半導體利好：后摩爾時(shí)代的集成電路潛在顛覆性技術(shù)

上周末，科技體制改革和創(chuàng )新體系建設小組會(huì )議在北京召開(kāi)，探討了很多有關(guān)于十四五規劃的工作安排，這次會(huì )議中最引人矚目的關(guān)注焦點(diǎn)是提到了后摩爾時(shí)代集成電路顛覆性技術(shù)。

會(huì )議還專(zhuān)題討論了面向后摩爾時(shí)代的集成電路潛在顛覆性技術(shù)。（這是最關(guān)鍵的一句話(huà)）

后摩爾定律時(shí)代 換道超車(chē)曙光出現

“摩爾定律”是集成電路行業(yè)所遵循的規律，是指價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的晶體管數目，每隔18~24個(gè)月便會(huì )增加一倍，器件性能亦提升一倍。在摩爾定律時(shí)代下，先行者與后發(fā)者猶如在一條直道上賽跑。后發(fā)者雖然在直道上小步快跑，但是領(lǐng)先者憑借多年先發(fā)優(yōu)勢早已一騎絕塵，后發(fā)者難以追趕。

眾所周知，目前芯片禁運的大背景下，我們國家的科技發(fā)展受到了很大的制約，半導體卡脖子的問(wèn)題一直沒(méi)得到解決，也是擺在我們面前的頭等大事。產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟在摩爾定律還在發(fā)揮作用的時(shí)期，一直遭遇著(zhù)不斷落后挨打的窘境。

但是隨著(zhù)摩爾定律（ Moore's Law）先進(jìn)工藝驅動(dòng)芯片持續微縮的同時(shí)也導致了所需成本指數級增長(cháng)、開(kāi)發(fā)周期拉長(cháng)，良率下降 ，盈利風(fēng)險明顯升高。隨著(zhù) 28nm推進(jìn)到20nm節點(diǎn)，單個(gè)晶體管的成本不降反升，性能提升也逐漸趨緩，這標志著(zhù)后摩爾時(shí)代來(lái)臨。

如天風(fēng)證券研報所指出的，在后摩爾時(shí)代，摩爾定律形成的多年先發(fā)優(yōu)勢或不再受用，后發(fā)者如果能夠提前識別并做出前瞻性布局，完全存在換道超車(chē)的可能性。

3條技術(shù)路線(xiàn)將成發(fā)展重點(diǎn)

天風(fēng)證券研報指出，超越摩爾定律相關(guān)技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)，存在3條技術(shù)路線(xiàn)：

一是發(fā)展不依賴(lài)于特征尺寸不斷微縮的特色工藝，以此擴展集成電路芯片功能；同花順ifind數據庫吸納是，特色工藝制造相關(guān)概念股包含，聞泰科技、華虹半導體、中芯國際、華潤微、中車(chē)時(shí)代半導體、比亞迪半導體、斯達半導、士蘭微

二是將不同功能的芯片和元器件組裝在一起封裝，實(shí)現異構集成。其創(chuàng )新點(diǎn)在于推出各種先進(jìn)封裝技術(shù)，具有降低芯片設計難度、制造便捷快速和降低成本等優(yōu)勢。天風(fēng)證券指出，國內已在先進(jìn)封裝領(lǐng)域有長(cháng)足發(fā)展，核心技術(shù)與國際領(lǐng)先企業(yè)并跑，同時(shí)對未來(lái)有長(cháng)期戰略布局的龍頭封裝企業(yè)包括，長(cháng)電科技、通富微電、ASMPacific。

三是在材料環(huán)節創(chuàng )新，發(fā)展第三代半導體。目前，第三代半導體材料中比較成熟的有碳化硅、氮化鎵等。第三代半導體材料具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等特性，可以實(shí)現更好電子濃度和運動(dòng)控制，特別是在苛刻條件下備受青睞，在5G、新能源汽車(chē)、消費電子、新一代顯示、航空航天等領(lǐng)域有重要應用。