長(cháng)鑫存儲或于Q2交付17nm DRAM樣品

國產(chǎn)DRAM領(lǐng)域，長(cháng)鑫存儲可謂是一枝獨秀，它在技術(shù)上的突破與否，直接關(guān)系到國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

近日，據臺灣《電子時(shí)報》援引業(yè)內人士消息，長(cháng)鑫存儲的17nm制程成品率初步達到40%，預計將在2022年晚些時(shí)候逐步提高。據其計劃，將在2022年下半年將月產(chǎn)量提高到6萬(wàn)至8萬(wàn)片12英寸晶圓。

長(cháng)鑫存儲將17nm工藝節點(diǎn)作為下一代主流制造技術(shù)。該人士認為，當其17nm制程成品率提高到成熟水平時(shí)，將能夠提高DDR3和DDR4產(chǎn)能，并將在專(zhuān)業(yè)DRAM領(lǐng)域與包括南亞科技和華邦電子在內的中國臺灣同行展開(kāi)直接競爭。