大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi產(chǎn)品的直流無(wú)刷電機(BLDC)驅動(dòng)器方案

致力于亞太地區市場(chǎng)的領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP81075 MOSFET驅動(dòng)器和運算放大器的直流無(wú)刷電機（BLDC）驅動(dòng)器方案。

圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的直流無(wú)刷電機（BLDC）驅動(dòng)器方案的展示板圖

隨著(zhù)應用智能化趨勢日益顯著(zhù)，無(wú)刷直流電機的高能效、長(cháng)壽命等優(yōu)勢逐漸被市場(chǎng)認知，并廣泛運用在各種領(lǐng)域之中。據相關(guān)統計顯示，近幾年無(wú)刷直流電機行業(yè)收入逐年增加，電機市場(chǎng)以交流電機、有刷直流電機為主的格局正在被無(wú)刷直流電機所打破。在這種趨勢下，大聯(lián)大世平基于onsemi NCP81075 MOSFET驅動(dòng)器和運算放大器推出了直流無(wú)刷電機（BLDC）驅動(dòng)器方案，可廣泛應用于空調外機和自動(dòng)化制造中。

圖示2-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的直流無(wú)刷電機（BLDC）驅動(dòng)器方案的場(chǎng)景應用圖

本方案采用NCP81075來(lái)做直流無(wú)刷電機的驅動(dòng)元件，NCP81075是一款高性能的雙MOSFET柵極驅動(dòng)器，其能夠承受的最高電壓可達180V，非常適用于在高電壓下運行的MOSFET/IGBT驅動(dòng)應用。器件內部集成了驅動(dòng)IC和片上自舉二極管，消除了外部離散二極管的需要。并且該器件的Low-side和High-side端可以獨立控制，在彼此的開(kāi)啟和關(guān)閉之間匹配了4ns的延遲時(shí)間。此外，NCP81075也提供獨立的欠電壓鎖定保護機制，當驅動(dòng)電壓低于特定閾值電壓時(shí)，Low-side和High-side端驅動(dòng)器會(huì )強制輸出低電平以保護電路。

除了NCP81075外，本方案還應用了NCS20166和NCS21911運算放大器。其中，NCS20166用來(lái)監測電流，其具有軌對軌的輸入和輸出能力，以及10MHz頻帶寬度。這種低靜態(tài)電流、低噪聲放大器經(jīng)過(guò)微調，可為電路提供極低的輸入偏移電壓。NCS21911是高精度運算放大器，具有低輸入偏移電壓以及極低的零點(diǎn)漂移特性。

圖示3-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的直流無(wú)刷電機（BLDC）驅動(dòng)器方案的方塊圖

得益于這些高效能器件，此直流無(wú)刷電機（BLDC）驅動(dòng)器方案可提供高達1KW的應用功率，為電機系統帶來(lái)高效能和可靠性的同時(shí)，緊湊電機設計，是廣大電機工程師的理想選擇。

核心技術(shù)優(yōu)勢：

NCP81075

●   在高端和低端驅動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET配置；

●   浮動(dòng)頂部驅動(dòng)器可承受高達180V的升壓電壓；

●   開(kāi)關(guān)頻率高達1MHz；

●   20ns傳播延遲時(shí)間；

●   UVLO保護；

●   規定溫度范圍為-40℃至140℃。

NCS21911

●   輸入偏移電壓：最大±25μV；

●   零漂移偏移電壓：最大±0.085V/℃；

●   單位頻寬：2MHz；

●   操作電壓：4~36V。

NCS20166

●   輸入偏移電壓：最大550μV（Vs=5V）；

●   單位頻寬：10MHz；

●   操作電壓：3~5.5V；

●   軌對軌輸入和輸出。

方案規格：

●   輸入紋波：2.6V（@1200W）；

●   自舉紋波：2800mV（@1200W）；

●   最大溫度：73℃；

●   OCP限制（HW）：45A；

●   測試速度：3000RPM；

●   PWM頻率：20KHz（@1200W Load）；

●   最大功率：1200W（功率級輸出）；

●   測試電壓：96V。