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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 理想二極管

理想二極管控制器或 ORing 控制器柵極電壓低于預期值

  • 背景：理想二極管控制器和 ORing 控制器以三種不同的運行模式控制外部 N 溝道 MOSFET，如圖 1 所示。圖 1：理想二極管控制器 LM74700-Q1 的柵極驅動(dòng)模式正常運行期間，控制器以穩壓導通模式或完全導通模式運行。在穩壓導通模式下，線(xiàn)性穩壓方案在 MOSFET 源漏極兩端保持非常低的正向電壓。LM74700-Q1 將 MOSFET 的正向壓降調節至 20mV（典型值）。LM5050-x 和 LM5051 穩壓正向壓降為 22mV（典型值），TPS2410/12
  • 關(guān)鍵字： TI  理想二極管  ORing   

集成理想二極管、源選擇器和eFuse有助于增強系統魯棒性

  • 本文研究具有背靠背MOSFET的理想二極管以及其他更先進(jìn)的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統保護的理想二極管解決方案。二極管是非常有用的器件，對許多應用都很重要。標準硅二極管的壓降為0.6 V至0.7 V。肖特基二極管的壓降為0.3 V。一般來(lái)說(shuō)，壓降不是問(wèn)題，但在高電流應用中，各個(gè)壓降會(huì )產(chǎn)生顯著(zhù)的功率損耗。理想二極管是此類(lèi)應用的理想器件。幸運的是，MOSFET可以取代標準硅二極管，并提供意想不到的應用優(yōu)勢。
  • 關(guān)鍵字： 理想二極管  源選擇器  eFuse  

雙低電壓理想二極管控制器

  • LTC 4353控制外部N溝道MOSFET來(lái)實(shí)現一個(gè)理想的二極管功能。它取代了兩個(gè)高功率肖特基二極管和其相關(guān)的散熱器，節省功耗和電路板面積。理想二極管的功能，允許低損失電源ORing和供應滯留應用的。LTC4353調節橫跨正向
  • 關(guān)鍵字： 低電壓  理想二極管  控制器    

具理想二極管的浪涌抑制器可保護輸入和輸出

  • 具理想二極管的浪涌抑制器可保護輸入和輸出,汽車(chē)和工業(yè)應用中的電源系統必須處理短時(shí)間的高電壓浪涌、保持負載上的電壓調節、同時(shí)避免敏感電路遭受危險瞬變的損壞。常用的保護方案需要使用一個(gè)串聯(lián)的鐵芯電感器和高值
  • 關(guān)鍵字： 理想二極管  浪涌抑制器  linear  

雙低電壓理想二極管控制器

  • LTC 4353控制外部N溝道MOSFET來(lái)實(shí)現一個(gè)理想的二極管功能。它取代了兩個(gè)高功率肖特基二極管和其相關(guān)的散熱器，節省功耗和電路板面積。理想二極管的功能，允許低損失電源ORing和供應滯留應用的。LTC4353調節橫跨正向
  • 關(guān)鍵字： 低電壓  理想二極管  控制器    

凌力爾特公司推出0V至18V理想二極管控制器 LTC4352

  • 　　MOSFET 理想二極管控制器在低壓應用中，為堅固的電源“或”提供快速接通和關(guān)斷 　　凌力爾特公司(Linear Technology Corporation)日前推出 0V 至 18V 理想二極管控制器 LTC4352，該器件使多個(gè)電源能夠進(jìn)行低損耗“或”連接而對電源電壓有最小干擾。LTC4352 調節外部 N 溝道 MOSFET 上的正向壓降，以確保在二極管“或”應用中電源之間平滑傳送電流。在低壓系統中，控制器之間的慢切換導
  • 關(guān)鍵字： 凌力爾特  MOSFET  理想二極管  控制器  
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理想二極管介紹

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