意法半導體與Soitec合作開(kāi)發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)
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· 雙方同意對Soitec技術(shù)進(jìn)行產(chǎn)前驗證， 以面向未來(lái)的8寸碳化硅襯底制造
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202212/441418.htm· 提供關(guān)鍵半導體賦能技術(shù)，支持汽車(chē)電動(dòng)化和工業(yè)系統能效提升等轉型目標
2022年12月8日，中國---- 服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界先驅的創(chuàng )新半導體材料設計制造公司Soitec (巴黎泛歐證券交易所上市公司) 宣布了下一階段的碳化硅 (SiC)襯底合作計劃，由意法半導體在今后18 個(gè)月內完成對Soitec碳化硅襯底技術(shù)的產(chǎn)前認證測試。此次合作的目標是意法半導體采用 Soitec 的 SmartSiC? 技術(shù)制造未來(lái)的8寸碳化硅襯底，促進(jìn)公司的碳化硅器件和模塊制造業(yè)務(wù)，并在中期實(shí)現量產(chǎn)。
意法半導體汽車(chē)和分立器件產(chǎn)品部總裁 Marco Monti表示：“汽車(chē)和工業(yè)客戶(hù)正在加快推進(jìn)系統和產(chǎn)品的電動(dòng)化，升級到8寸 SiC 晶圓將為他們帶來(lái)巨大好處，因為產(chǎn)品產(chǎn)量提高對于推動(dòng)規模經(jīng)濟非常重要。ST選擇了一種垂直整合的制造模式，從高質(zhì)量的襯底，到大規模的前工序制造和后工序封測，在整個(gè)制造鏈中充分利用我們多年積累的專(zhuān)業(yè)技術(shù)專(zhuān)長(cháng)。我們希望通過(guò)與 Soitec 技術(shù)的合作，不斷提高良率和質(zhì)量。”
“隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)的到來(lái)，汽車(chē)行業(yè)正面臨巨變。Soitec通過(guò)尖端的 SmartSiC? 技術(shù)，將獨特的 SmartCut? 工藝用于碳化硅半導體材料，將在推進(jìn)電動(dòng)汽車(chē)普及方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。” Soitec 首席運營(yíng)官 Bernard Aspar 表示：“將Soitec 的 SmartSiC? 襯底與ST行業(yè)率先的碳化硅技術(shù)和專(zhuān)長(cháng)整合，將改變汽車(chē)芯片制造的游戲規則，并樹(shù)立新的標準。”
碳化硅 (SiC) 是一種顛覆性的化合物半導體材料，在電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)制程領(lǐng)域重要的高增長(cháng)功率應用中，碳化硅材料的固有性質(zhì)令碳化硅器件的性能和能效優(yōu)于硅基半導體。碳化硅可以實(shí)現更高效的電源轉換、更緊湊的輕量化設計，并節省整體系統設計成本——所有這些都是汽車(chē)和工業(yè)系統成功的關(guān)鍵參數和要素。從 6寸 晶圓升級到 8寸 晶圓，可以使制造集成電路的可用面積增加幾乎一倍，每個(gè)晶圓上的有效出片量達到升級前的1.8-1.9 倍，因此大幅增加產(chǎn)能。
SmartSiC? 是 Soitec 的專(zhuān)有技術(shù)，基于Soitec 專(zhuān)有的 SmartCut? 技術(shù)，從高質(zhì)量碳化硅供體晶圓上切下一個(gè)薄層，將其粘合到待處理的低電阻多晶硅晶圓片表面。如此加工后的襯底可有效提高芯片的性能和制造良率。此外，優(yōu)質(zhì)的碳化硅供體晶圓可以多次重復使用，因此可以大幅降低供體加工的總能耗。
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