日本電產(chǎn)理德推出半導體高速檢測裝置“NATS-1000”

日本電產(chǎn)理德株式會(huì )社推出了全自動(dòng)在線(xiàn)半導體檢測裝置“NATS-1000”，用于汽車(chē)級IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor :絕緣柵雙極晶體管）/SiC（Silicon Carbide：碳化硅）模塊的功能測試。

1.  開(kāi)發(fā)的背景及特征

近年來(lái)，對車(chē)用功率器件（半導體元件）的需求迅速增長(cháng)。日本電產(chǎn)理德的“NATS-1000”最初是在母公司日本電產(chǎn)株式會(huì )社（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“日本電產(chǎn)”）的集團公司進(jìn)行自制化，從重視可追溯性的汽車(chē)廠(chǎng)商的角度出發(fā)，為了優(yōu)化成本、品質(zhì)和檢測速度而開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品。該裝置目前被用于以驅動(dòng)電機系統“E-Axle”為代表的、日本電產(chǎn)的半導體檢測，為集團公司的產(chǎn)品生產(chǎn)提供支持?！癗ATS-1000”在全球同類(lèi)檢測裝置中具有高速級的檢測速度，具有車(chē)用模塊高低溫溫度試驗及在線(xiàn)檢測所需的高速檢測速度。

由于汽車(chē)免不了要在炎熱的惡劣環(huán)境中使用，因此在高溫環(huán)境下進(jìn)行檢測也是對于車(chē)用IGBT/SiC模塊的一項標準，溫度控制、溫度管理是必須具備的重要功能?！癗ATS-1000”配備了可在150℃～175℃的高溫環(huán)境下實(shí)現靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性試驗的升溫槽和常溫冷卻槽，可根據不同模塊型號的熱容量維持檢測速度。

“NATS-1000”將每次檢測分為室溫絕緣、高溫靜態(tài)、高溫動(dòng)態(tài)和室溫靜態(tài)這四種狀態(tài)，通過(guò)分散檢測及并行檢測，確保檢測的高速性，從而有助于提高生產(chǎn)率。此外，經(jīng)換算，每臺檢測裝置每年可供80萬(wàn)臺6in1*1IGBT 模塊檢測使用，具有出色的性?xún)r(jià)比，還可靈活應對因汽車(chē)行業(yè)對功率半導體的需求增加而不斷擴大的檢測能力。

2.  今后的計劃

目前，該檢測裝置主要支持汽車(chē)級6in1^*1IGBT的形狀，今后將根據EV定制化、多品種的要求，不斷擴充可在短時(shí)間內對應機型變更的套件。由此，在汽車(chē)級產(chǎn)品中，能更加靈活地支持SiC-MOSFET（Silicon Carbide：碳化硅　Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金屬-氧化物半導體場(chǎng)效應管）等小型模塊。由此，使該檢測裝置可支持如電機、EV用變頻器、高速電動(dòng)車(chē)充電器、空調以及不間斷電源（UPS）等更多的應用，通過(guò)有效利用裝置來(lái)滿(mǎn)足降低成本的需求。

未來(lái)，日本電產(chǎn)集團將通過(guò)各種關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的自制化，不斷提供創(chuàng )新型解決方案，通過(guò)電機產(chǎn)品的節能化抑制電力消費，從而為減輕地球環(huán)境負荷做出貢獻。

*1　6 in 1:IGBT 和 FWD(Free Wheel Diode) 各內置6個(gè)