光電芯片制造重大突破！我國科學(xué)家首獲納米級光雕刻三維結構

　　從技術(shù)競爭的角度來(lái)看，光芯片被認為是與國外研究進(jìn)展差距最小的芯片技術(shù)，被寄予了中國“換道超車(chē)”的希望。

　　據媒體報道，9月14日晚，我國科學(xué)家在國際頂級學(xué)術(shù)期刊《自然》發(fā)表了最新研究，首次得到納米級光雕刻三維結構，在下一代光電芯片制造領(lǐng)域的獲得重大突破。

　　這一重大發(fā)明，未來(lái)或可開(kāi)辟光電芯片制造新賽道，有望用于光電調制器、聲學(xué)濾波器、非易失鐵電存儲器等關(guān)鍵光電器件芯片制備，在5G/6G通訊、光計算、人工智能等領(lǐng)域有廣泛的應用前景。

　　據介紹，南京大學(xué)張勇、肖敏、祝世寧領(lǐng)銜的科研團隊，發(fā)明了一種新型“非互易飛秒激光極化鐵電疇”技術(shù)，將飛秒脈沖激光聚焦于材料“鈮酸鋰”的晶體內部，通過(guò)控制激光移動(dòng)的方向，在晶體內部形成有效電場(chǎng)，實(shí)現三維結構的直寫(xiě)和擦除。

　　這一新技術(shù)突破了傳統飛秒激光的光衍射極限，把光雕刻鈮酸鋰三維結構的尺寸，從傳統的1微米量級（相當于頭發(fā)絲的五十分之一），首次縮小到納米級，達到30納米，大大提高了加工精度。