0的身影。

另外，鎧俠還宣布開(kāi)發(fā)出OCTRAM（OCTRAM：Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM， 氧化物半導體晶體管DRAM） 技術(shù)， 這是一種新型4F2DRAM，由兼具高導通電流和超低漏電流的氧化物半導體晶體管組成。該技術(shù)采用InGaZnO（銦鎵鋅氧化物）晶體管，可將漏電率降低到極低水平，從而降低DRAM功耗。無(wú)論是SSD 獨立緩存還是內存產(chǎn)品，都有機會(huì )通過(guò)這項技術(shù)獲得高性能、低功耗的產(chǎn)品表現。

InGaZnO晶體管的(a)導通和(b)漏電流特性

顯然2025年依然是充滿(mǎn)了技術(shù)挑戰和技術(shù)創(chuàng )新的一年，鎧俠與合作伙伴們已經(jīng)做好了面對新挑戰的準備，全新的存儲技術(shù)和解決方案將會(huì )在A(yíng)I加速，云端計算，虛擬化應用，數據中心部署等商業(yè)場(chǎng)景中大放異彩，同時(shí)筆記本電腦、手機、XR設備也將因為存儲芯片的性能提升和尺寸縮小，擁有更多可能性，為用戶(hù)提供更好的存儲體驗。

（本文來(lái)源于《EEPW》202501）