國產(chǎn)存儲之光！長(cháng)江存儲：沒(méi)打算上市 更不會(huì )借殼

12月9日消息，針對外界的傳聞，長(cháng)江存儲公開(kāi)回應稱(chēng)，他們沒(méi)有上市的打算。

長(cháng)江存儲發(fā)布聲明稱(chēng)，近期多家媒體捏造、散布和傳播長(cháng)江存儲“借殼上市”的不實(shí)傳聞。為澄清事實(shí)，我司發(fā)表聲明如下：

一、長(cháng)江存儲從無(wú)任何“借殼上市”的意愿。     

二、長(cháng)江存儲與“萬(wàn)潤科技”等上市公司無(wú)直接業(yè)務(wù)合作。

三、請相關(guān)單位自重并立即停止一切失實(shí)報道。我司將保留追究相關(guān)單位法律責任的權利。

作為國產(chǎn)存儲之光，之前有消息稱(chēng)長(cháng)江存儲在面臨美國出口限制和被列入實(shí)體清單的雙重壓力下，已成功采用國產(chǎn)半導體設備替代部分美系設備。

長(cháng)江存儲自研Xtacking架構可讓3D NAND的層數堆疊到232層，即使與美光、三星和SK海力士等知名制造商相比，也具有極強的競爭優(yōu)勢。

據悉，長(cháng)江存儲已經(jīng)使用中微半導體設備公司的蝕刻設備、北方華創(chuàng )的沉積與蝕刻設備，以及拓荊科技的沉積設備，成功制造出3D NAND閃存芯片。