可重構晶體管登場(chǎng)，可用于構建有編程功能的芯片電路

IT之家 3 月 29 日消息，來(lái)自?shī)W地利維也納工業(yè)大學(xué)的科研團隊近日開(kāi)發(fā)出新型晶體管技術(shù)--可重構場(chǎng)效應晶體管（RFET），可用于構建具有可隨時(shí)編程功能的電路。

一顆 CPU 固然擁有數十億個(gè)晶體管，但通常情況下是為執行一種特定功能而制造的。

傳統的晶體管開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中有一道“化學(xué)摻雜”的步驟，就是為純的本質(zhì)半導體引入雜質(zhì)，從而改變電氣屬性的過(guò)程。摻雜過(guò)程決定了電流的流動(dòng)方向，一旦晶體管被制造出來(lái)就無(wú)法改變。

RFET 則是靜電摻雜取代了化學(xué)摻雜，這是一種不會(huì )永久改變半導體材料化學(xué)結構的新方法。

靜電摻雜替代 "復雜而昂貴" 的化學(xué)摻雜過(guò)程之后，晶體管就可以動(dòng)態(tài)地重新配置，以執行不同的邏輯運算。

研究人員表示 RFET 是電子電路和芯片設計技術(shù)的重大突破。RFET 和當前半導體工業(yè)一樣，使用硅和鍺兩種材料，但可以顯著(zhù)改善功耗和能效。

圖源：維也納工業(yè)大學(xué)

研究人員于 2021 年開(kāi)發(fā)出了 RFET 基本技術(shù)，現在他們已經(jīng)證明，RFET 可用于構建芯片中的所有基本邏輯電路。

最近發(fā)表的研究報告展示了 RFET 可用于生產(chǎn)反相器、NAND / NOR 和 XOR / XNOR 門(mén)，它們能夠在運行時(shí)動(dòng)態(tài)切換工作模式。