鎧俠和西部數據宣布推出 218 層 3D NAND 閃存

IT之家 3 月 31 日消息，鎧俠和西部數據公司近日宣布了他們最新的 3D 閃存技術(shù)，該技術(shù)具有超高的容量、性能和可靠性，同時(shí)價(jià)格合理。該技術(shù)采用了先進(jìn)的縮放和晶圓鍵合技術(shù)的成果，旨在滿(mǎn)足各行各業(yè)快速增長(cháng)的數據市場(chǎng)的需求。

據西部數據公司的技術(shù)與戰略高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹，兩家公司的合作和研發(fā)投入使他們能夠提前完成這項基礎技術(shù)的產(chǎn)品化，并提供高性能和資本效率的解決方案。通過(guò)引入多項獨特的工藝和架構，鎧俠和西部數據降低了成本，實(shí)現了持續的橫向縮放進(jìn)步，并在更少的層數和更優(yōu)化的成本下提高了單個(gè)芯片的容量。

據IT之家了解，兩家公司引入的突破性創(chuàng )新之一是 CMOS 直接鍵合到陣列（CBA）技術(shù)。每個(gè) CMOS 晶圓和單元陣列晶圓分別在其最佳狀態(tài)下制造，然后鍵合在一起，以提供更高的比特密度和更快的 NAND I / O 速度。

其 NAND I / O 速度超過(guò) 3.2Gb / s，比上一代提高了 60%，同時(shí)寫(xiě)入性能提高了 20%，讀取延遲降低了 20%，將為用戶(hù)帶來(lái)更快速和便捷的體驗。

這種先進(jìn)的工程合作伙伴關(guān)系促成了第八代 BiCS FLASH 的成功推出，該閃存擁有業(yè)界最高的位密度。目前已開(kāi)始向部分客戶(hù)提供樣品，未來(lái)將用于一系列以數據為中心的應用，包括智能手機、物聯(lián)網(wǎng)設備和數據中心。