英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET，樹(shù)立技術(shù)新標準

英飛凌科技股份公司近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm²封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列，旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹(shù)立全新的行業(yè)標準。這些新器件采用薄晶圓技術(shù)和創(chuàng )新的封裝，尺寸極小，卻具有顯著(zhù)的性能優(yōu)勢。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列已針對服務(wù)器、通訊、便攜式充電器和無(wú)線(xiàn)充電等SMPS應用中的同步整流進(jìn)行了優(yōu)化。這些功率MOSFET還可在無(wú)人機中，應用于小型無(wú)刷電機的ESC(電子速度控制)模塊。眾所周知，無(wú)人機通常需要尺寸小、重量輕的元器件。

這些領(lǐng)先的功率MOSFET器件采用PQFN 2x2封裝，具備更高的功率密度、小巧的外形尺寸以及業(yè)界極低的導通電阻，能夠進(jìn)一步降低能耗。2 x 2 mm²的小尺寸封裝，為PCB布局布線(xiàn)提供了更高的靈活性。此外，該解決方案還具有出色的電氣性能，可進(jìn)一步提高終端應用的功率密度，縮小外形尺寸。同時(shí)，系統溫度的降低、性能的提升，也讓熱管理變得更加輕松。這些特性有助于實(shí)現更小巧的客戶(hù)應用，充分節省空間、降低系統成本，打造易于設計的產(chǎn)品。

供貨情況

采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列現已上市：

●   PQFN 2x2 25 V: 2 x 2 mm², RDS(on) 2.4 m? (ISK024NE2LM5)

●   PQFN 2x2 30 V: 2 x 2 mm², RDS(on) 3.6 m? (ISK036N03LM5)