新建/擴產(chǎn)！全球多座芯片工廠(chǎng)有大動(dòng)作

近期半導體行業(yè)喜事連連，8月16日德州儀器獲得美國《芯片和科學(xué)法案》撥款加稅款等總計超180億美元補貼，用來(lái)推進(jìn)三座12英寸晶圓廠(chǎng)建設；另外，臺積電旗下首座歐洲12英寸廠(chǎng)也將在明天開(kāi)始動(dòng)工，三座先進(jìn)封裝工廠(chǎng)獲最新進(jìn)展；此外，LTSCT計劃投資100億美元在印度新建三座晶圓廠(chǎng)，分別專(zhuān)注于硅、碳化硅和氮化鎵技術(shù)。

大額補貼到賬！德州儀器新建三座12英寸晶圓廠(chǎng)

8月16日，美國政府宣布與德州儀器（Texas Instruments）簽署初步協(xié)議，將通過(guò)《芯片和科學(xué)法案》向后者提供高達16億美元的資助，以協(xié)助推進(jìn)其建造三座新的晶圓廠(chǎng)，其中有兩座位于德克薩斯州謝爾曼（SM1和SM2），一座位于猶他州萊希（LFAB2）。德州儀器總裁兼首席執行官Haviv Ilan表示，計劃到2030年將內部制造率提高到95%以上，目前正在大規模建設300毫米產(chǎn)能，以提供未來(lái)幾年客戶(hù)所需的模擬和嵌入式處理芯片。

圖片來(lái)源：德州儀器

據悉，這筆資金將用于德州儀器建設SM1潔凈室并完成初始生產(chǎn)的中試線(xiàn)，為L(cháng)FAB2建造潔凈室，以開(kāi)始初始生產(chǎn)。并為SM2構建外殼。

美國官員表示，除了撥款外，該國還將向德州儀器提供高達30億美元的貸款。此外，TI預計將從美國財政部的合格美國制造業(yè)投資投資稅收抵免中獲得約60億至80億美元的資金。上述這些資金將支持該公司投資超過(guò)180億美元建造新設施。

謝爾曼工廠(chǎng)圖（圖片來(lái)源：德州儀器）

據德州儀器官方此前消息，該公司預計花費300億美元投資，計劃建造多達四座相連的晶圓廠(chǎng)（SM1、SM2、SM3、SM4），以滿(mǎn)足客戶(hù)未來(lái)幾十年的需求。根據其2022年發(fā)布的規劃，德州儀器2030年前將新建6座300mm晶圓廠(chǎng)，其中美國德州理查森的RFAB2和從美光收購LFAB工廠(chǎng)分別于2022年第三季度、2023年第一季度投產(chǎn)；德州謝爾曼4座工廠(chǎng)中2座工廠(chǎng)在2023年完成建設；另外2座將于2026-2030年開(kāi)始建設。

在上述規劃之外，2023年2月，TI又宣布將在美國猶他州的萊希建造第二座300mm晶圓制造廠(chǎng)，已與2023年下半年開(kāi)始建造，最早將于2026年投產(chǎn)，將主要生產(chǎn)模擬和嵌入式處理芯片。據悉，該工廠(chǎng)緊鄰其現有12英寸晶圓制造廠(chǎng)LFAB，建成后兩個(gè)工廠(chǎng)將合并為一個(gè)晶圓制造廠(chǎng)進(jìn)行運營(yíng)。

對于未來(lái)，德州儀器希望到2030年公司營(yíng)收達到450億美元，比2022年提升了一倍多。該公司的目標是在未來(lái)10年左右收入實(shí)現7%的復合年增長(cháng)，與之相較，2010年-2020年的平均增長(cháng)率為4%。為了實(shí)現該，TI重新調整了本已提高的資本支出計劃，上調了2023-2026年每年資本開(kāi)支至50億美元，2027后資本開(kāi)支占收入比重為10%-15%。

公開(kāi)資料顯示，德州儀器是全球最大的模擬芯片供應商，長(cháng)期以來(lái)在全球模擬芯片行業(yè)市占率第一。模擬芯片廣泛應用于各種電子產(chǎn)品和系統中，包括汽車(chē)、工業(yè)、通信和消費電子等。

近兩年，德州儀器受困于市場(chǎng)工業(yè)和汽車(chē)電子元件需求下滑，業(yè)績(jì)也有所下滑。但是據其今年上半年財報顯示，德州儀器釋放消費型電子落底訊號，

其財報數據顯示，2024年一季度，德州儀器營(yíng)業(yè)收入為36.61億美元，同比增長(cháng)-16.40%；凈利潤為11.05億美元；同比增長(cháng)-35.30%，毛利率為57.22%，同比下降8.16個(gè)百分點(diǎn)。第二財季該公司營(yíng)收38.2億美元，營(yíng)業(yè)利潤12.5億美元，預計第三財季營(yíng)收39.4億-42.6億美元。改季德州儀器消費性電子終端環(huán)比增長(cháng)15％左右，盡管工業(yè)、車(chē)用仍呈現下降趨勢，不過(guò)其終端市場(chǎng)已完成庫存調整，著(zhù)將有利于德州儀器迎來(lái)復蘇。德州儀器管理階層透露，產(chǎn)能利用率將于第三季度略為改善，庫存天數季減6天至229天，供需關(guān)系正在轉佳。

臺積電多座工廠(chǎng)最新動(dòng)態(tài)！

除了德州儀器三座12英寸晶圓廠(chǎng)獲得推進(jìn)外，臺積電旗下首座歐洲12英寸廠(chǎng)也將在明天開(kāi)始動(dòng)工。先進(jìn)封裝廠(chǎng)房方面，嘉義2座CoWoS先進(jìn)封裝加速建設，并新購得群創(chuàng )南科4廠(chǎng)5.5代廠(chǎng)房。

01、歐洲廠(chǎng)明日動(dòng)土

不久前臺積電方表示，將于8月20日舉行德國新廠(chǎng)動(dòng)土典禮，并接續展開(kāi)整地作業(yè)，預計今年年底前動(dòng)工興建，目標2027年底開(kāi)始生產(chǎn)。據了解，臺積電董事長(cháng)魏哲家將率團前往，包括上百名主管與員工與會(huì )；臺積電協(xié)力廠(chǎng)與伙伴博世、英飛凌和恩智浦也將由高階主管出席。

據悉，德國該新工廠(chǎng)稱(chēng)為歐洲半導體制造公司（ESMC），臺積電將持有新工廠(chǎng)70%股份，合作方德國博世、英飛凌和荷蘭芯片制造商恩智浦各持股10%。ESMC的首任總裁將是前博世德累斯頓晶圓廠(chǎng)廠(chǎng)長(cháng)斯蒂安科伊茨施（Christian Koitzsch）。該晶圓廠(chǎng)將聚焦車(chē)用和工業(yè)用芯片，旨在滿(mǎn)足歐盟對汽車(chē)和工業(yè)芯片本地化的需求。具體工藝為28/22nm平面CMOS、16/12nm FinFET等成熟制程，預計于2027年實(shí)現量產(chǎn)，月產(chǎn)能可達4萬(wàn)片12英寸晶圓。

02、臺積電多座先進(jìn)封裝廠(chǎng)新進(jìn)展

近日，臺積電的三座先進(jìn)封裝廠(chǎng)獲得最新進(jìn)展，其中嘉義2座CoWoS先進(jìn)封裝廠(chǎng)獲批加快建設。另外，8月15日臺積電發(fā)布公告，花費171.4億元新臺幣購買(mǎi)群創(chuàng )南科4廠(chǎng)5.5代廠(chǎng)房。

臺積電計劃在嘉義科學(xué)園區興建2座CoWoS先進(jìn)封裝廠(chǎng)，據其此前規劃，第一座工廠(chǎng)將于2026年完成建設，并于2028年投產(chǎn)。不過(guò)在今年5月施工過(guò)程中發(fā)現了文物遺跡，因此整個(gè)建設項目暫停施工。

據報道，在解決與現場(chǎng)挖掘和環(huán)境影響評估（EIA）考古挖掘相關(guān)的問(wèn)題后，近日，中國臺灣發(fā)布公告顯示，臺積電已繼續推進(jìn)AP7一期和AP7二期建設。

目前臺積電先進(jìn)封裝持續供不應求，InFO、CoWoS等先進(jìn)封裝產(chǎn)能不斷加碼擴產(chǎn)仍難滿(mǎn)足行業(yè)高漲的需求。據悉，臺積電的先進(jìn)封裝廠(chǎng)AP7將耗資數十億美元，并將配備支持先進(jìn)后端封裝技術(shù)的設備。臺積電的CoWoS-S用于A(yíng)MD的Instinct MI250以及英偉達A100、H100/H200芯片，而CoWoS-L將用于英偉達B100/B200和其他下一代AI和HPC應用處理器。未來(lái)，AP7還將支持臺積電的SoIC（集成級集成單芯片）封裝方法，包括CoW、WoW等前端3D堆疊技術(shù)，這將使代工廠(chǎng)能夠組裝類(lèi)似于A(yíng)MD的Instinct MI300的垂直堆疊產(chǎn)品。

另外，8月15日臺積電公告，斥資171.4億元新臺幣向群創(chuàng )購買(mǎi)南科廠(chǎng)房及附屬設施。TrendForce集邦咨詢(xún)表示，快速獲得現有廠(chǎng)房，將幫助臺積電加速擴充先進(jìn)封裝產(chǎn)能，減緩產(chǎn)能吃緊的問(wèn)題。臺積電CEO魏哲家近期公開(kāi)表示，臺積電正加速推進(jìn)FOPLP工藝，目前已經(jīng)成立了專(zhuān)門(mén)的研發(fā)團隊，并規劃建立小規模試產(chǎn)線(xiàn)，力爭在2027年量產(chǎn)。行業(yè)預估潛力巨大的FOPLP有望接棒臺積電CoWoS和InFO，成為下一個(gè)延續摩爾定律的先進(jìn)封裝新星。詳情可了解《臺積電、日月光再買(mǎi)地擴產(chǎn)先進(jìn)封裝！FOPLP賽道即將爆火！》。

LTSCT擬投資100億美元在印度建三座晶圓廠(chǎng)

在印度政府推動(dòng)下，印度科技企業(yè)正在加大半導體布局。據外媒報道，L&T Semiconductor Technologies（LTSCT）計劃投資100億-120億美元，在未來(lái)5到10年內在印度建立三個(gè)半導體制造工廠(chǎng)，分別專(zhuān)注于硅、碳化硅和氮化鎵技術(shù)。

公開(kāi)資料顯示，LTSCT為L(cháng)&T的全資子公司，是一家無(wú)晶圓廠(chǎng)公司，業(yè)務(wù)涵蓋MEMS傳感器、功率、模擬混合信號和射頻產(chǎn)品，以支持汽車(chē)、工業(yè)、能源和電信領(lǐng)域。母公司L&T是一家價(jià)值270億美元的跨國企業(yè)集團，其于去年投資85億盧比成立了LTSCT。

LTSCT公司首席執行官Sandeep Kumar表示，LTSCT從類(lèi)似高通或聯(lián)發(fā)科的系統級芯片（SoC）設計公司向芯片制造實(shí)體的轉型，將建立在公司實(shí)現10億美元營(yíng)收目標的基礎之上。LTSCT預估這一營(yíng)收目標將在未來(lái)2~3年內實(shí)現，屆時(shí)將著(zhù)手建設晶圓廠(chǎng)。

Kumar進(jìn)一步解釋道，該公司涉足各種技術(shù)，包括高端硅芯片以及中低端碳化硅和氮化鎵芯片。因此，隨著(zhù)時(shí)間的推移，公司計劃建立三個(gè)不同的晶圓廠(chǎng)，每個(gè)晶圓廠(chǎng)都需要不同程度的投資。資金分配方面，LTSCT對硅的投資或將超過(guò)100億美元，對碳化硅的投資額在10億美元以上，對氮化鎵的投資額則在5億美元左右。

“在硅材料方面，所有合作伙伴的細節都已就緒。在氮化鎵方面，已經(jīng)完成了一半工作，而碳化硅方面，在未來(lái)三個(gè)月內，公司將確定與誰(shuí)合作?！盞umar補充道。據悉，LTSCT的碳化硅芯片將由兩家日本合作伙伴生產(chǎn)，而基于氮化鎵的射頻和功率器件芯片將由格芯和中國臺灣的世界先進(jìn)生產(chǎn)。

值得一提的是，在擬加碼半導體制造同時(shí)，LTSCT也在持續加強對芯片設計領(lǐng)域的布局。7月9日，LTSCT以18.3億盧比現金收購班加羅爾SiliConchSystems的100%股份。L&T在周二的監管文件中表示：“此次收購預計將增加知識產(chǎn)權 (IP)、工程技能和設計專(zhuān)業(yè)知識，以加強集團在無(wú)晶圓廠(chǎng)半導體業(yè)務(wù)中的地位，從而符合LTSCT的整體增長(cháng)戰略?！?/p>