未來(lái)存儲產(chǎn)品將導入Chiplet技術(shù)

隨著(zhù)人工智能、云計算等技術(shù)的快速發(fā)展，全球存儲市場(chǎng)競爭日益激烈，存儲芯片市場(chǎng)正迎來(lái)前所未有的變革。據悉，三星電子、SK海力士等存儲巨頭紛紛加大在新技術(shù)領(lǐng)域的投入，以應對市場(chǎng)的快速變化和競爭壓力，搶占市場(chǎng)份額和商業(yè)機會(huì )。

在這些新技術(shù)中，CXL和定制芯片、chiplet技術(shù)尤為引人關(guān)注，成為了各大存儲大廠(chǎng)競相角逐的新戰場(chǎng)。

綜合韓媒報道，SK海力士副總裁文起一在學(xué)術(shù)會(huì )議上稱(chēng)，Chiplet芯粒/小芯片技術(shù)將在2~3年后應用于DRAM和NAND產(chǎn)品。值得注意的是，SK海力士正在內部開(kāi)發(fā)Chiplet技術(shù)，不僅加入了UCIe產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，也已于2023年在全球范圍內申請注冊了用于 Chiplet技術(shù)的MOSAIC商標。

▲ SK 海力士 HBM3E 內存

文起一在會(huì )議上還表示，用于連接HBM內存各層裸片的新興工藝混合鍵合目前面臨諸多挑戰，但該工藝仍將是未來(lái)方向?；旌湘I合對CMP（注：化學(xué)機械拋光）加工步驟提出了更高精細度要求；此外封裝加工引起的碎屑污染問(wèn)題也對HBM內存的良率造成明顯影響。

但并非所有存儲產(chǎn)品控制器功能都需要使用先進(jìn)工藝，采用Chiplet設計可將對工藝要求較低的功能模塊剝離到成本更低的成熟制程芯粒上，在不影響功能實(shí)現的同時(shí)大幅降低成本。